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[发明专利]远程等离子体可流动CVD腔室的方法及设备-CN202210426147.1在审
发明人： Y·马;D·拉杰;M·J·西蒙斯;A·波克雷尔;G·奇可卡诺夫;张轶珍;梁璟梅;J·D·平松二世;D·李;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
远程等离子体流动 cvd 方法设备

[发明专利]远程等离子体可流动CVD腔室的方法及设备-CN201880009192.9有效
发明人： Y·马;D·拉杰;M·J·西蒙斯;A·波克雷尔;G·奇可卡诺夫;张轶珍;梁璟梅;J·D·平松二世;D·李;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
远程等离子体流动 cvd 方法设备

[发明专利]等离子体清洁装置-CN201110050682.3有效
发明人：车正辈;郑在皓;河京斗;李元镛;尹甫惠 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2011-03-03 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体清洁装置，该等离子体清洁装置等离子体清洁可再充电电池及其构成元件。根据本发明示范性实施例的等离子体清洁装置包括：腔室，形成大气压力空间；等离子体头，形成在腔室中，产生大气压力等离子体，并通过将大气压力等离子体发射到设置在腔室中的可再充电电池来清洁可再充电电池的至少一部分；间隙控制单元，安装在等离子体头处并控制可再充电电池的该部分与等离子体头之间的间隙；以及排气管，形成在等离子体头的一侧，连接到腔室的外部并将清洁期间产生的气体排出。
等离子体清洁装置

[发明专利]清洁腔室的方法、干式清洁系统及非暂态电脑可读取媒体-CN201811107929.9有效
发明人：赖诚忠;陈舜钦;陈世芳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文公开一种干式清洁沉积反应腔室的方法、干式清洁系统以及非暂态电脑可读取媒体。在一些实施例中，清洁沉积反应腔室的方法包括：进行等离子体辅助清洁工艺，以清洁在沉积反应腔室的内表面所形成的管道沉积物，其中等离子体辅助清洁工艺包括：将第一反应气体提供到远端等离子体源以产生等离子体，其中等离子体包括含氟自由基；将等离子体从远端等离子体源提供到沉积反应腔室，以清洁管道沉积物；以及在进行等离子体辅助清洁工艺后，通过将第二反应气体提供到沉积反应腔室，以进行化学清洁工艺。
清洁方法系统非暂态电脑读取媒体

[发明专利]等离子体反应室的干式清洁方法-CN02157104.X有效
发明人：郑朝云;郭行健;庄智强;吴淑芬 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2002-12-12 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： B08B9/00 文献下载
摘要：一种等离子体反应室的干式清洁方法，适用于金属蚀刻工艺。首先，将一具有一金属层的基底置入一等离子体反应室。接着，蚀刻基底上的金属层。最后，自等离子体反应室移出基底并实施一干式清洗程序。其首先，借由氧气形成的等离子体清洁等离子体反应室内壁。随后，借由氯气及氯化硼气体形成的等离子体清洁等离子体反应室的上电极及下电极。再以氟化硫气体及氧气形成的等离子体清洁等离子体反应室内壁。最后，于等离子体反应室通入及抽取作为迫除气体的氧气及氦气。
等离子体反应清洁方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台-CN202011136319.9在审
发明人：佐佐木芳彦;南雅人;藤永元毅;神户乔史;山涌纯;宇贺神肇 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤
等离子体蚀刻方法装置基板载置台

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202010081427.4在审
发明人：青木裕介;高田郁弥;户花敏胜;森北信也;藤原一延;阿部淳;永海幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。例示的实施方式的等离子体处理装置，在对基片的等离子体处理和等离子体清洁中，在腔室内生成等离子体，从直流电源装置将脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到上部电极。对基片的等离子体处理时的脉冲状的负极性的直流电压的占空比小于等离子体清洁时的该占空比。对基片的等离子体处理时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值，小于等离子体清洁时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值。本发明能够在对基片的等离子体处理中抑制腔室内的内壁面的损伤，并且通过等离子体清洁有效地除去形成于内壁面上的沉积物。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台-CN201710574737.8有效
发明人：佐佐木芳彦;南雅人;藤永元毅;神户乔史;山涌纯;宇贺神肇 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤
等离子体蚀刻方法装置基板载置台

[实用新型]等离子体清洁喷头及装置-CN202022920289.2有效
发明人：何祥月;黄涛涛;康海平;聂耀 -专利权人：江西欧迈斯微电子有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： B05B1/14 文献下载
摘要：本申请提供一种等离子体清洁喷头及装置。等离子体清洁喷头用于喷出等离子体对待清洁工件进行清洁，所述等离子体清洁喷头包括喷头主体、喷嘴头以及至少一个导流块。喷头主体内部形成有容纳等离子体的容纳腔。喷嘴头内部形成有与所述容纳腔连通的多个通孔，多个通孔用于为等离子体提供喷出通道。至少一个导流块设置在多个通孔中的相邻两个通孔之间，导流块用于对等离子体进行导流，使得等离子体均匀喷出，从而在清洁去污的同时，可以改善待清洁工件本身的表面性能，以满足特定的工艺要求。
等离子体清洁喷头装置

