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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

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F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磊晶晶片的制造方法及磊晶晶片-CN200580045209.9无效
发明人：高见泽彰一;佐山隆司 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2005-11-30 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种制造磊晶晶片的方法，至少包含以下的步骤：在具有初期厚度的磊晶用基板的表面上，使磊晶层生长至比最后目标磊晶层的厚度更厚的步骤(D)；对前述已生长的磊晶层进行平面磨削而平坦化的步骤(G)；以及研磨经前述平面磨削后的磊晶层的步骤优选是使用TTV(表示平坦度)为2微米以下的基板作为磊晶用基板，使磊晶层生长后，进一步含有：磨削该基板的斜角部的步骤(E)和研磨该经磨削的斜角部的步骤(E)。由此，可以提供一种技术，即使具有较厚的磊晶层时，亦能够以高生产力且低成本地制造磊晶层厚度均匀性优良的磊晶晶片。
晶片制造方法

[发明专利]磊晶元件的制作方法-CN201010558982.8有效
发明人：武东星;洪瑞华 -专利权人：萧介夫
申请日： 2010-11-25 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种磊晶元件的制作方法：先在磊晶用基板上形成牺牲膜；再将牺牲膜定义出牺牲结构，并在移除牺牲膜的部分结构时使基板裸露出的区域具有多个彼此相连接的凸部与凹部；接着在牺牲结构与凸部向上磊晶形成底面与所述凹部形成间隙的磊晶层体；然后自磊晶层体上形成导电基材，之后将导电基材、磊晶层体定义出多个磊晶元件的图样流道；最后经图样流道与间隙蚀刻移除牺牲结构并让磊晶元件与基板分离，得到多个磊晶元件。
元件制作方法

[发明专利]磊晶基板及液相磊晶生长方法-CN200710139910.8有效
发明人：樋口晋;川崎真 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2007-08-03 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种磊晶基板，是通过液相磊晶生长方法在基板上层积磊晶层而成的磊晶基板，其层积在上述基板上的磊晶层中的碳浓度轮廓，与基于由碳制成的用以保持溶剂的治具供给而得到的碳浓度的±50％的浓度轮廓交叉。由此，可以提供一种磊晶基板及液相磊晶生长方法，该磊晶基板具有被调整后的任意的碳浓度轮廓，而不是通过治具的自动掺杂所产生的固定的碳浓度轮廓。
磊晶基板液相磊晶生长方法

[发明专利]金属化穿透孔结构及其制造方法-CN201510169138.9有效
发明人：花长煌;卓宜德;陈家豪 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种金属化穿透孔结构及其制造方法，金属化穿透结构的制造方法包括：以可蚀刻磊晶结构而无法蚀刻化合物半导体基板的蚀刻介质自磊晶结构的上表面蚀刻基板之上的磊晶结构以形成磊晶凹槽，使蚀刻自动终止于基板；在磊晶结构之上以及磊晶凹槽的内表面形成正面金属层；以可蚀刻基板而无法蚀刻磊晶结构及正面金属层的蚀刻介质自基板的下表面蚀刻基板以形成基板凹槽，其中基板凹槽的底部与该磊晶凹槽的底部至少部分相接触，使蚀刻自动终止于磊晶结构及正面金属层或自动终止于正面金属层；以及在基板之下以及基板凹槽的内表面形成背面金属层，使该背面金属层与正面金属层相接触；从而大幅缩小正面金属层的面积，在应用时可大幅缩小元件的大小。
金属化穿透结构及其制造方法

[发明专利]磊晶用碳化硅基板及半导体芯片-CN201710812888.2有效
发明人：吴耀铨;陈柏霖;吴佩瑜;郭彦廷;庄志远;刘哲铭;施英汝;李奇泽 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明提供一种磊晶用碳化硅基板及半导体芯片，其中碳化硅基板具有一表面及自所述表面凸起形成的多个图案化结构，所述表面的晶面为(0001)面；所述图案化结构的宽度由下往上逐渐减小且形成倾斜的至少一侧面，侧面的晶面为碳化硅基板的顶部设置有一氮化镓磊晶层以构成所述半导体芯片。因此，氮化镓磊晶层的底部形成侧向延伸的差排缺陷，不易形成往上延伸的穿透差排缺陷，让氮化镓磊晶层具有良好的磊晶品质。
磊晶用碳化硅半导体芯片

[发明专利]制作氮化镓系基板的方法-CN200710139135.6无效
发明人：陈政权 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2007-07-26 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制作氮化镓系基板的方法，先进行准备步骤准备一块磊晶成长氮化镓系材料的磊晶基板，接着以凸块形成步骤自磊晶基板向上形成多个呈现间隔散布且主要由氮化镓系材料构成的凸块，再以横向磊晶步骤自凸块端部横向磊晶成长形成一层基础层，然后以增厚步骤累积增厚基础层至不小于500μm而成该氮化镓系基板，最后以温度变化步骤，自实施增厚步骤的温度范围降温而使该氮化镓系基板与磊晶基板释出热应力进而破坏该多个凸块的墩部，进而直接分离磊晶基板与氮化镓系基板，得到厚度在500μm以上的氮化镓系基板。
制作氮化镓系基板方法

