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[发明专利]一种红外碳硫分析仪测定纯铜中硫含量的方法-CN202310189942.8在审
发明人：沈云峰;沈永水 -专利权人：无锡杰博仪器科技有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明涉及硫含量检测技术领域，具体提供了一种红外碳硫分析仪测定纯铜中硫含量的方法，所述方法包括坩埚预处理、准备测定用备品和分析测定步骤，具体包括：1)坩埚预处理：S1、将陶瓷坩埚放入马弗炉中灼烧；S2、取出陶瓷坩埚，待冷却后置于放入变色硅胶的干燥器中；S3、陶瓷坩埚投入使用；2)准备测定用备品：纯铜试样、低硫标样；3)分析纯铜中硫含量；本方法中选择了最佳助熔剂，采用钢中标准样品作为低硫标样进行标准化校正，配合钨助熔剂使用，解决了快速测定纯铜中硫含量的问题，本方法分析步骤简便、分析速度快，结果准确度高等特点，为纯铜的冶炼、应用及质量控制提供可靠的技术保障，有效配合了科研及专项生产工作的进行。
一种红外分析测定纯铜中硫含量方法

[发明专利]从铜尾矿中综合回收金硫的浮选工艺-CN201710938355.9有效
发明人：甘永刚;鲁军;李广;闫军宁;肖琴;岳丽琴;巫銮东;廖德华 -专利权人：紫金矿业集团股份有限公司;厦门紫金矿冶技术有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： B03D1/001 文献下载
摘要：本发明涉及一种从铜尾矿中综合回收金硫的浮选工艺，是在选铜尾矿中添加硐坑酸性废水、捕收剂及醇类起泡剂，强化目的矿物、铜及伴生金银的回收，通过加入硫酸铵再磨，清洗和解离目的矿物，经“两次精选、中矿循序返回”获得硫精矿，硫精矿通过硫酸调浆后浮选获得超纯硫精矿(硫酸渣可直接作炼铁原料)和含金铜普通硫精矿(硫酸渣可综合回收金铜)，它具有精选效果好、有利于后续作业的回收，硫精矿品位高、纯度佳，可提高硫精矿资源附加值等优点，适于以含硫铜尾矿为原料获得超纯硫精矿和综合回收伴生金元素的铜选厂应用。
尾矿综合回收浮选工艺

[发明专利]一种高纯铜中碳硫元素分析方法-CN201410037569.5有效
发明人：黄桂华;任发强 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G01N5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯铜中碳硫元素分析方法，该方法包含：步骤1，对高纯铜样品进行前处理；步骤2，上机测试：记录所称取的高纯铜样品质量m和所用助溶剂的质量m₁，包含样品与助溶剂的总质量为>硫₀及助溶剂的碳含量C_碳₁、硫含量C_硫₁；步骤3，样品中的碳含量C_碳按公式（1）计算：其中，样品中的硫含量C_硫按公式（2）计算：从而完成碳硫元素分析。本发明提供的分析方法所用的仪器常规普通，检测成本低，周期短，能够准确检测出低含量（如小于1μg/g）的高纯铜中的碳硫含量，能够很好地控制高纯铜的质量，可以满足日益发展的半导体产业需求。
一种高纯铜中碳硫元素分析方法

[发明专利]一种高纯高导铜及其制备方法-CN201911031984.9有效
发明人：宋克兴;刘海涛;周延军;程楚;安世忠;张彦敏;皇涛;国秀花;李韶林;朱一明;宋金涛;张凌亮 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯高导铜及其制备方法。该高纯高导铜由以下重量百分比的组分组成：O≤0.0020％，0.0002％≤改善性元素≤0.0200％，0.0010％≤S≤0.0100％，余量为铜和不可避免的杂质；所述改善性元素为B、Y、Ce、La、Ca、Li、Be中的一种，两种或三种以上。本发明提供的高纯高导铜，通过添加一种或几种改善性元素，以改变杂质元素硫在高纯高导铜基体中的分布，抑制杂质元素硫的晶界偏聚。由于晶界无含硫化合物的形成，该高纯高导铜具有优异的导电性和耐高温氧化性能。
一种高纯高导铜及其制备方法

