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[发明专利]力、电、热场下铁电材料铁电性与铁弹性测量系统及方法-CN201310125839.3在审
发明人：董显林;杜刚;梁瑞虹;卢晓蓉;王根水 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供力、电、热场下铁电材料铁电性与铁弹性测量系统及方法。该测量系统包括：用于产生施加于待测的铁电材料上的力、电、热场的场产生单元；对所述力、电、热场下的铁电材料进行极化测量的极化测量单元；对所述力、电、热场下的铁电材料进行应变测量的应变测量单元；以及采集从所述场产生单元输出的各种场的加载信号、从所述极化测量单元输出的极化测量信号、以及从所述应变测量单元输出的应变测量信号并进行分析处理以得到用于表征所述力、电、热场下的铁电材料的铁电性与铁弹性的测量数据的数据采集分析单元。本发明可用于表征铁电材料在力、电、热场下的铁电性与铁弹性，研究其在复杂环境下的稳定性与可靠性。
热场下铁电材料铁电性弹性测量系统方法

[发明专利]具有改进温度范围的模拟铁电存储器-CN201780052709.8有效
发明人：小约瑟夫·T·埃文斯;卡尔文·B·沃德 -专利权人：拉迪安特技术公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：公开了一种铁电存储器以及一种用于操作铁电存储器的方法。所述铁电存储器包括具有铁电电容器的铁电存储器单元，所述铁电电容器由最大剩余电荷Q最大来表征。写入电路接收具有两个以上状态的数据值以存储在所述铁电电容器中。所述写入电路测量所述铁电电容器的Q最大，确定作为要存储在所述铁电电容器中的所测量Q最大的分数的电荷，所述分数是由所述数据值确定的所述写入电路使得等于所述分数乘以Q最大的电荷存储在所述铁电电容器中。读取电路通过以下方式来确定存储在所述铁电电容器中的值：测量存储在所述铁电电容器中的电荷；测量所述铁电电容器的Q最大；并且根据所测量电荷和所测量Q
具有改进温度范围模拟存储器

[发明专利]一种免镀电极的铁电材料任意两点间电滞回线的测量方法-CN202111119651.9在审
发明人：朱睿健;王增梅;时雪如;邹雪雪;申亚宁;吴心怡;刘佳琦 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种免镀电极的铁电材料任意两点间电滞回线的测量方法，该方法的过程为：铁电材料固定在探针台上，将两个探针压在铁电材料的两处，通过半导体参数分析仪测量不同偏压下两点间的电容，得到CV曲线，然后CV曲线将电容信号分离为漏导信号、线性极化电容、铁电极化电容三部分，经过处理得到铁电薄膜任意两点间的铁电极化电容‑偏压曲线，即为电滞回线。该方法不需要进行电极制备并浸在硅油中，大大简化测量过程；可测量铁电薄膜表面任意两点间的电滞回线，得到水平方向的极化信息，也可以测量铁电纳米材料的电滞回线，也可以在测量的同时施加光照，应力等外场进行原位测量，大大拓展了铁电材料电滞回线测量范围。
一种电极材料任意两点间电滞回线测量方法

[发明专利]一种基于椭偏仪的铁电材料居里点的测量方法-CN201310135573.0无效
发明人：张帆;张荣君;陈良尧;郑玉祥;徐子杰;王子仪;许妍 -专利权人：复旦大学
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明属于热学测量技术领域，具体为一种基于椭偏仪的铁电材料居里点的测量方法。本发明利用椭偏仪测量不同温度下铁电材料的光学性质，根据铁电材料从铁电相转变到非铁电相时其光学性质也会随之改变的原理，从而测得铁电材料的温度转变点即居里点。本发明可快速、非破坏、精确测量铁电材料的居里点。在物理、化学、生物医学、环境科学等众多领域具有广泛的应用前景。
一种基于椭偏仪材料居里测量方法

[发明专利]一种铁电畴运动速度可调的脉冲电压测量法-CN202111539330.4在审
发明人：何东昱;王海斗;邢志国;刘明;马国政;底月兰;董丽虹;郭伟玲;黄艳斐;周新远 -专利权人：中国人民解放军陆军装甲兵学院
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及固态电介质性能测试技术领域，具体涉及一种铁电畴运动速度可调的脉冲电压测量法，本发明将铁电电容与电阻串联到电路中，由脉冲发生器提供测试电压，通过示波器测量电阻两端的电压随时间的变化，获得负‑正序列脉冲踪迹下电流的时间积累测量反转的电荷密度，以及正‑负序列脉冲踪迹下电流的时间积累测量反转的电荷密度，获得铁电电容的剩余极化值，实现铁电电容的测量，通过调整可变电阻的阻值，实现计算不同阻值下的余极化值，从而能够有效的提升了测量的效果，方便进行测量，同时，对铁电电容进行编号记录、存储，以及将测量结果按照编号存储到数据库中，可以使得测量铁电电容相关数据进行汇总，以便后续能够方便的查找。
一种铁电畴运动速度可调脉冲电压测量

