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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

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F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

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2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]顶头中温氧化技术方法-CN201710437528.9在审
发明人：杨帅遥;王玉栋 -专利权人：西安绿行户外运动有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C23C8/18 文献下载
摘要：本发明共开了一种顶头中温氧化工艺方法，用于穿孔顶头的表面氧化，以使穿孔顶头表面形成既能隔热又能起润滑作用的氧化膜。本工艺方法所用氧化温度较低(950℃以下)，按顶头中温氧化工艺曲线操作。本氧化工艺氧化温度较低，操作简单，对炉子的加热元件、搅拌风机、炉罐耐热件损害小；本氧化工艺氧化温度低，工件变形小。
氧化工艺顶头中温穿孔顶头表面形成表面氧化加热元件搅拌风机润滑作用氧化技术耐热件氧化膜隔热炉子炉罐变形损害

[发明专利]顶头中温氧化工艺方法-CN201110352069.7无效
发明人：严银霞;赵洪敏;张锡祯;赵峰 -专利权人：天津机辆轨道交通装备有限责任公司
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C23C8/18 文献下载
摘要：一种顶头中温氧化工艺方法，用于穿孔顶头的表面氧化，以使穿孔顶头表面形成既能隔热又能起润滑作用的氧化膜。本工艺方法所用氧化温度较低(950℃以下)，按顶头中温氧化工艺曲线操作。本氧化工艺氧化温度较低，操作简单，对炉子的加热元件、搅拌风机、炉罐耐热件损害小；本氧化工艺氧化温度低，工件变形小；所用设备简单，采用普通气体渗碳炉即可实现顶头氧化。
顶头氧化工艺方法

[发明专利]一种利用氧化反应炉形成氧化膜的方法-CN202210968491.3在审
发明人：严子明 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用氧化反应炉形成氧化膜的方法，涉及半导体制造领域，利用氧化反应炉形成氧化膜的方法包括：对氧化反应炉进行保养，以确保暴露在氧化工艺环境中的所有能够发生氧化反应的硬件表面均具有一硬件氧化膜；在反应腔内，对产品晶圆的表面执行氧化工艺，以在产品晶圆的表面形成产品氧化膜，并在每预设批次数的产品晶圆完成氧化工艺后更换挡控片，在对产品晶圆的表面执行氧化工艺时，通入反应腔的氧气流量小于1slm，使得硬件氧化膜配合产品晶圆的表面执行的氧化工艺时的低氧气流量解决了形成氧化膜时出现的均匀度差异性问题，减少了氧化反应炉因机台异常的当机作业时间。
一种利用氧化反应炉形成方法

[发明专利]微弧氧化工件真空溅镀EMI薄膜结合电泳涂装加工工艺-CN200710131370.9在审
发明人：郭雪梅;吴政道 -专利权人：汉达精密电子（昆山）有限公司
申请日： 2007-08-28 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微弧氧化工件真空溅镀EMI薄膜结合电泳涂装加工工艺，其工艺流程为：选定基材→基材表面前处理→微弧氧化处理→溅镀EMI薄膜处理→电泳涂装处理，先对选定基材进行表面前处理和微弧氧化处理，得到微弧氧化工件；并对微弧氧化工件进行清洗，然后将微弧氧化工件表面上通过EMI溅镀处理镀上金属层，以使微弧氧化工件表面具有防EMI和导电性；将具导电的微弧氧化工件进行电泳涂装处理，上述工艺制程简单、量产性高且通过该工艺处理的工件兼具陶瓷
氧化工件真空 emi 薄膜结合电泳加工工艺

[发明专利]微弧氧化工件防EMI和抗菌效果的加工工艺-CN200710131346.5无效
发明人：郭雪梅;吴政道 -专利权人：汉达精密电子（昆山）有限公司
申请日： 2007-08-28 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： C25D11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种微弧氧化工件防EMI和抗菌效果的加工工艺，其工艺流程为：选定基材→基材表面前处理→微弧氧化处理→微弧氧化工件表面处理→EMI溅镀处理→电泳涂装处理，先对选定基材进行表面前处理和微弧氧化处理，得到微弧氧化工件；并对微弧氧化工件进行清洗，然后将微弧氧化工件表面上通过EMI溅镀处理镀上金属层，以使微弧氧化工件表面具有防EMI和导电性；将具导电的微弧氧化工件进行电泳涂装处理，且电泳涂装的涂料采用抗菌电泳涂料，通过该工艺处理的工件兼具陶瓷，EMI和抗菌效果，具有很好的应用前景，提高了产品的市场竞争力。
氧化工件 emi 抗菌效果加工工艺

