专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶圆清洗方法及晶圆清洗装置-CN202110294823.X在审
  • 宋受壮;蔡长益;林禄渊 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-03-19 - 2021-07-06 - H01L21/67
  • 所述晶圆清洗方法包括如下步骤:提供待清洗的晶圆,所述晶圆表面具有污染物;向所述晶圆表面喷射表面活性剂,同时采用抛光垫对所述晶圆表面进行擦洗,所述表面活性剂能够与所述晶圆表面的所述污染物作用,以降低所述污染物与所述晶圆之间的粘附力,从而除去所述晶圆表面上的所述污染物。本发明可以去除大部分甚至全部前段制程工艺在所述晶圆表面上残留的污染物,且由于污染物与晶圆之间的粘附力减小,使得污染物回粘至所述晶圆表面的概率降低,从而改善了晶圆清洗效果,减少了污染物在所述晶圆表面的残留
  • 清洗方法装置
  • [发明专利]多晶硅表面颗粒污染物的去除方法-CN202310626311.8在审
  • 孔庆路;石强;周颖;李秀然;李协吉;庞士武;董健;袁力 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-08-25 - H01L21/02
  • 本发明提供了一种多晶硅表面颗粒污染物的去除方法及屏蔽栅沟槽型器件的形成方法。具体的,其针对形成有多晶硅材料层和硬掩膜层的半导体衬底进行CMP化学机械研磨之后,有机颗粒污染物极易选择性的吸附在多晶硅材料层的表面上的问题,通过改善多晶硅表面亲疏水情况,提出了可以将现有的湿法清洗工艺中的HF清洗试剂去除,然后,在利用该改进后的湿法清洗工艺对所述多晶硅材料层和所述硬掩膜层的表面进行清洗,减小所述多晶硅材料层的表面接触角,即增强所述多晶硅材料层的表面亲水性的特性,减小所述多晶硅材料层的表面对成分包含碳和/或氧的有机颗粒污染物的吸附,并最终改善了多晶硅材料层表面的颗粒污染物的污染情况。
  • 多晶表面颗粒污染物去除方法

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