[发明专利]一种铌酸锂铁电材料的高压原位铁电性测量方法-CN202111023259.4在审
发明人：韩永昊;李娟;蒋大伟;马秋;高春晓 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明的一种铌酸锂铁电材料的高压原位铁电性测量方法，属于高压下铁电材料测量的技术领域。该测量方法是基于金刚石对顶砧设计的，包括制备铌酸锂陶瓷粉末、组装金刚石对顶砧装置、电极的制作等步骤。本发明弥补了铁电材料在高压研究方面没有实验支持的空白，首次测量了铁电材料的铁电性在高压下发生的变化，方法简单方便、实验耗时少，可以有效测得铁电材料在高压下的电滞回线、剩余极化强度和储能效率等铁电特性。
一种铌酸锂铁电材料高压原位铁电性测量方法

[发明专利]一种铁电薄膜材料I－V特性的测量方法及测量装置-CN200610024706.7有效
发明人：曹菲;董显林;王根水;李建潼 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2006-03-15 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种铁电薄膜材料I－V特性的测量方法及装置，属于铁电薄膜材料测试领域。本发明的装置包括样品台(1)、探针台(2)、静电计(3)、屏蔽罩(4)、计算机及自动控制和数据处理软件(5)，本发明的测量方法采用自编软件实现自动控制测量以及数据采集和处理，测得的铁电薄膜材料在不同电压下的漏电流值更接近于样品的真实漏电流值本发明综合考虑了铁电薄膜材料的自发极化电流、介质极化电流、漏电流以及老化电流对I－V特性测量的影响，设计了一套简便易行的、能够准确测量铁电薄膜材料I－V特性的方法及装置，既可以适用于SrTiO₃等室温为顺电相的薄膜材料，也可以适用于PZT、SBT等室温为铁电相的铁电薄膜材料。
一种薄膜材料特性测量方法测量装置

[发明专利]基于面内轴向逆磁电效应的多层复合材料电场测量传感装置-CN201910973887.5在审
发明人：何金良;胡军;韩志飞;杨光照;薛芬;余占清;曾嵘;张波;李琦;庄池杰 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： G01R29/08 文献下载
摘要：一种基于面内轴向逆磁电效应的多层复合材料电场测量传感装置，包括铁电材料相，铁磁材料相，粘结层,所述铁电材料相和铁磁材料相之间通过粘结层相互耦合，所述粘接层起到界面连接及应变耦合作用，所述电材料相，铁磁材料相，粘结层处于直流偏置磁场下，电场导致铁电相材料产生形变，铁电相材料的形变耦合至铁磁材料相，利用磁场传感器对材料附近磁场变化进行测量，优化偏置磁场可优化传感装置的灵敏度。其有益效果是：应用逆磁电效应实现磁能和电能的相互转换，因此装置可以测量的电场的带宽很大，可方便地测量高强度、高频率的电场，所测电场工作范围可达100kV/cm以上。
电场铁磁材料粘结层逆磁电效应传感装置铁电材料测量耦合形变铁电相多层复合材料直流偏置磁场磁场传感器磁场变化电场测量界面连接偏置磁场耦合作用电材料高频率灵敏度面内轴粘接层磁能优化带宽转换应用

[发明专利]一种绝缘/漏电铁电薄膜电畴反转电流测量与转换为电滞回线的方法-CN201110203557.1无效
发明人：江安全;刘骁兵 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为一种绝缘/漏电铁电薄膜电畴反转电流测量与转换为电滞回线的方法。本发明首先在漏电的铁电薄膜上施加同极性的不同外加电压，由示波器记录并通过多项式/指数函数拟合求得铁电薄膜的漏电流和施加在铁电薄膜上的电压的函数关系。而后对薄膜施加双极性连续脉冲，利用漏电流与铁电薄膜两端电压函数关系扣除漏电流，得到电畴反转电流曲线。在任意时刻将电畴反转电流曲线对时间积分即得到对应该时刻铁电薄膜的极化值，与该时刻对应铁电薄膜两端电压逐点作图即得漏电铁电薄膜的电滞回线。本发明方法采用标准电阻取代了传统方法中的参考电容，测量速度更快，并且可以正确地测量漏电薄膜的电滞回线。
一种绝缘漏电薄膜反转电流测量转换电滞回线方法

[发明专利]一种测量铁电膜残余应力的方法-CN200710035951.2无效
发明人：郑学军;吴勤勇;吴波;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2007-10-23 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量铁电膜残余应力的方法，基于X射线衍射(XRD)技术，考虑膜/基界面晶格失配的铁电薄膜残余应力的测量方法。用XRD来测量膜/基界面处晶粒晶格常数的变化得到晶粒单胞残余应变；用XRD测量铁电薄膜取向畴相对衍射密度，利用坐标转换将此应变从晶体坐标系转到样品坐标系，并作取向平均得到薄膜样品的残余应变；在膜/基界面上的电不导通的情况下，根据压电本构关系计算出铁电薄膜界面处的面内和离面残余应力。基于XRD技术测量残余应力的传统方法模型，只适用于各向同性、线弹性材料宏观表面残余应力的测量。而本发明可以测量出薄膜的界面残余应力，从而指导铁电薄膜材料的设计。另一方面，界面残余应力可用来分析铁电薄膜皱褶和剥落现象，因此本发明还可以用于进一步指导完善铁电薄膜器件的结构，提升器件性能。
一种测量铁电膜残余应力方法

