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[发明专利]一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法及设备-CN201110125905.8有效
发明人：谭毅;战丽姝;姜大川;顾正;邹瑞洵 -专利权人：大连隆田科技有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法，在熔炼坩埚中加热熔化造渣剂形成造渣剂熔液，并保持其液态，同时通过加料装置向水冷铜坩埚中连续加入高磷、高硼和高金属的多晶硅料，硅料在电子束轰击下熔化成硅熔液，并熔炼去除杂质磷；除磷后的低磷硅熔液导流进入到造渣剂熔液之中，在熔入的过程中，硅熔液中的杂质硼与造渣剂反应去除杂质硼，加满料后将熔炼坩埚中的熔液加热保持液态熔炼3-10分钟，定向凝固，切去硅锭顶部废渣及金属含量较高的硅块即可本发明综合利用电子束熔炼除磷、渣滤熔炼除硼及定向凝固除金属的技术去除多晶硅中的磷、硼和金属杂质，提纯效果好，生产效率高，适合批量生产。
一种电子束熔炼提纯多晶方法设备

[发明专利]一种提升PECVD路线N型TOPCon电池多晶硅活性磷掺杂浓度的方法-CN202211201121.3在审
发明人：周塘华;刘贤金;易辉;江庆;赵增超;周祥 -专利权人：湖南红太阳新能源科技有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升PECVD路线N型TOPCon电池多晶硅活性磷掺杂浓度的方法，包括以下步骤：在N型硅片表面依次生长遂穿氧化层和沉积磷掺杂浓度由内向外逐渐增加的磷掺杂非晶硅薄膜；对磷掺杂非晶硅薄膜进行晶化和磷扩散与传统工艺相比，本发明方法不仅能够有效提升晶化后多晶硅中活性磷浓度，磷扩散后多晶硅中活性磷浓度可提升到2～8×1020atoms/cm3，且表面活性磷浓度可提升到5×1020atoms/cm3以上，而且能够有效避免因高浓度掺杂而对遂穿氧化层造成破坏，在减薄多晶硅膜厚的同时也有利于改善电池传输和金属化接触，提升遂穿氧化层选择性效果和钝化效果，进而有利于有效地提升TOPCon电池效率。
一种提升 pecvd 路线 topcon 电池多晶活性掺杂浓度方法

[发明专利]一种低磷硅铁的冶炼方法-CN201810626224.1在审
发明人：胡海东;李海英;赵海勇;杨小平;兰成元;卢光发 -专利权人：青海百通高纯材料开发有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C22B4/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低磷硅铁的冶炼方法，包括在矿热炉底吹铁水包中通入压缩空气及氧气，在硅铁熔液出炉的同时不断加入混合精炼材料，直至出炉前3分钟内加完，加完混合精炼材料后对矿热炉进行堵眼，堵眼后直接由天车调运至渣池中进行扒渣处理，扒完渣后加入防回磷保护渣，同时喂加30米脱磷包芯线，喂加完毕后扒渣进行浇注。本发明低磷硅铁的冶炼方法在硅铁熔液扒完渣后加入防回磷保护渣和脱磷包芯线，生产性价比高、硅铁含磷低，具有简单易行，容易控制，产品质量稳定可靠等优点。
低磷硅冶炼硅铁熔液精炼材料包芯线保护渣矿热炉扒渣出炉脱磷压缩空气质量稳定铁水包天车浇注底吹硅铁渣池氧气生产

[发明专利]NMOS管及其制造方法-CN201811267623.X在审
发明人：陈品翰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种NMOS管，包括：在硅衬底的表面形成有P阱；在P阱表面形成有栅极结构；在栅极结构的两侧形成有凹槽；在凹槽中嵌入式外延层，嵌入式外延层包括：硅种子层，硅磷主体层，位于硅磷主体层和硅种子层之间的双屏蔽层，双屏蔽层由材料不同的第一屏蔽层和第二屏蔽层叠加而成；突出到凹槽顶部的硅盖帽层；硅磷主体层具有磷重掺杂的结构，双屏蔽层用于减少嵌入式外延层的磷向周侧的P阱中外扩的数量从而减少并防止外扩的磷对的沟道的影响
双屏蔽层嵌入式外延层主体层硅磷栅极结构种子层第一屏蔽层短沟道效应凹槽顶部表面形成硅盖帽层硅衬底稳定度重掺杂屏蔽沟道外扩制造