[发明专利]使用同时存在的原位和远程等离子体源进行快速室清洁-CN202310634696.2在审
发明人：基思·福克斯;乔纳森·丘奇;詹姆斯·李;马修·马德洛;凯文·戈伯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及使用同时存在的原位和远程等离子体源进行快速室清洁。一种用于清洁衬底处理系统的处理室的方法包括：向远程等离子体源(RPS)供应三氟化氮(NF3)气体；使用所述RPS产生RPS等离子体；向所述处理室供应所述RPS等离子体；将NF3气体作为旁路气体供应至所述处理室；在供应所述RPS等离子体的同时在所述处理室中激励原位等离子体；并且在清洁时间段期间使用所述RPS等离子体和所述原位等离子体两者清洁所述处理室
使用同时存在原位远程等离子体进行快速清洁

[发明专利]使用同时存在的原位和远程等离子体源进行快速室清洁-CN201880026126.2有效
发明人：基思·福克斯;乔纳森·丘奇;詹姆斯·李;马修·马德洛;凯文·戈伯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及使用同时存在的原位和远程等离子体源进行快速室清洁。一种用于清洁衬底处理系统的处理室的方法包括：向远程等离子体源(RPS)供应三氟化氮(NF3)气体；使用所述RPS产生RPS等离子体；向所述处理室供应所述RPS等离子体；将NF3气体作为旁路气体供应至所述处理室；在供应所述RPS等离子体的同时在所述处理室中激励原位等离子体；并且在清洁时间段期间使用所述RPS等离子体和所述原位等离子体两者清洁所述处理室
使用同时存在原位远程等离子体进行快速清洁

[发明专利]大气式等离子体清洁设备-CN200510082240.1无效
发明人：费耀祺 -专利权人：昶驎科技股份有限公司
申请日： 2005-07-01 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大气式等离子体清洁设备，其中包括：一等离子体产生模块，其于预定的参数设定下产生等离子体区域，其中该参数包括：环境压力为常压；一气体供应模块，其连通于该等离子体产生模块，以提供气体给该等离子体产生模块使用；一输送模块，其设置于该等离子体产生模块下方，用以承载至少一待清洁物至该等离子体产生模块所产生的等离子体区域，以进行该待清洁物的清洁，其中该待清洁物在经过该等离子体区域时的表面温度为50～80摄氏度；一控制模块，其至少电性连接于该等离子体产生模块、该气体供应模块及该输送模块；以及一电源供应模块，其至少电性连接于该等离子体产生模块、该输送模块及该控制模块，以提供电力来源。
大气等离子体清洁设备

[实用新型]大气式等离子体清洁设备-CN200520109191.1无效
发明人：费耀祺 -专利权人：昶驎科技股份有限公司
申请日： 2005-07-04 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： F24F3/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大气式等离子体清洁设备，其中包括：一等离子体产生模块，其于预定的参数设定下产生等离子体区域，其中该参数包括：环境压力为常压；一气体供应模块，其连通于该等离子体产生模块，以提供气体给该等离子体产生模块使用；一输送模块，其设置于该等离子体产生模块下方，用以承载至少一待清洁物至该等离子体产生模块所产生的等离子体区域，以进行该待清洁物的清洁，其中该待清洁物在经过该等离子体区域时的表面温度为50～80度；一控制模块，其至少电性连接于该等离子体产生模块、该气体供应模块及该输送模块；以及一电源供应模块，其至少电性连接于该等离子体产生模块、该输送模块及该控制模块，以提供电力来源。
大气等离子体清洁设备

[发明专利]用于在等离子体处理腔室中的原位腔室清洁效率提高的等离子体处理工艺-CN201780027736.X有效
发明人：张林;路雪松;安德鲁·V·勒;吴昌锡;鑫海·韩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式包括用于半导体基板制造工艺的等离子体处理腔室的原位腔室清洁效率提高工艺的方法。在一个实施方式中，用于在清洁等离子体工艺之后执行等离子体处理工艺的方法包括以下步骤：在没有设置在等离子体处理腔室上的基板的情况下，在等离子体处理腔室中执行清洁工艺；随后将包括至少含氢气体和/或含氧气体的等离子体处理气体混合物供应到等离子体处理腔室中；将RF源功率施加到处理腔室，以由等离子体处理气体混合物形成等离子体；和等离子体处理处理腔室的内表面。
用于等离子体处理中的原位清洁效率提高工艺

[发明专利]用于气体副产品消除和前级管线清洁的设备-CN201980028140.0在审
发明人：詹姆斯·拉赫鲁克斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：所述消除系统包括用于产生氧化等离子体的远程等离子体源，所述氧化等离子体用于处理来自在处理腔室中执行的沉积工艺的排放气体，所述处理辅助在排放冷却设备中捕获颗粒。远程等离子体源随后产生清洁等离子体，所述清洁等离子体用于处理来自在处理腔室中执行的清洁工艺的排放气体，所述清洁等离子体与排气冷却设备中的捕获颗粒反应并且清洁排气冷却设备。
用于气体副产品消除管线清洁设备

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