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[实用新型]一种薄膜太阳能模块-CN201220321404.7有效
发明人：彭寿;马给民;保罗·比帝;向光;王芸 -专利权人：广东凯盛光伏技术研究院有限公司;东莞日阵薄膜光伏技术有限公司;广东凯盛光电科技有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜太阳能模块，在1.0毫米标准的钠钙玻璃基板上镀有0.35微米厚钼薄膜，钼薄膜上有1.0微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜，铜铟镓硒薄膜上面镀有0.05微米厚的硫化镉，硫化镉上镀有无杂物的氧化锌绝缘层，氧化锌上镀有导电透明的氧化锌参铝，氧化锌参铝上表面镀镍，镍上面设铝膜，铝膜上面镀有保护铝的一层保护镍，保护镍上面镀有钠钙覆盖玻璃，避免和消除铜铟镓硒芯片内部针孔，生产过程中能够防止污染，降低了生产成本
一种薄膜太阳能模块

[实用新型]一种薄膜太阳能模块-CN201120164336.3有效
发明人：马给民 -专利权人：东莞日阵薄膜光伏技术有限公司;广东凯盛光伏技术研究院有限公司;广东凯盛光电科技有限公司
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜太阳能模块，在1.0毫米标准的钠钙玻璃基板上镀有0.35微米厚钼薄膜，钼薄膜上有1.0微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜，铜铟镓硒薄膜上面镀有0.05微米厚的硫化镉，硫化镉上镀有无杂物的氧化锌绝缘层，氧化锌上镀有导电透明的氧化锌参铝，氧化锌参铝上表面镀镍，镍上面设铝膜，铝膜上面镀有保护铝的一层保护镍，保护镍上面镀有钠钙覆盖玻璃，避免和消除铜铟镓硒芯片内部针孔，生产过程中能够防止污染，降低了生产成本
一种薄膜太阳能模块

[发明专利]一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201510742016.4在审
发明人：王吉宁;韩皓;刘晓鹏;蒋利军;王树茂 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括依次层叠的衬底、背电极层、铜锌锡硫硒吸收层、缓冲层、透明导电氧化物层及顶电极，所述缓冲层由(Zn1-xMgx)O制成，其中0.1≤x≤0.25，其厚度为50nm-80nm。本发明采用(Zn1-xMgx)O缓冲层替换铜锌锡硫硒薄膜电池常用的CdS缓冲层和本征ZnO层，具备以下优点1)通过调节(Zn1-xMgx)O中的Zn/Mg，可以优化铜锌锡硫硒/缓冲层界面处的导带边失调值
一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种用于硒化锌基片的高附着力高表面质量的增透膜及其制备方法和应用-CN202111485771.0有效
发明人：何光宗;徐旭;熊涛;郝博;孙义可;薛俊;张天行;杨俊和;王航 -专利权人：湖北久之洋红外系统股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于硒化锌基片的高附着力高表面质量的增透膜及其制备方法和应用。该增透膜依次包括第一硫化锌层、硒化锌层、第二硫化锌层、氟化镱层和第三硫化锌层，其中第一硫化锌层厚度为5‑15nm，硒化锌层厚度为150‑600nm，第二硫化锌层厚度为5‑15nm，氟化镱层厚度为500‑1600nm，第三硫化锌层厚度为10‑20nm。其制备方法为：将预处理后的基片表面依次镀制第一硫化锌层、硒化锌层、第二硫化锌层、氟化镱层和第三硫化锌层即得增透膜。该增透膜与硒化锌基片附着力优异，膜层表面没有毫米级花斑现象，表面质量高，使用寿命长，可广泛应用于红外硒化锌透镜、硒化锌棱镜等军用和民用光学零件制造领域。
一种用于硒化锌基片附着力表面质量增透膜及其制备方法应用

[发明专利]一种硒化锌荧光纳米颗粒及其制备方法-CN201310057372.3有效
发明人：王春;秦锋;王辉;张一三 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种硒化锌荧光纳米颗粒的制备方法和该方法制备的硒化锌荧光纳米颗粒，属于发光材料技术领域，其可解决现有的硒化锌纳米颗粒的制备方法中有机溶剂易燃、易爆、昂贵且毒性较强，综合成本高昂、操作不便的问题本发明的硒化锌荧光纳米颗粒的制备方法包括制备硒前驱液和锌前驱液的步骤，通过在较低的反应温度下选择适当配体制得了容易成核，成核均匀、不易团聚的硒化锌荧光纳米颗粒。
一种硒化锌荧光纳米颗粒及其制备方法