[发明专利]一种电沉积后退火制备铜铟铝硫或铜铟铝硒或铜铟铝硫硒薄膜太阳能电池材料的方法-CN201910134876.8在审
发明人：杨穗;田心怡;钟建新;易捷;李红星 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-02-24 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电沉积后退火制备铜铟铝硫或铜铟铝硒或铜铟铝硫硒薄膜太阳能电池材料的方法。先形成配位物的乙醇溶液，再以铜盐和铝盐为原料，在ITO导电玻璃上一步电沉积制备铜铝前驱体薄膜，再将前驱体薄膜退火，退火过程中ITO导电层中的铟扩散到薄膜中，获得纯相的铜铟铝硫或铜铟铝硒或铜铟铝硫硒薄膜。本发明通过控制沉积电势、电解液溶液中溶质浓度等实现对薄膜成分、晶体结构、形貌等的可控制备，产物为纯相薄膜，无二元化合物杂质。电化学沉积窗口宽，沉积过程无析氢反应对薄膜产生的不利影响。
铜铟薄膜铜铟铝硒电沉积硫硒制备薄膜太阳能电池前驱体薄膜后退火沉积退火形貌电化学沉积电解液溶液二元化合物真空气相法晶体结构退火过程析氢反应乙醇溶液可控性可控制配位物铟扩散成膜电势铝盐溶质铜铝铜盐

[发明专利]一种硫酸铜中微量铁的检测方法-CN201110146895.6无效
发明人：廖悦鉴;张素娟;吴阳东 -专利权人：广州科城环保科技有限公司
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G01N21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫酸铜中微量铁的检测方法，是采用硫氰酸铵分光光度法，用不含铁的优级纯硫酸铜进行扣除本底，以硫氰酸铵作为显色剂测定铁含量。本发明的检测方法把硫酸铜中的铁离子氧化成三价铁，将溶液调至酸性时用硫氰酸铵作为显色剂，使得Fe3+能够完全与硫氰酸铵络合，测定结果更为准确；并且用等量的优级纯硫酸铜作为样品扣除本底铜离子的颜色进行测定，消除了因硫酸铜自身带有蓝色而对样品溶液光吸收产生的误差，增加了检测的精确度；此外本发明的检测方法无需沉淀、过滤分离再溶解测定等步骤，大大降低了因步骤繁琐而产生的误差，使检测结果更为可靠。
一种硫酸铜微量检测方法

[发明专利]一种低银低硫超高纯铜提纯真空熔炼工艺-CN202210931578.3在审
发明人：刘佩瀛;陈志阳;程昌家 -专利权人：江苏鑫瑞崚新材料科技有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C22B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低银低硫超高纯铜提纯真空熔炼工艺，具体包括以下步骤：S1、废杂铜的处理：预先去除废杂铜的表面锈蚀以及进行清洗处理，然后将预处理后的废杂铜投入破碎机中，通过破碎机将废杂铜破碎至直径≤150mm，使用筛分机对破碎后的物料进行筛分，筛下物料等待备用，筛上物料则重新投入破碎机中进行破碎，直至通过筛分即可；S2、物料热处理：将步骤S1中筛分后的物料放入烘烤机内部进行热处理，本发明涉及纯铜提纯技术领域该低银低硫超高纯铜提纯真空熔炼工艺，采用真空熔炼提纯工艺能够得到纯度≥99.9995％且晶粒均匀、晶粒取向一致的超高纯铜，克服了传统工艺融化效率低以及纯度不高的问题，工艺流程短，生产成本低。
一种低银低硫超高纯提纯真空熔炼工艺

[发明专利]一种低银低硫超高纯铜提纯的电解方法-CN202210960644.X在审
发明人：杜正强;陈梦婷;邱佩 -专利权人：江苏鑫瑞崚新材料科技有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C25C1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种低银低硫超高纯铜提纯的电解方法，具体包括以下步骤：S1、电解液的配置；S2、阴阳极的布置；S3、电解操作；S4、电解液的净化处理；S5、纯铜的后期处理；S6、阳极泥的处理；本发明涉及纯铜提纯技术领域该低银低硫超高纯铜提纯的电解方法，通过可以有效除去电解液中的杂质，提高电解液的温度，有利于降低电解液的粘度，使飘浮的阳极泥容易沉降，增加各种离子的扩散速度，减少电解液电阻，从而提高电解液的电导率、降低电解槽的电压降，以减少铜电解生产的电能消耗，对电解液进行净化和调整，可以维持电解液的中铜、酸含量及杂质浓度都在规定的范围内，以保证电解过程的正常进行。
一种低银低硫超高纯提纯电解方法