[发明专利]一种二维材料在速度传感器中的应用-CN202010796653.0有效
发明人：邓俊楷;徐博;刘哲 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G01P3/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料在速度传感器中的应用，这种二维材料具有面内自发极化，该二维材料的双层堆垛结构能够在机械运动下产生铁电‑反铁电相变，基于这种双层二维材料的铁电‑反铁电相变的应用，还公开了包括双层二维材料的速度传感器本发明利用二维材料的铁电相变，提高纳米尺度的机械位移测量精度，通过外界作用驱动双层二维材料层间滑移，实现双层二维材料从铁电相和反铁电相的相互转化，将二维材料层间滑移的机械能转化为双向脉冲电流，同时适用于单向和往返形式的机械运动，可通过测量脉冲电流的大小和频率来反映层间机械滑移速度，输出电流较大，便于测量层间相对运动速度，且测量的速度范围广。
一种二维材料速度传感器中的应用

[发明专利]一种铁电薄膜成核可逆电畴极化强度的测量方法-CN201310304913.8在审
发明人：江安全;陈志辉 -专利权人：复旦大学
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明属于固态电介质应用技术领域，具体为一种铁电薄膜成核可逆电畴极化强度的测量方法。预极化铁电薄膜电畴极化方向至外加电压的反平行方向，通过施加不同脉冲宽度的电压后，测得不同铁电电容器电压时铁电电容器放电电荷面密度及铁电薄膜反转电畴极化强度；预极化铁电薄膜电畴极化方向至外加电压的平行方向，通过施加不同脉冲宽度的电压后，测得不同铁电电容器电压时铁电电容器放电电荷面密度；最终可计算出铁电薄膜成核可逆电畴极化强度。本发明方法可适应各种情况，而且测量精度高，便于深入了解铁电薄膜成核电畴生长运动的动力学机理，可应用在超高介电响应等新型器件中。
一种薄膜成核可逆极化强度测量方法

[发明专利]一种基于反铁电陶瓷材料的脉冲方波产生方法-CN202210682427.9在审
发明人：徐然;朱青山;徐卓;冯玉军;魏晓勇 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H03K3/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于反铁电陶瓷材料的脉冲方波产生方法，制备反铁电陶瓷；测量反铁电陶瓷电滞回线，获取反铁电陶瓷的反铁电—铁电相变电场；将反铁电陶瓷极化充电，使反铁电陶瓷发生反铁电—铁电相变；利用充电后的反铁电陶瓷对电阻负载放电本发明通过反铁电陶瓷对电阻负载放电，最终在电阻负载上形成一定脉宽的脉冲方波，可大大简化脉冲方波产生的电路系统。
一种基于反铁电陶瓷材料脉冲方波产生方法

[发明专利]一种测量漏电铁电薄膜电滞回线的方法-CN200910199381.X有效
发明人：江安全;刘骁兵 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为一种测量漏电铁电薄膜电滞回线的方法。本发明方法首先在漏电极化的铁电薄膜上施加同极性的外加电压，测定并记录薄膜两端不同电压下通过铁电薄膜的漏电流，经曲线拟合，得到漏电流和施加电压的函数方程，进而计算得到电畴翻转的极化电流随时间的变化关系。最后将位移电流对时间积分，计算出该外加电压下铁电薄膜产生的位移电荷密度。重复以上的测量和计算过程，得到该铁电薄膜的不同电压下所对应的电位移，从而测得整个漏电铁电薄膜的电滞回线。本发明解决了漏电铁电薄膜电学表征的难题，特别是为超薄铁电漏电薄膜电学性能研究提供了有力手段。
一种测量漏电薄膜电滞回线方法

[发明专利]一种快速测量铁电薄膜印刻效应的方法-CN200910054686.1有效
发明人：江安全;翁旭东 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-07-10 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明属微电子技术领域，涉及铁电薄膜印刻效应的测试方法。本发明通过测量铁电薄膜极化反转电流快速测量铁电薄膜印刻效应，其包括：(1)加一个产生印刻效应的脉冲电压后，立刻再加一个与此印刻电压相反极性的脉冲电压并测量铁电薄膜的反转电流；(2)加预置极化方向的脉冲电压，等待一段弛豫时间后加一个起印刻作用的正负双极性的脉冲电压，再等待一段时间以产生印刻效应，最后加一个与之前正负双极性脉冲电压完全相同的正负双极性电压以测量反转电流。本发明能代替传统的通过测量电滞回线得出Vc的方法，能大幅降低测试印刻效应所需时间，具有很好的应用前景。
一种快速测量薄膜印刻效应方法

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