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[发明专利]烷类气体的净化设备的研制-CN200510093103.8无效
发明人：赵贤和 -专利权人：北京微纳捷通经贸有限公司
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： B01D53/04 文献下载
摘要：本发明涉及在镓－铟合金中加入某种特殊活性物质，该活性物质对砷烷、磷烷、硅烷和硼烷等多种特气中有害痕量杂质氧、水和二氧化碳等具有强烈的“吸附”，而对主体的砷烷、磷烷、硅烷和硼烷等多种特气无任何化学反应。以该活性物质为主要手段，配合其他吸附剂、过滤器、阀门、管道、接头、流量计、和真空泵和电气(温度和压力)控制等装配成用于电子工业的砷烷、磷烷、硅烷和硼烷等多种特气的净化装置。
气体净化设备研制

[发明专利]锂储能装置-CN201280020896.9无效
发明人： A·S·贝斯特;G·H·莱恩 -专利权人：联邦科学与工业研究组织;蒙纳什大学
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01M10/056 文献下载
摘要：本发明提供了一种锂储能装置，包括：至少一个正极；至少一个负极；以及包括阴离子、阳离子反离子及锂迁移离子的离子性液体电解质，其中，该阴离子包括具有至少一个腈基的氮、硼、磷、砷或碳阴离子基团，该腈基与阴离子基团内的氮、硼、磷、砷或碳原子配位。
锂储能装置

[发明专利]一种测定四氟化硅气体中杂质磷、硼、砷含量的方法-CN201810012631.3在审
发明人：唐安江;张丹辉;韦德举;黄崇;张妙鹤;蒋东海;魏娴;唐石云;仇伟;吴承燕 -专利权人：贵州理工学院
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种测定四氟化硅气体中杂质磷、硼、砷含量的方法，其特征在于包括如下步骤；配制NaOH吸收液；将经浓硫酸吸收、含有沸石的浓硫酸吸收、浓硫酸吸收、浓硫酸吸收净化后的SiF4通入盛装前述NaOH吸收液的吸收瓶；控制SiF4气体的吸收量得到测试样品，并测定吸收的SiF4气体重量；用电感耦合等离子体原子发射光谱法分析气体中的磷、硼、砷含量。
一种测定氟化气体杂质含量方法

[发明专利]硅烷、磷烷、砷烷或硼烷气体提纯吸附剂及其制备方法-CN200810136946.5无效
发明人：王少志 -专利权人：王少志
申请日： 2008-08-15 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： B01J20/02 文献下载
摘要：硅烷、磷烷、砷烷或硼烷气体提纯吸附剂及其制备方法，它涉及一种气体提纯吸附剂及其制备方法。它解决了目前采用钯粉吸附剂对硅烷、磷烷、砷烷或硼烷气体中的杂质气体去除率低，还需要进一步协助分解的问题。制备方法：在氢气存在下将氢气与三甲基铝的混合汽体喷涂于温度为600～650℃的载体表面，即得到硅烷、磷烷、砷烷或硼烷气体提纯吸附剂。
硅烷磷烷气体提纯吸附剂及其制备方法

[发明专利]反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作方法-CN202010166234.9有效
发明人：张志向;邓春茂 -专利权人：天水天光半导体有限责任公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：本发明是一种反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作方法，步骤为：a、衬底硅片清洗b、初始氧c、埋层光d、注入砷e、砷退火f、漂片g、清洗：h、初始氧化i、下隔离光刻j、注入硼，k、下隔离推结m、漂片n、清洗o、外延，P、衬底硅片清洗Q、初始氧化R、上隔离光刻T、硼扩散U、隔离扩散V、漂硼硅玻璃W、清洗X、氧化Y、N+光刻Z、清洗AA、磷扩散BB、磷再扩散CC、P+环光刻DD、硼离子注入EE、退火FF
反向电压 40 60 整流电路集成制作方法

[发明专利]烯烃聚合物的制造方法-CN200410089866.0有效
发明人：中山康;金子英之;板东秀树;园部善穗;斋藤纯治;古城真一;三谷诚;铃木靖彦;松居成和;柏典夫;藤田照典 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2002-02-21 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： C08F10/00 文献下载
摘要：本发明提供了即使不与价格昂贵的有机铝氧化物或有机硼化合物组合使用也能显示高的烯烃聚合活性、在长时间的聚合过程中可以保持高的活性的催化剂和烯烃聚合物的制造方法。烯烃聚合物的制造方法是在含有以下组分的烯烃聚合催化剂存在下使烯烃均聚或共聚：(A)含有2个以上选自硼、氮、氧、磷、硫和硒的原子的过渡金属化合物或镧系元素化合物，(B)磷钒酸、锗钒酸、砷钒酸、磷铌酸、锗铌酸、硅钼酸、硅钨酸、磷钼酸、钛钼酸、锗钼酸、砷钼酸、锡钼酸、磷钨酸、锗钨酸、锡钨酸、磷钼钒酸、磷钨钒酸、锗钨钒酸、磷钼钨钒酸、锗钼钨钒酸、磷钼钨酸、磷钼铌酸的有机盐；(E)有机铝化合物。
烯烃聚合物制造方法

[发明专利]多晶硅太阳能电池-CN200780044783.1有效
发明人： E·厄尼巴克;K·彼得;B·拉比;R·特朗斯塔德 -专利权人：埃尔凯姆太阳能公司
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：硅晶片含有0.2-2.8ppma的硼和0.06-2.8ppma的磷和/或砷且已经在高于925℃的温度下进行了磷扩散和磷吸杂。本发明还涉及到这种多晶硅晶片的制造方法和包括这种硅晶片的太阳能电池。
多晶太阳能电池