[发明专利]一种纯铜光固化3D打印的高光敏活性浆料及其制备方法-CN202310844665.X在审
发明人：王炜衢;姜焱林;冯梦朝;高怡平;王耀静;赵喆 -专利权人：嘉兴饶稷科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B22F1/10 文献下载
摘要：一种纯铜光固化3D打印的高光敏活性浆料及其制备方法。所述纯铜光固化3D打印的高光敏活性浆料组成包含纯铜粉体，活性稀释剂,光引发剂,以及助剂。所述活性稀释剂为丙烯酸酯类单体，所述光引发剂包括两组其中一组为裂解型的α‑氨基酮及其衍生物类，另外一组为硫杂蒽酮及其衍生物类。其中所述硫杂蒽酮类光引发剂在360nm～405nm波长左右的紫外光中具有较高的摩尔消光系数，可以与铜粉竞争紫外光以避免铜粉的高吸光系数导致光引发效率降低。同时硫杂蒽酮吸收紫外光后与α‑氨基酮类发生能量转移，使α‑氨基酮类光引发剂跃迁至激发三线态，间接实现浆料光聚合，光引发效率得到极大地提高，提高浆料光敏活性，解决铜粉紫外吸光度过高的问题。
一种光固化打印光敏活性浆料及其制备方法

[发明专利]一种红外吸收法测高碳铬铁中碳含量的方法-CN201910536996.0在审
发明人：钱平;钱刚;许晓红;白云;赵海峰 -专利权人：江阴兴澄特种钢铁有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明涉及一种一种红外吸收法测高碳铬铁中碳含量的方法，该方法采用高频感应炉燃烧高碳铬铁试样使熔融，试样助溶剂为纯铜、金属锡和金属钨的混合物。先准确称取纯铜于坩埚中铺平，再称取高碳铬铁试样加入坩埚中，再在纯铜和试样表面覆盖锡、钨混合物，摇匀，将坩埚置于碳硫仪升降台上，试样进入碳硫仪中分析，试样在高频感应炉的氧气流中加热燃烧、熔融，生成的二氧化碳由氧气载至红外线分析器的测量室以纯铜+金属锡+金属钨作为助溶剂，试样燃烧时不灰飞、碳释放充分，测量准确度高，重复性好。
纯铜坩埚高频感应炉红外吸收法高碳铬铁混合物金属钨金属锡助溶剂燃烧测高称取铬铁熔融碳硫二氧化碳吸收红外线分析器检测器检测试样表面准确度测量室成正比红外能氧气流波长二氧化碳摇匀吸收加热氧气升降铺平测量释放覆盖分析

[发明专利]一种采用电位滴定法测定铝铜中间合金中铜含量的方法-CN202310621096.2在审
发明人：马兰;连危洁;翟宇鑫;田兆永;李爽 -专利权人：中国兵器科学研究院宁波分院
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N31/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用电位滴定法测定铝铜中间合金中铜含量的方法，涉及合金材料测定分析技术领域，该方法包括以下步骤：取工作基准试剂纯铜置于容器中，加盐酸溶液和双氧水加热溶解所述纯铜后，加水，用氨水溶液调节溶液后，滴加至沉淀溶解，随后加入磷酸，饱和氟化钠溶液，向标定溶液中加入碘化钾固体，使用自动电位滴定仪用硫代硫酸钠溶液滴定，加入10ml硫氰酸钾溶液，滴定至终点；以所述标定后的所述硫代硫酸钠标准溶液作为滴定液，用自动电位滴定仪进行滴定，滴定结束后，记录消耗的硫代硫酸钠标准溶液的体积V2。
一种采用电位滴定法测定中间合金含量方法

