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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]传感器装置-CN202210498201.3在审
发明人：铃村功;佐野匠 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01D5/26 文献下载
摘要：根据一实施方式，传感器装置具备：绝缘基材，具有蛇行的带状部和与上述带状部连接的岛状部；第1无机绝缘膜，配置在上述岛状部之上；第1布线层，配置在上述第1无机绝缘膜之上；第2无机绝缘膜，配置在上述第1布线层之上；第2布线层，配置在上述第2无机绝缘膜之上；有机绝缘膜，配置在上述第2布线层之上；阻挡膜，由无机绝缘材料形成，将上述有机绝缘膜覆盖；传感器元件，配置在上述阻挡膜之上；以及密封膜，由无机绝缘材料形成，将上述传感器元件覆，上述传感器元件是有机光电二极管，上述阻挡膜将上述有机绝缘膜的侧面覆盖，上述密封膜在上述传感器元件的外侧与上述阻挡膜及上述第2无机绝缘膜相接。
传感器装置

[发明专利]触控式按键结构-CN02130441.6无效
发明人：郑永发;高翔龙 -专利权人：广达电脑股份有限公司
申请日： 2002-08-20 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01H13/702 文献下载
摘要：一种移动电话的触控式按键结构，由一背光模组、一第一绝缘透明膜、一第二绝缘透明膜、一第三绝缘透明膜以及一透明膜组成。背光模组具有导光板以及发光二极管，导光板的上表面印刷有数字及图形。第一绝缘透明膜设置于背光模组之上，第一绝缘透明膜的上表面印刷有透明导电线路。第二绝缘透明膜设置于第一绝缘透明膜之上，并成形有多个穿透孔。第三绝缘透明膜设置于第二绝缘透明膜之上，以及第三绝缘透明膜的下表面印刷有多个透明导电点，并且透明导电点的位置是相对于穿透孔的位置。透明膜设置于第三绝缘透明膜之上，并且透明膜上是绘制有一图案。
触控式按键结构

[发明专利]有机电致发光装置、光源模块以及印刷装置-CN201110193282.8无效
发明人：久保田浩史;奥谷聪;太田益幸 -专利权人：东芝泰格有限公司
申请日： 2011-07-11 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机电致发光装置、光源模块以及印刷装置，该有机电致发光装置包括基板、第一绝缘膜、第二绝缘膜、第一电极、第二电极以及发光层。第一绝缘膜形成在上述基板上，该第一绝缘膜为折射率低于上述基板的半透过性的膜。第二绝缘膜形成在上述第一绝缘膜上，该第二绝缘膜为折射率低于上述第一绝缘膜的半透过性的膜。第一电极形成在上述第二绝缘膜上且其折射率比上述第二绝缘膜的高。第二电极与上述第一电极相对。发光层形成在上述第一及第二电极之间。
有机电致发光装置光源模块以及印刷

[发明专利]半导体芯片-CN200610071402.6无效
发明人：大音光市;宇佐美达矢 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-03-20 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：半导体芯片(100)包括：未示出的半导体衬底；以及形成在半导体衬底上的层叠膜(150)，其包括诸如第一层间绝缘膜(106)的含碳绝缘膜和诸如底层(102)和顶覆盖膜(124)的无碳绝缘膜。在此，无碳绝缘膜的端面位于含碳绝缘膜的端面的外侧。含碳绝缘膜的碳组分在其端部比在内部低。含碳绝缘膜的膜密度在其端部比在内部高。
半导体芯片

