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[发明专利]碳纳米管场发射体-CN201210087160.5有效
发明人：柳鹏;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：一种碳纳米管场发射体，包括多个碳纳米管束，每个碳纳米管束具有相对的第一端和第二端，且每个碳纳米管束包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管通过范德华力首尾相连，且沿着该每个碳纳米管束的延伸方向定向排列，该多个碳纳米管束的第一端汇聚成一碳纳米管线，作为支撑部；该多个碳纳米管束沿着第一端与第二端之间的部分由所述支撑部向周围呈扇形发散，形成电子发射部；所述多个碳纳米管束中相邻的碳纳米管束之间具有间隙，该间隙从碳纳米管束的第一端至碳纳米管束的第二端逐渐增大
纳米发射

[发明专利]提高半导体型碳纳米管发光效率的方法-CN200710099289.7有效
发明人：谭平恒;张俊;李桂荣 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-05-16 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明一种提高半导体型碳纳米管发光效率的方法，其特征在于，该方法包括：制备含有不同带隙半导体型碳纳米管的碳纳米管束；把碳纳米管束准备成发光器件，选择能量与碳纳米管束中的宽带隙半导体型碳纳米管的带隙相接近或相等的激发光去激发碳纳米管束来提高碳纳米管束中窄带隙半导体型碳纳米管的光致发光效率；或者把碳纳米管束准备成发光器件，在碳纳米管束两端施加偏压，来提高碳纳米管束中窄带隙半导体型碳纳米管的电荧光发光效率。
提高半导体纳米发光效率方法

[发明专利]一种碳纳米管绳及其制造方法-CN02134760.3有效
发明人：姜开利;范守善;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2002-09-16 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明揭示一种碳纳米管绳及其制造方法。该碳纳米管绳包括多个碳纳米管束片段，每个碳纳米管束片段具有大致相等的长度且每个碳纳米管束片段由多个相互平行的碳纳米管束构成，碳纳米管束片段两端通过范德华力相互连接。制造该碳纳米管绳的方法包括以下步骤：提供一平整光滑的基底，将催化剂层沉积于该基底表面，通入碳源气与保护气体的混合气体使碳纳米管阵列从基底上长出，于碳纳米管阵列中选定一包括多个碳纳米管束的碳纳米管束片段，并使用拉伸工具拉伸该碳纳米管束片段，使碳纳米管绳沿拉伸方向形成。
一种纳米及其制造方法

[发明专利]一种碳纳米管纤维的制备方法-CN201811553340.1有效
发明人：刘宇清;徐传奇;徐迟;朱慧娟;潘志娟 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： D01H4/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管纤维的制备方法，包括如下步骤：1）从能够拉丝的碳纳米管阵列中拉出多根碳纳米管合股加捻，形成第一级碳纳米管束；形成第一级碳纳米管束的碳纳米管不超过1000根，和/或，第一级碳纳米管束的直径不超过50nm；2）将按照步骤1）方法制备的多根第一级碳纳米管束合股加捻，形成第二级碳纳米管束；3）将按照步骤2）方法制备的多根第二级碳纳米管束合股加捻，形成第三级碳纳米管束；4）将按照步骤3）方法制备的多根所述第三级碳纳米管束合股加捻，形成第四级碳纳米管束；5）将按照步骤4）方法制备的多根第四级碳纳米管束合股加捻，形成第五级碳纳米管束；以此类推，即制成；本发明方法能够有效改善碳纳米管以形成力学性能优良的碳纳米管纤维，且工艺简单易行。
一种纳米纤维制备方法

[实用新型]一种基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板-CN201721419910.9有效
发明人：倪文波;倪新;刘兆;曹军;王福兴 -专利权人：泰州市博泰电子有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于Cds‑SiO2纳米复合板的多层电路板，包括复合板层、上导体层、下导体层；复合板层包括上复合材料层、下复合材料层、上散热层以及下散热层，上复合材料层包括上聚合物基体、若干上纳米管束以及上催化层，上纳米管束间隔排列在上聚合物基体中，上催化层设置于上纳米管束和上导体层之间，上纳米管束的上端均穿过上散热层与上导电图形电连接；下复合材料层包括下聚合物基体、若干下纳米管束以及下催化层，下纳米管束间隔排列在下聚合物基体中，下催化层设置于所有下纳米管束和下导体层之间，下纳米管束的上端均穿过下散热层与下导电图形电连接；上纳米管束的下端与对应的下纳米管束的上端连接。
纳米管束复合材料层聚合物基体散热层上端纳米复合板导电图形复合板层间隔排列上催化层上导体层下催化层下导体层电连接多层电路板穿过多层电路下端