[发明专利]磷掺杂硅碳复合材料及其制备方法、及二次电池-CN202310849365.0在审
发明人：傅拽;郑安华;余德馨;傅儒生;仰韻霖 -专利权人：广东凯金新能源科技股份有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技术领域，公开了一种磷掺杂硅碳复合材料及其制备方法、及二次电池。磷掺杂硅碳复合材料包括内核和外层。内核包括磷掺杂纳米硅颗粒和具有孔结构的碳骨架，至少部分孔结构中设置有磷掺杂纳米硅颗粒。外层包括碳包覆层。制备方法包括步骤(I)：将具有孔结构的碳骨架置于气相沉积反应器内，通入保护性气体，维持搅拌状态和加热，将气态磷源和气态硅源通入气相沉积反应器内和碳骨架进行气相沉积反应得复合颗粒。本发明的磷掺杂硅碳复合材料具有优异的电化学性能，且可缓解硅的体积膨胀，减小应力对材料及电极结构的破坏。
掺杂复合材料及其制备方法二次电池

[发明专利]一种含磷-硅聚合物的阻燃室温硫化硅橡胶组合物及其制备方法-CN201410185883.8有效
发明人：张志杰;郭胜立;谭永霞;费华峰;高希银;谢江;谢择民 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C08L83/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种含磷-硅聚合物的阻燃室温硫化硅橡胶组合物及其制备方法。所述组合物由下述质量份的原料组成：聚有机硅氧烷100质量份，交联剂0.1-20质量份，无机填料10-40质量份，补强剂10-100质量份，磷-硅聚合物0.1-20质量份，其中磷-硅聚合物，其结构式如式I所述磷-硅聚合物与无机填料配合使用阻燃效果良好且无卤环保，达到同等阻燃等级情况下可减少无机填料的用量，所述磷-硅聚合物本身对体系的固化起到催化作用，无需额外的催化剂；所述磷-硅聚合物的添加量少，对力学性能的影响较小
一种聚合物阻燃室温硫化硅橡胶组合及其制备方法

[发明专利]一种含高聚磷纳米硅浆料的制备方法及其应用-CN201310194633.6有效
发明人：沈晓东;成汉文;钟朝伟;杨小旭;万剑 -专利权人：苏州金瑞晨科技有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种含高聚磷纳米硅浆料的制备方法及其应用，制备方法包括以下步骤：1）制备直径为10-100纳米的硅微粒；2）制备含磷组合物；3）将步骤1和步骤2制得的硅微粒和含磷组合物在公转-自传设备中通入保护气氛下混合，得到的含磷纳米硅浆料的粘度在0.5PaS–18.0PaS。将制得的含磷纳米硅浆料通过丝网印刷到电池硅片表面，线条清晰度高，无毛刺，能对硅片进行选择性掺杂并形成高、低掺杂区。
一种含高聚磷纳米浆料制备方法及其应用

[发明专利]铁水的脱磷处理方法-CN201480041967.2有效
发明人：根岸秀光;川畑凉;石毛俊朗;渡边敦 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： C21C1/02 文献下载
摘要：在对转炉型精炼炉内的铁水进行脱磷处理时，根据由顶吹喷枪供给的氧气供给量对由顶吹喷枪供给的脱磷用熔剂的供给量进行适当调整，从而高效地进行脱磷反应。由顶吹喷枪(5)向转炉型精炼炉(2)内的铁水(18)喷吹氧气，同时向氧气与铁水的碰撞面喷吹CaO系脱磷用熔剂(20)，利用氧气将铁水中的磷氧化，将生成的磷氧化物引入到CaO系脱磷用熔剂中，由此将铁水中的磷除去，所述脱磷处理方法中，将供给至炉内的氧气中除脱硅反应中使用的部分以外的氧气定义为脱硅外氧量(kg/铁水‑吨)时，以使由顶吹喷枪喷吹添加到铁水浴面的CaO系脱磷用熔剂中的CaO量(kg/铁水‑吨)与所述脱硅外氧量的比[CaO量/脱硅外氧量]小于0.90的方式，根据脱硅外氧量对CaO系脱磷用熔剂的添加量进行调整。
铁水处理方法

[发明专利]一种富硅渣制备复合硅肥的方法-CN202310444832.1在审
发明人：李会泉;朱干宇;孟子衡;郑光明;李防;颜坤;贺雷;习本军 -专利权人：中国科学院过程工程研究所;宜都兴发化工有限公司;湖北三峡实验室
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C05G3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种富硅渣制备复合硅肥的方法，所述富硅渣是在磷石膏生产过程中产生的；首先对富硅渣进行水洗，除去可溶性氟；再加入电石渣、氢氧化钙、氧化钙等碱性组分进行氟的固定；处理后富硅渣与水玻璃、聚丙烯酰胺、高吸水树脂、羧甲基淀粉、羧甲基纤维素钠等粘合剂，按照一定比例进行混合，再进行造粒制备得到颗粒状复合硅肥；所述复合硅肥中有效硅含量为25％以上，有效磷含量为0.2％以上，钾含量为0.3％以上且不含可溶氟。本发明所述方法实现了磷石膏分离得到的富硅渣的资源化利用，提高了磷石膏净化整体工艺的经济性，有利于磷石膏净化工艺的推广。
一种富硅渣制备复合方法