[发明专利]用于制造光伏电池的方法-CN202080060011.2在审
发明人：拉斐尔·卡巴尔;伯纳黛特·格朗热 -专利权人：原子能和替代能源委员会
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：所述方法包括以下步骤：a)设置一结构，所述结构包括：‑基于结晶硅的衬底(1)；‑第一介电层(2)，其包括硼原子，并形成于所述衬底(1)的第一表面(10)上；‑隧道氧化物膜(3)，其形成于所述衬底的第二表面(11)上；‑多晶硅层(4)，其形成于所述隧道氧化物膜(3)上；‑第二介电层(5)，其包括磷和/或砷原子，并形成于所述多晶硅层(4)上；b)对所述结构施加热处理，以便：‑使得所述硼原子扩散到所述衬底(1)的第一表面(10)之下，以形成第一掺杂半导体区域(100)；‑使得所述磷和/或砷原子扩散到多晶硅层(4)中，以掺杂所述多晶硅层(4)。
用于制造电池方法

[发明专利]高能量可充电电化学电池,非水电解质-CN00816048.1无效
发明人： D·奥尔巴赫;Y·高弗;A·沙驰特;中华鲁;C·吉兹巴 -专利权人：巴艾兰大学
申请日： 2000-10-17 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： H01M6/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于电化学电池的非水电解质，包括(a)至少一种有机溶剂；(b)至少一种由下述通式表示的电解活性盐M'+m(ZRnXq－n)m，其中M’是从由镁、钙、铝、锂和钠构成的组中选出的；Z是从铝、硼、磷、锑和砷构成的组中选出的；R代表从下述基中选出的基团烃基、烯基、芳基、苯基、苄基和酰氨基；X是卤素(I，Br，Cl，F)；m＝1－3；在Z＝磷、锑和砷的情况下，n＝0－5和q＝6，在Z＝铝和硼的情况下
高能量充电电化学电池水电

[发明专利]氧化砷中去除硒、硼杂质的工艺方法-CN201310222456.8有效
发明人：周斌;金杰;罗学文;罗亮 -专利权人：江西海宸光电科技有限公司
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： C01G28/00 文献下载
摘要：氧化砷中去除硒、硼杂质的工艺方法，是一种制备无硒、无硼的氧化砷的工艺方法，根据原料的不同，具体的步骤也不同，分别以低纯度工业单质砷和低纯度工业氧化砷为原料，制备出无硒、硼杂质的氧化砷，为三氯化神精馏和氧化砷蒸馏提纯制备高纯度单质砷提供无硒无硼的氧化砷原料
氧化去除杂质工艺方法

[发明专利]多晶硅-CN201210563223.X在审
发明人：罗伯特·鲍曼;罗伯特·赫尔茨尔;米夏埃尔·魏克塞尔加特纳 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供了多晶硅，所述多晶硅具有以下掺杂剂浓度：1-10ppta的硼、1-20ppta的磷、1-10ppta的砷、0.01-1ppta的铝，并且具有至少2000且至多4500μs的载流子寿命。
多晶

[发明专利]多金属氧化物组合物-CN95100803.X无效
发明人： F·G·马丁;H·P·努曼;H·希布斯特 -专利权人： BASF公司
申请日： 1995-02-17 - 公布日： 1995-10-11 - 主分类号： B01J27/14 文献下载
摘要：本发明涉及多金属氧化物组合物，它们具有两相结构并包含钼，氢，一个或多个元素磷、砷、硼、锗和硅；并涉及所述组合物在通过气相催化氧化制备甲基丙烯酸方面的用途。
金属氧化物组合

[发明专利]多金属氧化物组合物-CN95100802.1无效
发明人： F·G·马丁;H·希斯特;A·田滕 -专利权人： BASF公司
申请日： 1995-02-17 - 公布日： 1995-10-11 - 主分类号： B01J27/14 文献下载
摘要：本发明涉及多金属氧化物组合物，它们具有两相结构并包含钼，氢，一个或多个元素磷、砷、硼、锗和硅以及铜，还涉及所述组合物在通过气相催化氧化制备甲基丙烯酸方面的用途。
金属氧化物组合

[发明专利]耐久性优异的等离子体蚀刻用硅电极板-CN200580010006.6有效
发明人：藤原秀树;池泽一浩;田口裕章;岩元尚文;石井利升;米久孝志 -专利权人：株式会社上睦可;三菱麻铁里亚尔株式会社
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种耐久性优异的等离子体蚀刻用硅电极板，它是由按原子比含有3－11ppba的硼、还含有总量为0.5－6ppba的磷和砷中的一种或两种的硅单晶制成的。
耐久性优异等离子体蚀刻用硅电极板

[发明专利]一种砷化硼粉体的制备方法-CN202211001821.8在审
发明人：白利忠;王超男 -专利权人：山西工程技术学院
申请日： 2022-08-20 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C01B35/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化硼粉体的制备方法，涉及砷化硼粉体的制备领域。该方法包括如下步骤：清洗坩埚，将坩埚进行超声处理后烘干备用；将碱土金属EA、砷酸硼和熔盐介质混合均匀，放置到坩埚中；根据反应式BAsO4+4EA=BAs+4EA(O)来还原砷酸硼BAsO4，将坩埚放入反应炉中，通入氩气保护气体升温至700~900℃并保温1~5h；将步骤二中得到的样品在室温下用浓盐酸浸泡，并水浴加热后进行保温，然后用去离子水洗涤至中性，球磨并干燥后得到砷化硼粉体。本发明无需高压或复杂的设备，在短时间内能够以简单经济的方式提供砷化硼，克服了现有技术方法的缺陷；可用于制备砷化硼靶材以及用于物理气相法制备砷化硼单晶薄膜材料；降低了制备砷化硼单晶材料的难度。
一种砷化硼粉体制备方法

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