[发明专利]一种利用氧化反应炉形成氧化膜的方法在审
| 申请号： | 202210968491.3 | 申请日： | 2022-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN115125621A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 严子明 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用氧化反应炉形成氧化膜的方法，涉及半导体制造领域，利用氧化反应炉形成氧化膜的方法包括：对氧化反应炉进行保养，以确保暴露在氧化工艺环境中的所有能够发生氧化反应的硬件表面均具有一硬件氧化膜；在反应腔内，对产品晶圆的表面执行氧化工艺，以在产品晶圆的表面形成产品氧化膜，并在每预设批次数的产品晶圆完成氧化工艺后更换挡控片，在对产品晶圆的表面执行氧化工艺时，通入反应腔的氧气流量小于1slm，使得硬件氧化膜配合产品晶圆的表面执行的氧化工艺时的低氧气流量解决了形成氧化膜时出现的均匀度差异性问题，减少了氧化反应炉因机台异常的当机作业时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 氧化 反应炉 形成 方法 | ||
【主权项】：
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