专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]表面均匀的负极材料及其制备和应用-CN201710036194.4有效
  • 梅铭;张桂兰 - 梅铭
  • 2017-01-17 - 2019-09-17 - H01M4/485
  • 本发明涉及一种表面均匀的负极材料及其制备方法和应用,所述负极材料包括本体掺杂材料和表面均匀的包覆层,所述本体掺杂是指掺杂了之外的其他金属的负极材料中的/摩尔比大于0.6、小于等于0.8。所述表面均匀的负极材料的制备方法主要包括:先通过混合砂磨、除磁烘干和低温烧结制备本体掺杂材料,然后在添加源和源后再次烧结得到表面均匀的负极材料。该负极材料的表面均匀,稳定性好;由该负极材料制备的锂离子二次电池产气量少,高低温循环性能优异,倍率性能好,显著提高锂离子二次电池的安全性。
  • 表面均匀贫锂型钛酸锂负极材料及其制备应用
  • [发明专利]碳包覆氮化稀土掺杂的制备及应用-CN201410521804.6在审
  • 李宏斌 - 李宏斌
  • 2014-09-30 - 2015-03-04 - H01M4/485
  • 本发明公开了碳包覆掺杂稀土氮化的制备及应用,所述碳包覆氮化稀土掺杂的制备方法为:先制备尖晶石稀土掺杂;然后将碳源和稀土掺杂混匀,在真空或保护气体氛围中煅烧,得到尖晶石碳包覆稀土掺杂;再将氮源和碳包覆稀土掺杂混匀,在真空或保护气体氛围中煅烧,得到尖晶石碳包覆氮化稀土掺杂。本发明的制备方法制备过程简单,设备要求低,反应过程无污染,产物均一性好,制备得到的尖晶石碳包覆氮化稀土掺杂具有高克容量,有良好的工业应用前景。
  • 碳包覆氮化稀土掺杂钛酸锂制备应用
  • [发明专利]磷酸盐包覆的碳包覆氮化稀土掺杂的制备及应用-CN201410522892.1在审
  • 李宏斌 - 李宏斌
  • 2014-09-30 - 2015-01-07 - H01M4/1391
  • 本发明公开了磷酸铝包覆的碳包覆氮化稀土掺杂的制备及应用,所述磷酸铝包覆的碳包覆氮化稀土掺杂的制备方法为:先制备尖晶石稀土掺杂,然后制备尖晶石碳包覆稀土掺杂,再制备得到尖晶石碳包覆氮化稀土掺杂;然后将制得的尖晶石碳包覆氮化稀土掺杂表面均匀包覆一层磷酸铝,制备得到磷酸铝包覆的碳包覆氮化稀土掺杂。本发明的制备方法制备过程简单,设备要求低,反应过程无污染,产物均一性好,制备得到的磷酸铝包覆的碳包覆氮化稀土掺杂具有高克容量、循环倍率性能和安全性能,有良好工业应用前景。
  • 磷酸盐碳包覆氮化稀土掺杂钛酸锂制备应用
  • [发明专利]一种制备尖晶石的方法-CN201410467323.1在审
  • 李建明 - 李建明
  • 2014-09-15 - 2014-12-10 - H01M4/485
  • 本申请公开一种制备尖晶石的方法,其特征在于,包括:S1、将源通过水解反应得到水合沉淀;S2、将所述水合沉淀分散在含有锂离子的双氧水水溶液中得到混合物;S3、将所述混合物进行热液反应获得纳米线状和/或具有纳微分级结构状的;S4、将所述纳米线状和/或具有纳微分级结构状的经退火处理获得纳米线状和/或具有纳微分级结构状的尖晶石。通过本申请的方法既能制备出尖晶石纳米线又能制备出具有纳微分级结构的尖晶石
  • 一种制备尖晶石型钛酸锂方法
  • [发明专利]氧缺位材料的制备方法-CN201710223708.7在审
  • 马倩倩;徐宁;宋英杰;伏萍萍;吴孟涛 - 天津巴莫科技股份有限公司
  • 2017-04-07 - 2017-08-18 - H01M4/485
  • 本发明公开了一种氧缺位材料的制备方法,包括以下步骤1)将源、源与去离子水混合均匀,球磨至平均粒径为100~500nm,得到浆料;2)将浆料进行喷雾干燥,干燥温度为120℃~150℃,得到粉料A;3)将粉料A在空气气氛下,以1~5℃/min的升温速率升至700~900℃,恒温热处理4~24h,得到的一次焙烧料;4)将的一次焙烧料在惰性或还原性气氛下,以1~5℃/min的升温速率升至700~850℃,恒温热处理2~12h,得到氧缺位材料。该制备方法能进一步完善制得材料的晶和结晶度,使材料的导电能力、大倍率充放电性能均得到提高。
  • 缺位型钛酸锂材料制备方法

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