[发明专利]双向静电放电保护装置-CN202010917519.1在审
发明人：陈致维;林昆贤 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向静电放电保护装置，其包含重掺杂半导体基板、第一半导体磊晶层、第二半导体磊晶层、重掺杂区与轻掺杂区。基板、重掺杂区与轻掺杂区为第一导电型，磊晶层为第二导电型。第一半导体磊晶层与第二半导体磊晶层依序设在基板上，重掺杂区与轻掺杂区设在第二半导体磊晶层中。轻掺杂区覆盖重掺杂区的角落，重掺杂半导体基板与第一半导体磊晶层之间的接口的崩溃电压对应第二半导体磊晶层与重掺杂区之间的接口的崩溃电压。
双向静电放电保护装置

[发明专利]LED磊晶结构及制程-CN201110041286.4无效
发明人：凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种LED磊晶结构及制程，包括一个基板、一个缓冲层以及一个磊晶层。所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述磊晶层成长在所述缓冲层的表面。所述磊晶层具有一个第一N型磊晶层以及一个第二N型磊晶层。所述第一N型磊晶层形成在所述缓冲层与所述第二N型磊晶层之间，所述第一N型磊晶层具有多数不规则空气孔洞。本发明并提供制造所述LED磊晶结构的制程。
led 结构

[发明专利]单色LED复合面板显示模组制造方法-CN201410816681.9有效
发明人：严敏;程君;周鸣波 -专利权人：环视先进数字显示无锡有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：本发明涉及一种单色LED复合面板显示模组及其制造方法，该方法包括：在复合单色LED磊晶基板上制备共晶电极；所述复合单色LED磊晶基板包括磊晶基板和在磊晶基板上磊晶生长的单色LED；所述多个单色LED之间由晶片切割槽隔离，所述晶片切割槽内填充有SiO2；制备金属化电子线路；所述金属化电子线路与所述共晶电极相连通；对所述复合单色LED磊晶基板的衬底进行研磨减薄；将减薄后的复合单色LED磊晶基板的衬底侧与透明面板贴合，并根据所需尺寸进行边缘切割
单色 led 复合面板显示模组及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201010513624.5有效
发明人：黄世晟;凃博闵;杨顺贵;黄嘉宏 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种发光二极管，其包括一基板及生长于该基板上的若干磊晶结构，这些磊晶结构之间互不连接，以减小磊晶结构生长过程中的应力累积。一种发光二极管的制造方法，包括如下步骤：提供一基板；利用微影技术在基板的其中一表面上制造出图案化的阻挡层区域；对阻挡层区域进行氧化或氮化处理，以使基板对应阻挡层区域的部分被氧化或氮化形成一阻挡层；在基板上的该表面上生长磊晶结构，磊晶结构于阻挡层处不生长而使得基板的该表面上形成若干间隔的磊晶结构。与现有技术相比，本发明的发光二极管在基板上生长多个互不连接的磊晶结构，以减少在基板上生长一整片磊晶结构所带来的应力累积。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管结构-CN201810338770.5有效
发明人：黄逸儒;罗玉云;吴志凌;黄靖恩;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构，包括基板、半导体磊晶层以及反射导电结构层。半导体磊晶层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN201810339557.6有效
发明人：黄逸儒;罗玉云;吴志凌;黄靖恩;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构，包括基板、半导体磊晶层以及反射导电结构层。半导体磊晶层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN201810339712.4有效
发明人：黄逸儒;罗玉云;吴志凌;黄靖恩;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构，包括基板、半导体磊晶层以及反射导电结构层。半导体磊晶层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。
磊晶层基板半导体发光二极管结构导电结构层反射暴露覆盖配置

[发明专利]具有纳米结构的磊晶基板及发光二极管的制作方法-CN201110349563.8有效
发明人：罗信明;许世昌 -专利权人：兆鑫光电科技股份有限公司
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种具有纳米结构的磊晶基板制作方法，包含一阻挡层形成步骤，于该磊晶基板的表面形成一由多个氧化锌纳米颗粒构成的阻挡层，一蚀刻步骤，以该阻挡层为蚀刻屏蔽，利用干式蚀刻方式蚀刻该磊晶基板未被该阻挡层遮蔽的表面，于该磊晶基板形成具有与该阻挡层的氧化锌纳米颗粒所形成的图案对应的纳米结构，及一移除步骤，将该阻挡层自该磊晶基板表面移除，即可完成该具有纳米结构的磊晶基板制作。
具有纳米结构磊晶基板发光二极管制作方法

[发明专利]LED磊晶结构-CN201110181775.X无效
发明人：林雅雯;黄世晟;凃博闵;黄嘉宏;杨顺贵 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种LED磊晶结构，包括一个基板、一个缓冲层以及一个磊晶层。所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述磊晶层成长在所述缓冲层的顶面。所述磊晶层包括一个第一N型磊晶层以及一个第二N型磊晶层，所述第一、二N型磊晶层之间形成一个阻挡层，所述阻挡层具有图型化沟槽设置，使所述第一、二N型磊晶层通过所述沟槽接触连接。所述第二N型磊晶层上依序成长一个发光层、一个P型磊晶层以及一个导电层。本发明并提供所述LED磊晶结构的制程。
led 结构

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