[发明专利]一种提高镁合金铸件表面化学氧化膜质量的工艺方法-CN200710172463.6无效
发明人：徐金林;黎朝晖;吴平 -专利权人：上海航天精密机械研究所
申请日： 2007-12-18 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： C23C22/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种镁合金铸件表面化学氧化工艺。该氧化工艺中镁合金铸件在专用的表面融解槽液组合物中进行表面融解，去除表面杂物，形成光洁表面后再化学氧化处理。本发明还公开了上述专用的表面融解槽液组合物。本发明对镁合金舱体铸件毛坯表面杂物的融解效果很好，形成的光洁表面能够明显提高化学氧化成膜质量，经过本发明氧化工艺处理的镁合金铸件适用于太空舱体内壁等。
一种提高镁合金铸件表面化学氧化质量工艺方法

[发明专利]栅极再氧化方法及半导体结构的制造方法-CN200910199997.7无效
发明人：何有丰;胡亚兰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极再氧化方法及半导体结构的制造方法。所述栅极再氧化方法，包括：在图案化栅电极层及栅极介电层形成栅极叠层结构后，进行氧化工艺，在栅极叠层结构及衬底表面形成氧化层，所述氧化工艺采用纯氧气体氛围，所述氧化工艺的温度小于或等于800℃。所述栅极再氧化方法减少了再氧化工艺后氧化层厚度的差异。因此，避免了对后续制程产生不利影响。
栅极氧化方法半导体结构制造

[发明专利]真空溅镀结合电泳涂装加工微弧氧化工件工艺-CN200710131348.4无效
发明人：郭雪梅;吴政道 -专利权人：汉达精密电子（昆山）有限公司
申请日： 2007-08-28 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明提供的一种真空溅镀结合电泳涂装技术加工微弧氧化工件的工艺，其工艺流程为：选定基材→基材表面前处理→微弧氧化处理→真空溅镀处理→电泳涂装处理；先对选定基材进行表面前处理和表面微弧氧化处理，使选定基材生成微弧氧化工件；然后将微弧氧化工件表面上通过真空溅镀处理镀上金属层，以使微弧氧化工件表面具有导电性；将具导电的微弧氧化工件进行电泳涂装处理，且根据工件所需要的颜色来选取对应颜色的电泳涂料，通过该工艺处理的工件，可以采用不同颜色的电泳涂料得到需要颜色的外观
真空结合电泳加工氧化工件工艺

[发明专利]一种铝合金表面制作镜面图案的阳极氧化工艺-CN202111620886.6在审
发明人：吴丕军;戴启亮 -专利权人：杭州安费诺飞凤通信部品有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C25D11/12 文献下载
摘要：本发明提供一种铝合金表面制作镜面图案的阳极氧化工艺。将铝合金表面进行机械抛光为镜面效果，再在铝合金表面压上光感干膜，利用制作好图案的胶片进行曝光，再显影，然后在对未遮蔽的表面进行喷砂处理，将产品进行一次阳极氧化工艺，再脱掉保护干膜，进行二次阳极氧化处理。本发明是一种全新的阳极氧化工艺，能在铝合金表面制作成完美的镜面效果，能实现各种复杂图案。
一种铝合金表面制作图案阳极氧化工艺

[发明专利]栅氧化层的制造方法-CN201410163438.1无效
发明人：张红伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅氧化层的制造方法，包括：提供一硅衬底；对所述硅衬底进行热氧化工艺，以在所述硅衬底的表面上形成二氧化硅栅氧化层；对所述二氧化硅栅氧化层采用等离子体氮化工艺进行氮注入，以形成氮氧化硅栅氧化层；对所述氮氧化硅栅氧化层采用高温氮化工艺以修复晶格损伤并形成稳定的Si-N键；对高温氮化处理后的氮氧化硅栅氧化层采用低温氧化工艺以修复SiO₂/Si之间的界面。在本发明提供的栅氧化层的制造方法中，通过高温氮化工艺处理氮注入之后的栅氧化层，使得所述氮氧化硅栅氧化层的Si-N键更加稳定，避免所述氮氧化硅栅氧化层表面的氮原子继续挥发或扩散，从而有效地提高栅氧化层中的氮含量并使其保持稳定
氧化制造方法

