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[发明专利]一种碳化硅纳米晶须的制备方法-CN201810250890.X有效
发明人：陈照峰;王雨珂 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-03-17 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅纳米晶须的制备方法，以蔗糖水和纳米硅粉为原料，在180℃～250℃温度下水热反应10～48h形成混合溶液，冷却至室温后，过滤、洗涤并烘干，制得碳化硅纳米晶须前驱体；然后在1000～1500℃并保温3～5h，制得含有杂质的碳化硅纳米晶须；再将含有杂质的碳化硅纳米晶须在400～600℃于空气气氛下煅烧0.5～2h；最后将纳米晶须浸渍于氢氟酸/盐酸混酸中，然后经过过滤、洗涤、烘干，制得碳化硅纳米晶须本发明具有污染小、反应条件温和、无需催化剂、所得碳化硅纳米晶须线性好，纯度高等优点。
一种碳化硅纳米制备方法

[发明专利]一种有序无序SiC纳米线/晶须结构体及其制备方法-CN202010058459.2在审
发明人：胡建宝;祝泉;董绍明;杨金山;张翔宇;丁玉生;高乐 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C04B35/569 文献下载
摘要：本发明涉及一种有序无序SiC纳米线/晶须结构体及其制备方法，所述有序无序碳化硅纳米线/晶须结构体的制备方法包括：（1）选用增材制造方式，实现一维碳化硅纳米线/晶须定向有序排列，得到有序结构体；（2）通过催化原位生长方式，在所得有序结构体上实现非定向无序碳化硅纳米线/晶须结构的生长，得到所述有序无序碳化硅纳米线/晶须结构体。
一种有序无序 sic 纳米结构及其制备方法

[发明专利]碳化硼‑碳化硅晶须增韧高强度铜基复合材料的制备方法-CN201610473934.6有效
发明人：徐淑波;廖雪;闻萍;李胜鹏 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： C22C47/14 文献下载
摘要：本发明属于有色金属复合材料领域，尤其是一种采用纳米碳化硼‑碳化硅晶须来增韧高强度铜基复合材料的方法。原位生成碳化硼‑碳化硅晶须增韧高强度铜基复合材料粉末由高强度铜基复合基体材料粉末和纳米碳化硼‑碳化硅晶须粉末组成，采用机械混合法使高强度铜基复合基体粉末与纳米碳化硼‑碳化硅晶须粉末均匀混合，真空烧结热压锭通过挤压变形获得原位生成纳米碳化硼‑碳化硅晶须增韧高强度铜基复合材料。本发明因原位生成纳米碳化硼‑碳化硅晶须增韧铜基复合材料具有强韧性，同时耐磨性、强度显著提高，尤其适合于高速铁路高强度电缆、高端装备制造业等。尤其适合于刀具、模具和航空航天等材料的应用。
碳化碳化硅晶须增韧高强度复合材料制备方法

[发明专利]一种利用晶硅切割废砂浆制备碳化硅纳米晶须的方法-CN201710661415.7有效
发明人：向道平;曹月 -专利权人：海南大学
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C30B1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用晶硅切割废砂浆制备碳化硅纳米晶须的方法；该方法将晶硅切割废砂浆和有机溶剂混合搅拌，过滤得到固体废料；将所述固体废料烘干，研磨得到原料粉体；将植物纤维通过超声法清洗干净并烘干；将原料粉体与处理后所得植物纤维放在放电等离子系统中，控制温度为1100～1600℃，通过惰性气体控制压强为100～800Pa，反应10～40min，制得碳化硅纳米晶须并获得碳化硅磨料。本发明简化了晶硅切割废砂浆传统回收方法中对硅与碳化硅分别提取的复杂工艺过程，且使得晶硅切割废砂浆能够直接制备碳化硅纳米晶须；本发明在制得碳化硅纳米晶须的同时还获得碳化硅磨料。
一种利用切割砂浆制备碳化硅纳米方法

[发明专利]一种合成纳米碳化硅晶须的方法-CN201310023612.8有效
发明人：丁念勇;张念椿 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种合成纳米碳化硅晶须的方法，该方法包括以下步骤：将纳米微晶纤维素水溶液加热至25-70℃，加入酸性催化剂，混匀；将含硅化合物溶解于无水乙醇中，然后滴入到上述的混合溶液中，25-90℃下反应3-6小时；将所得的产物离心，取沉淀物；将沉淀在氩气氛围下加热至900-1200℃，维持0.5-15小时，得到纳米碳化硅晶须。本发明合成纳米碳化硅晶须的工艺简单，所得纳米碳化硅晶须具有较好的单分散性，得到的产物粒径大小均一；通过改变纳米微晶纤维素、酸催化剂和硅源的比例可以合成出不同粒径大小的纳米碳化硅晶须，将纳米碳化硅晶须应用于金属基
一种合成纳米碳化硅方法