[发明专利]非真空湿式铜铟镓硒太阳电池制作方法-CN201010000653.1无效
发明人：庄泉龙 -专利权人：正峰新能源股份有限公司
申请日： 2010-01-14 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种非真空湿式铜铟镓硒太阳电池制作方法，是在非真空下以湿式方式，利用第一透明导电氧化层形成处理、铜铟镓硒层与硫化镉层形成处理、氧化锌层形成处理及第二透明导电氧化层形成处理，而在背面电极层上依序形成第一透明导电氧化层、铜铟镓硒层与硫化镉层、氧化锌层及第二透明导电氧化层，进而形成高转换率的铜铟镓硒太阳电池，其中第一透明导电氧化层形成处理、氧化锌层形成处理及第二透明导电氧化层形成处理分别包括雷切割处理，依序对工作件进行镭射及刮刀切割
真空湿式铜铟镓硒太阳电池制作方法

[发明专利]掺锗的铜锌锡硫硒薄膜制备方法、薄膜及太阳能电池-CN201310198831.X有效
发明人：徐东;徐永清;汤珅 -专利权人：徐东
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开一种掺锗的铜锌锡硫硒薄膜制备方法，包括:制备CuS纳米颗粒；制备掺Ge的前驱体浆料;制备掺Ge的前驱体薄膜;对掺Ge的前驱体薄膜进行硫化处理，得Cu₂ZnSn₁Ge_xS₄薄膜；对Cu₂ZnSn_1‑xGe_xS₄薄膜进行硒化处理本申请还公开了一种掺锗的铜锌锡硫硒薄膜和太阳能电池。本申请由于使用CuS纳米颗粒，可促进晶粒生长和薄膜致密化；在制备前驱体浆料时掺入Ge，能调节CZTS薄膜禁带宽度，提高CZTS电池光电转换效率；本申请使用甲醇或乙醇等有机溶剂，硫化处理使用的硫源为固态硫粉，硒化处理所使用硒源为固态硒粉，整个生产过程对环境友好；利用硒化过程中Se原子部分取代S原子的体积膨胀效应使薄膜的结构致密化，调节CZTS吸收层的禁带宽度，使其与太阳光谱更加匹配。
铜锌锡硫硒薄膜制备方法太阳能电池

[实用新型]软体卷材簿膜式铜铟镓硒太阳能电池-CN200820125527.7无效
发明人：郭玉钦;郭君涛 -专利权人：郭君涛
申请日： 2008-07-06 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种软体卷材簿膜式铜铟镓硒太阳能电池，属半导体化合物薄膜太阳能电池组件技术领域，其特征在于：它是依次在软体衬底1，上濺镀钼Mo或钛Te层2，在其层面上应用多靶磁控濺射法用高纯的铜Cu，铟In，镓Ga，濺镀层后在硒H2Se气氛中硒化制备硒Se层，为完整的铜铟镓硒层3。再相继在铜铟镓硒3，表面上，采用濺射法濺射氧化锌Zno过渡层4，和透明导电膜Azo层5，再镀減反射层6，最后镀金属柵极7，构成完整的半导体电池组件。主要用于太阳能光伏发电的化合物半导体组件。
软体卷材簿膜式铜铟镓硒太阳能电池

[发明专利]一种控制铜铟镓硒高温共沉积过程中背电极钼和硒反应的方法-CN201510759999.2在审
发明人：夏申江;彭寿;屠友明;王芸 -专利权人：中建材光电装备（太仓）有限公司;蚌埠兴科玻璃有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种控制铜铟镓硒高温共沉积过程中背电极钼和硒反应的方法，其特征在于：在以铜铟镓硒高温共沉积方法来制备铜铟镓硒光吸收层的过程中，先在背电极钼薄膜表面磁控溅射沉积一阻挡层，然后在所述阻挡层表面磁控溅射沉积一硒化反应层，最后在该硒化反应层表面铜铟镓硒高温共沉积生成铜铟镓硒光吸收层；在该最后铜铟镓硒高温共沉积生成铜铟镓硒光吸收层的同时，所述阻挡层阻挡硒进入所述背电极钼薄膜层，所述硒化反应层同硒发生化学反应生成硒化物背接触层；所述阻挡层的成分为过渡金属氮化物或过渡金属氮氧化物，所述硒化反应层的成分为过渡金属。
一种控制铜铟镓硒高温沉积过程电极反应方法