[发明专利]半导体器件利用碳纳米管的层间布线及其制造方法-CN200710007707.5无效
发明人：韩仁泽;金夏辰 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-01-29 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的利用碳纳米管的层间布线结构以及制造该层间布线结构的方法。该层间布线结构包括从催化剂层表面生长的多个碳纳米管和碳纳米管束，其中由于上部中碳纳米管的聚集，该碳纳米管束的上部比该碳纳米管束的下部具有更高的碳纳米管密度。该方法包括形成电连接到下电极的催化剂层；从该催化剂层的表面生长多个碳纳米管；通过聚集上部中的所述碳纳米管形成上部比下部具有更高碳纳米管密度的碳纳米管束；形成层间电介质，其覆盖该下电极，围绕该碳纳米管束，且暴露该碳纳米管束的仅上表面；以及形成上电极，其接触该碳纳米管束的所述上表面。
半导体器件利用纳米布线及其制造方法

[发明专利]碳纳米管束的制备方法-CN201911350094.4有效
发明人：杨心翮;柳鹏;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管束的制备方法，包括以下步骤：提供至少两根碳纳米管；在所述至少两根碳纳米管上设置硫纳米颗粒使所述至少两根碳纳米管在光学显微镜下可视，形成至少两根可视碳纳米管；将所述至少两根可视碳纳米管堆叠设置形成碳纳米管束预备体；去除所述碳纳米管束预备体中硫纳米颗粒，从而获得碳纳米管束。
纳米管束制备方法

[发明专利]一种碳纳米管束场效应晶体管阵列及其制造方法-CN201710004518.6有效
发明人：肖德元 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管束场效应晶体管阵列及其制造方法，所述碳纳米管束场效应晶体管阵列包括：源极材料层、漏极材料层以及连接于所述源极材料层与漏极材料层之间的碳纳米管束阵列；所述碳纳米管束阵列包括若干分立设置的碳纳米管束单元，其中，所述碳纳米管束单元的轴向第一端与所述源极材料层连接，所述碳纳米管束单元的轴向第二端与所述漏极材料层连接；所述碳纳米管束单元被栅极结构所包围。本发明的碳纳米管束场效应晶体管阵列能够耐受更高的操作电压及操作电流，能够应用于大功率器件。并且本发明采用环栅结构，可以提高栅极对沟道的操控能力。本发明的碳纳米管束场效应晶体管阵列的制造方法具有工艺步骤简单的特点，有利于降低生产成本。
一种纳米管束场效应晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]一种碳纳米管冷阴极结构-CN201310160288.4有效
发明人：乔宪武;杨小慧;丁红 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明涉及电子显示器件，特别是一种碳纳米管冷阴极结构。本发明所述一种碳纳米管冷阴极结构，其中，使用丝网印刷方法在阴极上粘附碳纳米管束，所用丝网厚度不均匀，由此产生不同高度的碳纳米管束垂直排列在阴极上表面。所述一种碳纳米管冷阴极结构，其中，在单一方向上，相邻碳纳米管束存在高度差，碳纳米管束阵列模型顶端形成正弦波纹形状。所述模型，其中，绝缘层与栅极组成的结构固定在碳纳米管束形成的波谷位置，垂直固定于阴极上表面。本发明的有益效果是：通过碳纳米管束尖端高度分布变化，这一简单有效的方法，降低由于电磁屏蔽效应产生的损耗，提高碳纳米管束场发射效率。
一种纳米阴极结构

[发明专利]一种将碳纳米管束填充到硅转接板的硅穿孔中的方法-CN201110061489.X无效
发明人：曹立强;戴风伟;王启东;万里兮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种将碳纳米管束通过转移的方式填充到硅转接板的TSV中的方法。该方法是将碳纳米管束生长在普通硅基底上，然后通过转移的方法将碳纳米管束填充到硅转接板的TSV中。此方法的优势在于碳纳米管束的生长不受温度限制，可以得到任意所需长度的碳纳米管束，不受TSV径和深宽比的限制，通过转移可以使碳纳米管束两端被很好的固定。碳纳米管束填充TSV作为互连不但具有更低的电阻率而且可以避免铜互连电迁移问题。
一种纳米管束填充转接穿孔中的方法