[发明专利]一种碳化硅/石墨烯复合纳米森林薄膜材料及其制备方法与应用-CN201910917445.9有效
发明人：涂溶;孙清云;章嵩;张联盟 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅/石墨烯复合纳米森林薄膜材料及其制备方法与应用，所述薄膜材料由碳化硅/石墨烯纳米晶须密集生长于衬底表面得到，所述碳化硅/石墨烯纳米晶须由层数为2～3层的石墨烯外延生长于碳化硅晶须表面得到，碳化硅/石墨烯纳米晶须之间具有连贯的孔隙结构，形成“纳米森林”形貌的薄膜材料。本发明提供的碳化硅/石墨烯复合纳米森林薄膜材料具有导电率高、比表面积大、物理化学性质稳定的特性，使负极材料双层电容大幅度提高，显示出良好的倍率性能和循环稳定性。
一种碳化硅石墨复合纳米森林薄膜材料及其制备方法应用

[发明专利]一种碳化硅纳米晶须及制备方法和应用-CN202310859250.X在审
发明人：杨达伟;姚瑶;汪进锋;杨明圣;陈俊;黄科文 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司珠海供电局
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本申请属于碳化硅晶须材料技术领域，尤其涉及一种碳化硅纳米晶须及制备方法和应用；本申请提供的碳化硅晶须材料在还原热处理过程中利用还原的过渡金属纳米粒子将有机硅树脂催化裂解，合成了纳米β‑SiC晶须，一锅法合成工艺简单，有机硅树脂容易转化，纳米β‑SiC晶须产率和纯度高，且通过铁钴镍纳米粒子协同可以使纳米β‑SiC晶须产率达到91％，从而解决现有技术中无法直接制备得到纳米β‑SiC，制备工艺复杂的技术问题。
一种碳化硅纳米制备方法应用

[发明专利]β型碳化硅晶须/纳米壳聚糖高强度抗菌乳胶膜的制备方法-CN201710971931.X在审
发明人：陈晰;胡志彪;张著森 -专利权人：龙岩学院
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： C08L7/02 文献下载
摘要：本发明公开了β型碳化硅晶须/纳米壳聚糖高强度抗菌乳胶膜的制备方法，包括将β型碳化硅晶须和纳米壳聚糖加入天然胶乳中制备成β型碳化硅晶须/纳米壳聚糖天然复合胶乳，将β型碳化硅晶须和纳米壳聚糖加入氢化丁腈胶乳中制备成β型碳化硅晶须/纳米壳聚糖氢化丁腈胶乳复合胶乳，将两种复合胶乳混合均匀并过滤后将滤液倒入带有边框的玻璃板上干燥成膜，所成的膜进行硫化处理即可。本发明利用两种复合胶乳进行优势互补，并将具有超高力学强度的β型碳化硅晶须和具有优异抗菌性能的壳聚糖引入胶乳中，制备出的乳胶膜在力学强度、耐热性、耐老化以及抗菌性能等方面均得到显著提升。
碳化硅纳米聚糖强度抗菌乳胶制备方法

[发明专利]一种二硼化钛基纳米复合刀具材料及制备方法-CN201911320573.1有效
发明人：孙加林;皇志富;闫柯;陈飞;坚永鑫;杨贺杰;李博 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C04B35/81 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硼化钛基纳米复合刀具材料及制备方法，以二硼化钛为基料，采用纳米氧化物陶瓷及纳米碳化物陶瓷作为烧结助剂，协同发挥缺陷强化烧结与液相强化烧结作用；碳化硅晶须掺杂石墨烯作为协同强韧化相，石墨烯具有较大的比表面积，为碳化硅晶须及纳米复相陶瓷提供负载体，而碳化硅晶须分布在石墨烯表面，可起到石墨烯聚集阻隔剂的作用，从而显著增大碳化硅晶须‑石墨烯与材料基体的接触面积且相容性好，形成碳化硅晶须/石墨烯/纳米复相陶瓷/二硼化钛基体界面，引入基于多元多尺度强弱混杂界面调控的协同强韧化机理，得到高致密、高性能的二硼化钛基纳米复合刀具材料；制备得到的抗弯强度、维氏硬度和断裂韧性力学性能大大提高。
一种二硼化钛基纳米复合刀具材料制备方法

[发明专利]一种TS-2钛硅分子筛/纳米碳化硅晶须的复合催化剂的制备方法-CN201410612160.1在审
发明人：华文蔚 -专利权人：华文蔚
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： B01J29/89 文献下载
摘要：一种TS-2钛硅分子筛/纳米碳化硅晶须的复合催化剂的制备方法，包括如下步骤：以三价钛化合物为钛源，硅酸四乙酯或硅溶胶为硅源，季铵碱或季铵盐和有机胺为原料，反应混合物的摩尔比为：Si/Ti＝20～200，2＝0.03～0.6，H₂O/SiO₂＝60～100，有机胺/SiO₂＝0.1～0.5，搅拌混合，在温度70～90℃下加入纳米碳化硅晶须，搅拌24-72小时，纳米碳化硅晶须加入量为：纳米碳化硅晶须与钛源的重量比为1:(1-20)；并同时向反应混合物中通入氧气或空气；然后反应物料在晶化温度115～250℃条件下，晶化24～120小时，将晶化所得混合物经分离，洗涤，干燥，焙烧制成TS-2钛硅分子筛纳米碳化硅晶须；所述纳米碳化硅晶须的直径2-30nm；所述的TS-2钛硅分子筛/纳米碳化硅晶须的复合催化剂粒径为1～10μm的团聚体颗粒；所述季铵碱为四丁基氢氧化铵
一种 ts 分子筛纳米碳化硅复合催化剂制备方法

