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- [发明专利]硅基太阳能电池及其制造方法-CN201510873755.7在审
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宋超;黄锐;宋捷;王祥;郭艳青
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韩山师范学院
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2015-12-01
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2017-06-09
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H01L31/055
- 本发明公开了一种硅基太阳能电池，包括硅基电池本体，在硅基电池本体表面形成有短波长光吸收层，短波长光吸收层由对硅基电池本体的表面硅进行氧化、氮化或碳化后形成的介电层组成；短波长光吸收层用于在太阳光穿过时对大于短波长光吸收层的禁带宽度的太阳光短波进行吸收，利用短波长光吸收层对太阳光短波的吸收和光电转换效率大于硅基电池本体对太阳光短波的吸收和光电转换效率的特点提高硅基太阳能电池的短波响应。本发明能有效提高硅基太阳能电池对短波长的吸收，拓宽其光谱响应，进而提高太阳能电池的转换效率，能与微电子工艺技术相兼容，工艺简单、成本低。
- 太阳能电池及其制造方法
- [发明专利]一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术-CN201010249791.3无效
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石郧熙
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石郧熙
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2010-08-05
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2012-03-14
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H01L31/18
- 本发明属于半导体光电探测器技术领域，涉及一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术，在半导体光电探测器前表面的透明绝缘介质掩膜层表面上增加透明导电的薄膜层，透明导电的薄膜层(TC)与探测器前表面的掩膜层(结构的新光电探测器结构；并在透明导电的薄膜层上施加电压作为半导体光电探测器工作的辅助电压，以改变半导体表面电势，表面能带和表面空间电荷区，降低半导体表面附近光生少数载流子的有效表面复合速率，和消除“死层”区域，使大多数的短波光生少数载流子被收集成光生电流，提高了半导体光电探测器短波响应。特别是，该技术能有效地提高硅半导体蓝绿光电探测器，或蓝紫光电探测器的短波响应度。
- 一种提高半导体光电探测器短波响应技术
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