[发明专利]含金属的杀病毒组合物及其用途-CN200780008763.9无效
发明人： S·S·海柯克 -专利权人：治疗研究有限公司
申请日： 2007-02-06 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： A61K31/19 文献下载
摘要：一种用于治疗或预防呼吸道病毒的组合物，包括：(a)至少一种能在水溶液中解离为锌、铜、硒和/或锰离子的水溶性的锌、铜、硒和/或锰化合物；(b)至少一种能在水溶液中解离为铵离子的水溶性的铵试剂；(c)至少一种酸
金属病毒组合及其用途

[发明专利]一种硒化锌原料高温提纯方法-CN201910242669.4在审
发明人：周振翔;陈建荣;黄存新;岳麓 -专利权人：北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及具体涉及一种硒化锌原料高温提纯方法。包括(1)、坩埚预处理；(2)、研磨晶料；(3)、洗瓶处理；(4)、煅烧；(5)、二次研磨、生长；去除硒化锌原料的杂质成分，优化硒化锌原料比近1:1，通过防控杂质来源，高温下氢气环境煅烧及高温高真空煅烧有效的除去硒化锌原料中的杂质，优化化学计量比，为后续硒化锌单晶的生长提供了质量较高的生长材料。
硒化锌煅烧提纯预处理化学计量比硒化锌单晶二次研磨氢气环境生长材料杂质来源生长研磨高真空原料比去除洗瓶坩埚优化

[发明专利]一种锂离子电池负极材料及其制备方法-CN201910172794.2有效
发明人：张永光;王加义 -专利权人：肇庆市华师大光电产业研究院
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种高比容量的锂离子电池负极材料及其制备方法，该材料是一种基于硫化锌空心纳米球结构的硫化锌‑硒化锌复合材料，制备方法为先制备硫化锌空心纳米球，再加入硒粉通过研磨和加热将硫化锌空心纳米球表面硒化本发明引入硫化锌作为负极材料，利用简单的硒化反应得到硫化锌‑硒化锌复合材料，该材料具有显著结构优势，可提供更多的氧化活性位点从而获得更高的比容量，且具有良好的机械性能和循环寿命。硫化锌与硒化锌作为负极材料活性物质，二者协同作用可提升锂离子电池的电化学性能。
一种锂离子电池负极材料及其制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法-CN201210192751.9有效
发明人：林刘毓;张准 -专利权人：林刘毓;张准
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，其包括：a）在衬底上制备钼背电极；b）在该钼背电极上制备铜铟镓硒吸收层；c）进行退火处理；d）在铜铟镓硒吸收层上制备In2Se3或ZnS缓冲层；e）在所述In2Se3或ZnS缓冲层上制备本征氧化锌高阻抗层；f）在所述本征氧化锌高阻抗层上制备氧化铟锡薄膜低阻抗层；g）在氧化铟锡薄膜低阻抗层上制备铝电极。
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备方法

[发明专利]一种铜锌锡硫/硒墨水及其制备方法-CN201310691608.9有效
发明人：姚若河;李嘉辉 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C09D11/02 文献下载
摘要：本发明提出一种铜锌锡硫/硒墨水及其制备方法。本发明所述墨水由金属源溶液与非金属源溶液制备而成，其中金属源溶液由铜源溶液、锌源溶液和锡源溶液三种源溶液组成，非金属源溶液由硫源溶液和硒源溶液中的一种以上源溶液组成。所述墨水由以下步骤制备而成：（1）以单乙醇胺水溶液为溶剂，分别将铜源、锌源和锡源溶解于所述溶剂中，混合后热处理，得到铜锌锡源溶液；（2）以单乙醇胺或单乙醇胺水溶液为溶剂，将非金属源溶解于所述溶剂中得到非金属源溶液；（3）混合反应得到铜锌锡硫/硒墨水。
一种铜锌锡硫墨水及其制备方法

[发明专利]调控铜锌锡硫（硒）太阳能电池吸收层背面结晶的方法-CN201910595905.0在审
发明人：于晴;孟庆波;石将建;李冬梅;罗艳红;吴会觉 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L31/0272 文献下载
摘要：本发明提供了一种调控铜锌锡硫(硒)太阳能电池吸收层背面结晶的方法，包括：利用物理气相沉积方式在阳极电极和吸收层界面之间引入隔离层来抑制所述吸收层背面的结晶。本发明通过在阳极电极/铜锌锡硫(硒)吸收层的背界面通过物理气相沉积方式引入隔离层，有效抑制该界面的晶核形成，进而消除铜锌锡硫(硒)吸收层的背面结晶，提高原料的利用率，获得更大晶粒、缺陷态和次生相更少、更致密的吸收层
吸收层物理气相沉积铜锌锡硫隔离层阳极电极背面太阳能电池吸收层致密器件效率有效抑制引入大晶粒缺陷态晶核可控制备调控