[发明专利]一种光学偏振光源装置及其制造方法-CN03113920.5有效
发明人：李鹏;姜开利;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2003-03-11 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：此光学偏振光源装置，包括至少一碳纳米管束，及与该碳纳米管束相连接的电极。上述碳纳米管束的长度为600μm。当偏振光源装置的电极接上电源时，碳纳米管束发出偏振白炽光，偏振光的偏振方向平行于碳纳米管束的轴向。本发明还提供了一种制造上述光学偏振光源装置的方法，其包括：(1)沉积催化剂于一基底；(2)在预定温度下，使保护气体和碳源气的混合气体与催化剂接触，使得至少一碳纳米管束从催化剂区域长出；(3)取下至少一碳纳米管束
一种光学偏振光源装置及其制造方法

[发明专利]一种晶圆封装及制作方法-CN202210839950.8在审
发明人：叶怀宇;李世朕;刘旭;张国旗 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆封装及制作方法，晶圆封装包括：第一晶圆、第二晶圆以及连接在第一晶圆与第二晶圆之间的连接层；连接层包括：子面碳纳米管束结构与母面碳纳米管束结构；子面碳纳米管束结构设置在第一晶圆上，母面碳纳米管束结构设置在第二晶圆上，子面碳纳米管束结构与母面碳纳米管束结构相互连接构成连接层。本发明通过子面碳纳米管束结构与母面碳纳米管束结构相互连接形成的连接层对第一晶圆与第二晶圆进行连接能够形成稳定的连接，提高了晶圆之间的连接强度，在满足晶圆之间互联区域的导电导热性要求的同时，还可防止晶圆封装采用碳纳米管束对晶圆进行连接形成的连接层在功率器件长久服役过程中无法满足连接稳定性要求的问题
一种封装制作方法

[发明专利]基于有序多壁碳纳米管束－金属异质结的温度传感器-CN200510011170.0无效
发明人：孙家林;孙红三;刘晓萌;朱嘉麟;韦进全 -专利权人：清华大学
申请日： 2005-01-14 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：基于有序多壁碳纳米管束—金属异质结的温度传感器，涉及一种碳纳米管束—金属异质结的温度传感器。它是将具有宏观长度有序的碳纳米管束的顶端与金属导电薄膜相连接，在连接处形成碳纳米管束—金属异质结，然后，从金属导电薄膜和碳纳米管束的尾端分别引出电极，构成温度传感器。工作时，用导线把两电极和电流信号检测设备相连接构成回路，当异质结上的温度相对于碳纳米管束尾端的温度变化时，回路中即可产生热致电流，该电流的强度依赖于碳纳米管束两端表面的温差，即当温差增加时，热致电流也会增加
基于有序多壁碳纳米管束金属异质结温度传感器

[发明专利]使用电泳垂直排列碳纳米管的方法-CN200510131015.2无效
发明人：金夏辰;陈勇完;韩仁泽;李亢雨 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直排列碳纳米管的方法。该方法包括：在形成有催化剂金属层的基板上生长碳纳米管；以束的形式从该基板分离生长的碳纳米管；在放入有充电物的电解液内放入分离的碳纳米管束，将碳纳米管与充电物混合，并且使碳纳米管束带电；以及将带电的碳纳米管束利用电泳垂直附着到电极的表面上
使用电泳垂直排列纳米方法

[发明专利]碳纳米管丝及其制作方法-CN200510120716.6有效
发明人：姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管丝的制作方法，通过将从一超顺排碳纳米管阵列拉出的碳纳米管膜经过一有机溶剂浸润处理后收缩成一碳纳米管丝，再收集即可，该方法简单易行。通过本方法所制得的碳纳米管丝，是由若干根碳纳米管线紧密结合在一起所构成的，其中，所述碳纳米管线包括多个首尾相接的碳纳米管束片段，每个碳纳米管束片段具有大致相等的长度，且每个碳纳米管束片段由多个相互平行的碳纳米管束构成该碳纳米管丝表面体积比小，无粘性，且具有良好的机械强度及韧性，能方便地应用于宏观的多个领域。
纳米及其制作方法

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