[发明专利]一种快速制备铜锌锡硫纳米颗粒的方法-CN201610868601.3在审
发明人：沈韬;柴鲜花;朱艳;甘国友;青红梅 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明公开一种快速制备铜锌锡硫纳米颗粒的方法，属于太阳能电池材料与器件技术领域，将铜源、锌源、锡源、硫源混入有机溶剂，再加入表面活性剂然后置于微波炉中微波加热合成铜锌锡硫Cu2ZnSnS4纳米颗粒；本发明制备铜锌锡硫纳米颗粒反应速度快，原料来源丰富、无毒、价低，可重复性高、反应装置简单、反应过程可控、产物较纯，并且能够通过改变反应时间方便快速的控制物相。
一种快速制备铜锌锡硫纳米颗粒方法

[发明专利]一种低银低硫超高纯铜提纯用添加剂配方及制备方法-CN202211111430.1在审
发明人：杜正强;陈志阳;程昌家;陈梦婷;邱佩 -专利权人：江苏鑫瑞崚新材料科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C25C1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种低银低硫超高纯铜提纯用添加剂配方，其原料按重量份比包括：高分子胶30‑60份、平滑剂10‑20份、含硫有机化合物10‑20份、表面活性剂15‑35份、含氯化合物5‑25份和整平剂5‑15份，本发明涉及纯铜提纯技术领域。该低银低硫超高纯铜提纯用添加剂配方及制备方法，通过高分子胶加入以后，胶原蛋白可以与其它物理、化学性质不同的合成或天然高分子共混，组成一种多相固体材料，在性能上胶原与其它高分子互相补充，对结晶核生长速度有所仰制，相应地晶核生成速度就有所增加，便于得到光滑，细密的结晶，同时由于胶与铜形成载体，对于因阴极上的凸瘤部分，因随铜而去的胶粒多，同时可有效提高纯铜表面的光亮度和整体的抗拉强度。
一种低银低硫超高纯提纯添加剂配方制备方法

[发明专利]一种绑定单靶溅射制备Cu3-CN201810958677.4有效
发明人：韦雷凯;沈韬;朱艳 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明将预处理衬底放置到磁控溅射腔室内的样品架上，将绑定纯铜靶的三元铜锡硫靶材安装于磁控溅射腔室内，调整绑定纯铜靶的三元铜锡硫靶材和溅射腔体内基底之间的靶基距为80~90mm；将溅射室内本底真空度抽至2.0/base:Sup>Pa，设定工作真空度为0.4~0.5Pa，衬底温度为80~320℃、样品旋转速度为10~20r/min，工艺气体的流量为20~30sccm；预溅射除去靶材表面杂质；在衬底上采用绑定纯铜靶的三元铜锡硫靶直流溅射沉积铜锡硫(Cu3SnS4)前驱体层薄膜，其中溅射功率为30~70w，铜锡硫Cu3SnS4前驱体层薄膜厚度为790~810nm；在氮气氛围下，将铜锡硫(Cu3SnS4
一种定单溅射制备 cu base sub

[发明专利]一种真空无氰电镀制备高抗硫性纯银镀层的方法-CN201810031597.4有效
发明人：叶志国;涂景罗;马光;郝文魁;陈保安;韩钰 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： C25D3/46 文献下载
摘要：一种真空无氰电镀制备高抗硫性纯银镀层的方法，具体包括无氰镀银溶液的配置、铜基体表面处理和真空镀银层步骤。本发明制备的纯银镀层具有优异的抗硫性能，在5%Na₂S溶液中浸渍12小时不变色，抗硫性能达到航标QJ485‑1988要求；具有良好的结合力，达到国标GB/T 5270‑2005的要求此外制备的纯银镀层拥有优异的导电、导热、耐磨性和较长的机械寿命等特点。本发明的纯银镀层具有良好的综合性能，对在大气环境中，特别是在沿海工业高湿、高盐、高硫环境下使用的户外高压隔离开关有很高的应用价值。
纯银镀层制备抗硫性能无氰电镀高抗硫性户外高压隔离开关导热浸渍真空镀银层耐磨性大气环境机械寿命无氰镀银综合性能结合力铜基体导电高硫高湿高盐国标航标变色配置沿海应用

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