[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的表面钝化工艺-CN201510662345.8在审
发明人：陈健生;赵锋;徐君;包大新;董方 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的表面钝化工艺。它具体包括如下两个工艺：(a)低温表面热氧化工艺：在保证优异表面钝化质量的前提下，将氧化温度控制在800℃以下，激活扩散过程中形成的“死层”，达到与发射结扩散工艺的良好匹配；(b)表面氧化掺杂工艺：在氧化过程中本发明的有益效果是：不仅提高了电池的转换效率，而且有效降低了组件封装损失；使氧化工艺可在发射结方阻高达100Ω/□以上的场合得以应用，解决了PERC电池FF恶化的问题。
一种晶体太阳能电池表面钝化工艺

[发明专利]一种铝基多孔氧化铝薄膜湿敏传感器及其制备方法-CN202111474405.5在审
发明人：杨成韬;徐康才;孙尚毅 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝基多孔氧化铝薄膜湿敏传感器及其制备方法，属于传感器技术领域，所述传感器的主体包括有铝基底，铝基底表面生长的多孔氧化铝薄膜以及氧化铝薄膜表面的顶电极，所述传感器的制备工艺包括有：一次氧化工艺、二次氧化工艺、蒸发镀膜工艺以及电极电线引出工艺。本发明制备的多孔氧化铝薄膜工艺功耗低，薄膜表面具有较大的孔径，具有较快的响应速度和恢复速度。
一种基多氧化铝薄膜传感器及其制备方法

[发明专利]一种新型铝合金产品的表面氧化加工工艺-CN202210645167.8在审
发明人：胡涛;陈荣;邹永刚;孙文辉 -专利权人：泰州星瑞精密工业有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C25D11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型铝合金产品的表面氧化加工工艺，其特征在于，其包括正面拉丝、背面喷砂及氧化工艺，所述氧化工艺包括阳极氧化、染色及封孔。通过本发明所述加工工艺可提高耐紫外线性，其均可在250h下目标值ΔE≤3.0。
一种新型铝合金产品表面氧化加工工艺

[发明专利]一种改善垂直腔面发射激光器氧化均匀性的湿法氧化工艺-CN201911281608.5在审
发明人：代露;肖黎明 -专利权人：武汉光安伦光电技术有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善垂直腔面发射激光器氧化均匀性的湿法氧化工艺，本氧化工艺包括如下步骤：氧化前通入H2，对片子表面进行预处理，使片子表面活化，这样有利于后续氧化的均匀性，另外，氧化步骤完成后，继续保温一段时间，持续通入N2，直到温度降至常温，氧化结束，这样持续通入N2的目的是去除反应坏境中的H2，减少H的钝化作用并对片子进行退火，同时在氧化过程中，水蒸汽流量用液体流量计精准控制。此外，此种氧化工艺可单片氧化，也可实现多片氧化同时进行。本发明提供的氧化工艺可以很好的实现均匀氧化。
一种改善垂直发射激光器氧化均匀湿法工艺

[发明专利]半导体器件结构的制备方法-CN202310112253.7在审
发明人：张聪 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件结构的制备方法，包括步骤：提供一衬底；采用热氧化工艺在衬底上形成第一氧化层；采用低压化学气相沉积工艺在第一氧化层上沉积第二氧化层。本申请通过热氧化工艺与低压化学气相沉积工艺结合制作出高压栅氧化层，通过热氧化工艺在贴近衬底的表面制备出高质量的氧化层，并通过低压化学气相沉积工艺增加氧化层的厚度，使得整体的高压栅氧化层具有更好的均匀性和致密性而且通过低压化学气相沉积工艺制备高温氧化物(HTO)的沉积速率远大于热氧化工艺的氧化物生成速率，进而可以大大提高生产效率。
半导体器件结构制备方法

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