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201080029882.4有效
发明人：多田宪史 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在第1绝缘膜的表面形成多个遮光膜等。之后，在相邻的遮光膜等彼此之间的第2绝缘膜的表面形成离第1绝缘膜的表面的高度与遮光膜等上的第2绝缘膜的表面高度相同的伪图案。接着，在第2绝缘膜的表面形成覆盖伪图案并且具有平坦表面的第3绝缘膜。之后，将基体层以第3绝缘膜的平坦表面贴附在支撑基板上。这样制造半导体装置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种用于生产具有双重波纹结构的半导体器件的方法-CN98124336.3无效
发明人：松本明 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-10-29 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在一块半导体基片上形成第一绝缘膜。然后在该第一绝缘膜上形成第一光刻胶。在该第一光刻胶中形成接触孔的图案。然后，以该第一光刻胶为掩膜，对第一绝缘膜进行蚀刻，从而形成接触孔。然后除去该第一光刻胶，并在整个表面上形成有机绝缘膜。另外，在该有机绝缘膜上形成第二绝缘膜。然后，在该第二绝缘膜上形成第二光刻胶。在该第二光刻胶中形成布线沟道的图案。然后，以该第二光刻胶为掩膜，对第二绝缘膜进行蚀刻。然后以该第二绝缘膜为掩膜对该有机绝缘膜进行蚀刻，从而形成布线沟道。
一种用于生产具有双重波纹结构半导体器件方法

[实用新型]一种动力电池包膜装置-CN202320726315.9有效
发明人：段小炎;黄世权 -专利权人：深圳市科瑞新能源装备技术有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B65B33/02 文献下载
摘要：一种动力电池包膜装置，包括：电芯上料机构，绝缘膜放卷机构，绝缘膜激光开窗机构以及包膜机构；电芯上料机构用于上料电芯，并将电芯输送给包膜机构；绝缘膜放卷机构用于放卷绝缘膜卷料，并将绝缘膜卷料输送给包膜机构；绝缘膜激光开窗机构设置于绝缘膜卷料的放卷路径上，用于切割绝缘膜卷料的预设开窗区域而不切断离型纸、以使绝缘膜卷料形成预设窗口；包膜机构用于将绝缘膜卷料包覆于电芯，并使预设窗口对应于电芯的非包覆区域。本动力电池包膜装置通过绝缘膜激光开窗机构切割并形成预设窗口，通过包膜机构将绝缘膜卷料包覆于电芯上，并使预设窗口对应于电芯的非包覆区域，从而实现可为电芯的非包覆区域不贴绝缘膜的目的，并提高包膜效率。
一种动力电池包膜装置

[发明专利]半导体器件-CN202111287019.5在审
发明人：川嶋祥之;井上真雄 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种作为非易失性存储器单元的存储器单元包括：具有能够保持电荷的电荷存储层的栅极绝缘膜、以及形成在栅极绝缘膜上的存储器栅极电极。电荷存储层包括包含铪和硅的第一绝缘膜、以及形成在第一绝缘膜上并且包含铪和硅的第二绝缘膜。这里，第一绝缘膜的铪浓度低于第二绝缘膜的铪浓度，并且第一绝缘膜的带隙大于第二绝缘膜的带隙。
半导体器件