[发明专利]一种硅氮磷三者协同阻燃环氧树脂-CN200910112763.4无效
发明人：戴李宗;谢聪;郭一宾;林苏娟;许一婷 -专利权人：厦门大学
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： C08G59/30 文献下载
摘要：一种硅氮磷三者协同阻燃环氧树脂，涉及一种环氧树脂，提供一种硅氮磷三者协同阻燃环氧树脂。其组成为含硅环氧单体、环氧树脂及固化剂。按质量百分比，含硅环氧单体为环氧树脂的10％～100％；固化剂用量与含硅环氧单体和环氧树脂混合体系中的环氧当量为化学计量比。所述含硅环氧单体为含硅缩水甘油基单体，化合物名称为二甲基二间缩水甘油醚氧基苯氧基硅烷，环氧树脂为常用环氧树脂，固化剂为含磷氮固化剂。将含硅环氧单体与普通环氧树脂混合后，再用含磷氮固化剂固化，得到了硅磷氮协同阻燃的环氧固化体系。
一种硅氮磷三者协同阻燃环氧树脂

[发明专利]连续熔炼去除多晶硅中磷和硼的方法及装置-CN200910220059.0无效
发明人：谭毅;董伟;李国斌;姜大川 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用电子束熔炼技术将多晶硅中的杂质磷和硼去除的方法。该方法使用两把电子枪发射电子束分别对多晶硅进行熔炼，同时采用双重工艺去除多晶硅中的磷和硼，首先去除多晶硅中杂质磷，将低磷的多晶硅进一步熔炼蒸发除硼，收集蒸发到沉积板上的低磷低硼的多晶硅的方法。本发明有效提高了多晶硅的纯度，达到了太阳能级硅的使用要求，其提纯效果好，技术稳定，效率高。
连续熔炼去除多晶硅中磷方法装置

[发明专利]一种磷硅阻燃非增强PA66复合材料及其制备方法-CN201711457976.1在审
发明人：谢国元;王圣武;欧正清 -专利权人：南京鸿瑞塑料制品有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： C08L77/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷硅阻燃非增强PA66复合材料及其制备方法，磷硅阻燃非增强PA66复合材料，其原料组分包括：PA66 45‑55份，PA6 35‑45份，阻燃剂10‑15份,抗氧剂0.1‑0.2份，表面处理剂0.1‑0.2份，磷硅阻燃剂为具有笼状七苯基三硅磷倍半硅氧烷结构的阻燃剂，前述份数为质量份数。本发明磷硅阻燃非增强PA66复合材料，在保证材料力学性能不下降的基础上，提高材料的阻燃性能以及相对漏电起痕指数。
一种阻燃增强 pa66 复合材料及其制备方法

[实用新型]开关器件-CN201922192734.5有效
发明人： A·阿诺 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种开关器件，其包括第一磷掺杂硅层，第一磷掺杂硅层在第二砷掺杂硅层的顶部上并且与第二砷掺杂硅层接触。
开关器件

[发明专利]一种冶金级多晶硅掺磷吸杂的方法-CN201510129336.2在审
发明人：苏旭平;宋媛媛;王俊文;刘亚;曹达纯;王建华 -专利权人：常州大学
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种冶金级多晶硅生产过程中通过掺磷实现吸杂目的的方法，主要技术方案为：将掺磷后的冶金级多晶硅置于赤磷熔点以下温度300～590℃退火0.5～5小时，使磷在冶金级多晶硅中分布均匀，然后将冶金级多晶硅置于该方法利用磷在高温半导体内部的扩散，硅晶体中的硅-自间隙原子增多，为金属杂质从替代位置移动到间隙位置提供条件，从而加快金属杂质的扩散。最终，在退火过程中，使金属杂质从位错、晶界等晶体缺陷处释放，并扩散到冶金级多晶硅表面而被捕获，最终到达吸杂的目的。本发明提供的一种冶金硅磷吸杂方法，掺磷吸杂效果较好、工艺较简单、成本较低，适合于工业化生产。
一种冶金多晶硅掺磷吸杂方法

[发明专利]一种含磷硅阻燃剂及其制备方法-CN201910450522.4有效
发明人：王标兵;乔艺卉 -专利权人：常州大学
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C08L83/08 文献下载
摘要：本发明属于有机化合物合成领域，具体公开了一种含磷硅阻燃剂及其制备方法。本发明所公开的含磷硅阻燃剂的制备方法如下：将苯基磷酰二氯与端羟基硅油反应，通过取代苯基磷酰二氯的两个氯原子，制备出新型无卤高效含磷硅阻燃剂。本发明提供的含磷硅阻燃剂的制备方法，操作简单，合成条件温和，成本较低，产品产率较高。将制得的阻燃剂添加到聚碳酸酯中，垂直燃烧测试可以达到UL94 V‑0级。
一种含磷硅阻燃及其制备方法