[发明专利]一种基于碳化硅/石墨烯材料的电化学传感器及其制备方法和应用-CN202211085420.5在审
发明人：涂溶;李翠翠;徐青芳;章嵩;戴红莲 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明提供一种基于碳化硅/石墨烯材料的电化学传感器及其制备方法和应用，所述电化学传感器采用三电极体系，以碳化硅/石墨烯材料修饰的硅电极为工作电极，饱和甘汞电极为参比电极，铂片电极为对电极；所述碳化硅/石墨烯材料修饰的硅电极表面覆有碳化硅/石墨烯复合薄膜，碳化硅/石墨烯复合薄膜由枝状碳化硅纳米晶须垂直于基板密集排列得到，多层石墨烯分布于碳化硅晶界和薄膜表面，并且碳化硅纳米晶须之间具有连贯的孔隙结构。
一种基于碳化硅石墨材料电化学传感器及其制备方法应用

[发明专利]一种抗热震碳化硅纳米多孔涂层材料及其制备方法与应用-CN202111528743.2有效
发明人：章嵩;王崇杰;徐青芳;涂溶;张联盟 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗热震碳化硅纳米多孔涂层材料及其制备方法与应用，所述涂层材料下层为碳化硅纳米颗粒组成的致密层，上层为枝状碳化硅纳米晶须组成的多孔层，并且多孔层从底部到顶部碳化硅晶须逐渐增长，呈发散状态。本发明提供的碳化硅纳米多孔涂层材料底部由致密的碳化硅纳米颗粒组成，与基底材料结合牢固，且顶部为多孔结构，热膨胀系数低，显著缓解了涂层与基底的热膨胀系数不匹配的问题，提高了涂层抗热震性能。
一种抗热碳化硅纳米多孔涂层材料及其制备方法应用

[发明专利]一种包覆纳米碳化硅晶须增韧硬质合金的制备方法-CN201910184388.8有效
发明人：伍小波;周书助;姜佳庚;周延捷 -专利权人：株洲卓然新材料有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C22C49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种包覆纳米碳化硅晶须增韧硬质合金的制备方法，以纳米碳化硅和硬质合金粉末为主要原材料，经过碳化硅预处理、碳化硅包覆、球磨、干燥、成型、烧结工艺制备而成。通过对纳米碳化硅进行包覆处理，克服了碳化硅与硬质合金润湿性差的问题，使两者能紧密结合。本发明制备的包覆纳米碳化硅晶须增韧硬质合金的韧性好，碳化硅与硬质合金之间结合力高，用其制作的硬质合金刀具工作性能大幅提升。
一种纳米碳化硅晶须增韧硬质合金制备方法

[发明专利]一种纳-微米碳化硅晶须的生产方法-CN201710722374.8在审
发明人：刘培佳;刘音娜;刘亮 -专利权人：天水佳吉化工有限公司
申请日： 2017-08-12 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明属无机非金属粉体材料技术领域，具体涉及一种碳化硅晶须的生产方法。为解决目前国内外碳化硅晶须生产方法单产效率低，成本高，污染大，易团聚，品质低的问题，提供一种新型高温气化物理生产方法。该方法选用高纯碳化硅晶体为原料，经激光气化高温生长炉高温分解气化，再经高温合成生长，冷却、收集，得到直径为纳米‑亚微米‑微米的碳化硅晶须。采用该工艺可生产出高纯度，高品质α‑碳化硅晶须，粒径2nm～1.5μm，可精准控制，长径比40～200，本方法通过控制合成温度和合成时间量程亦可得到纳米碳化硅微粉和碳化硅纳米线。
碳化硅晶须气化生产无机非金属粉体材料技术领域碳化硅纳米线高纯碳化硅高温生长炉固体废弃物纳米碳化硅微米碳化硅高温分解高温合成激光气化精准控制控制合成生产过程时间量程新型高温长径比高纯度高品质规模化晶须可用粒径排出微粉废气冷却团聚废水合成生长污染投资

[发明专利]锂离子电池隔膜及其制备方法-CN201710582060.2有效
发明人：杨波;卢智超;刘金传 -专利权人：杨波
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01M50/403 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池隔膜，包括聚烯烃基材，所述聚烯烃基材的两面具有聚酰亚胺膜层，所述聚酰亚胺膜层中均匀分散有SiC纳米晶须，所述聚酰亚胺膜层中SiC纳米晶须的重量百分比为10%‑15%。本发明的锂离子电池隔膜具有较高的强度，本发明将碳化硅纳米晶须分散于聚酰胺酸溶液中，之后再经过环化制得含有碳化硅纳米晶须的聚酰亚胺膜，碳化硅纳米晶须作为增强体，在高温下依旧可以保持较高的强度。
锂离子电池隔膜及其制备方法

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