[发明专利]光设备、光设备的制造方法以及激光组件-CN201280010676.8有效
发明人：衣川耕平;谷口英广 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：光设备具备：山脊型的半导体激光元件，其形成于基板上；第一绝缘膜，其覆盖所述半导体激光元件的山脊构造的侧壁部分；第二绝缘膜，其在所述山脊构造的端部区域从所述第一绝缘膜之上覆盖所述山脊构造，且密度低于所述第一绝缘膜优选所述第二绝缘膜的折射率小于所述第一绝缘膜的折射率。优选所述第二绝缘膜的蚀刻率高于所述第一绝缘膜的蚀刻率。由此，抑制了绝缘膜的覆盖不足。
设备制造方法以及激光组件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810972221.3在审
发明人：山下朋弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：在从半导体衬底的上表面突出的鳍的上表面上，通过栅极绝缘膜形成控制栅电极以及通过栅极绝缘膜形成存储栅电极。半导体区域形成在控制栅电极旁边的鳍中。在半导体区域上，形成绝缘膜、第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜。在第二层间绝缘膜、第一层间绝缘膜和绝缘膜中形成到达半导体区域的插塞。覆盖膜形成在控制栅电极和层间绝缘膜之间，并且插塞还定位在覆盖膜正上方。
绝缘膜半导体区域层间绝缘膜控制栅电极半导体器件栅极绝缘膜第一层覆盖膜上表面插塞存储栅电极衬底半导体制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610101939.2有效
发明人：森茂;是成贵弘;松崎忠弘;田边浩 -专利权人：日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社
申请日： 2006-07-11 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在绝缘衬底上形成基层，并在其上局部地形成半导体层。接着形成栅绝缘膜以覆盖半导体层，并且在栅绝缘膜的一部分上形成栅极。接着经栅绝缘膜向半导体层注入杂质，并形成源区、漏区和LDD区。用稀释氢氟酸蚀刻栅绝缘膜。接着形成电极保护绝缘膜以覆盖栅极，并用稀释氢氟酸蚀刻掉电极保护绝缘膜表面层部分的整个表面。由此除去引入电极保护绝缘膜和栅绝缘膜的载流子阱。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于制造显示器件的方法-CN200510070260.7有效
发明人：山崎舜平;大沼英人;纳光明;安西彩;乡戶宏充;二村智哉 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：在用于制造具有发光元件的显示器件的方法中，第一基底绝缘膜、第二基底绝缘膜、半导体层、以及栅绝缘膜按所述顺序被形成在衬底上。栅电极被形成在栅绝缘膜上以便于与半导体层的至少一部分重叠，并且作为栅绝缘膜与第二基底绝缘膜中的像素部分的一部分掺杂有至少一种导电类型的杂质。通过选择性地蚀刻都掺杂有杂质的栅绝缘膜与第二基底绝缘膜而形成开口部分。第一基底绝缘膜被暴露在开口部分的底表面中。随后，绝缘膜被形成得覆盖开口部分、栅绝缘膜以及栅电极，并且发光元件被形成在绝缘膜上以便于与开口部分的至少一部分重叠。
用于制造显示器件方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN200510065046.2无效
发明人：中田义弘;尾崎史朗;矢野映 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-04-11 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底10上方形成第一多孔绝缘膜38的步骤；形成第二绝缘膜40的步骤，该第二绝缘膜的密度比该第一多孔绝缘膜38的密度更大；以及利用存在的该第二绝缘膜40将电子束、UV射线或者等离子体施加至该第一多孔绝缘膜38以固化该第一多孔绝缘膜38的步骤。电子束等通过更致密的第二绝缘膜40被施加至该第一多孔绝缘膜38，由此能够无损坏地固化该第一多孔绝缘膜38。使该第一多孔绝缘膜38不被损坏，由此能够防止吸水性和密度增加，并且结果是能够防止介电常数变大。从而，本发明能够提供包括低介电常数和高机械强度绝缘膜的半导体器件。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种动力电池模组侧板绝缘的绝缘膜及其粘结结构-CN202211025007.X有效
发明人：顾良华 -专利权人：苏州恒悦新材料股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01M50/204 文献下载
摘要：本发明公开了一种动力电池模组侧板绝缘的绝缘膜及其粘结结构，包括绝缘膜层本体的内部左右两侧均开设有限制槽，限制槽的内部固定安装有贴合膜层，贴合膜层的一侧固定安装有横向膜层，绝缘膜层本体的内部左右两侧且位于贴合膜层内侧均固定安装有第一绝缘膜层，且第一绝缘膜层的内部一侧开设有插槽，本发明中贴合膜层上的横向膜层能够插至第一绝缘膜层的内部，且内包层外的凸片也插至第一绝缘膜层中，第一绝缘膜层和内包层可防止在绝缘膜层本体中分离和分层，绝缘膜层本体中膜层能稳定紧密的粘接，绝缘膜层本体中的压合膜和胶粘层呈矩形面粘接，连接紧密防止滑脱，复合树脂层和聚酯树脂层不会对环境造成污染，防水防污效果较好。
一种动力电池模组绝缘及其粘结结构

[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置-CN202011577605.9在审
发明人：冈崎健一;肥塚纯一;神长正美;井口贵弘 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置，包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上方的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜；第二绝缘膜上方的第三绝缘膜，其中，第二绝缘膜包含氧与硅，第三绝缘膜包含氮与硅，并且，在第二绝缘膜与第三绝缘膜的界面附近包含铟。
半导体装置以及包括显示装置

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