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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]在浅沟槽隔离拐角处的注入-CN200780032278.5无效
发明人： H·Q·董;E·G·斯蒂芬斯 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2007-08-29 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种用于在图像传感器的浅沟槽隔离区域中制造拐角注入的方法，该方法包括步骤：在半导体衬底上在覆盖蚀刻停止层的第一硬掩模层上形成光致抗蚀剂层。
沟槽隔离拐角注入

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN201310407724.3有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提出一种浅沟槽隔离结构的形成方法，在形成浅沟槽隔离区之后，对所述半导体衬底在浅沟槽隔离区的拐角处进行离子注入处理，能够降低拐角处的应力，使后续在拐角处形成第三介质层不易被击穿，进而提高器件的性能。
拐角处浅沟槽隔离结构浅沟槽隔离区介质层衬底击穿半导体离子

[实用新型]一种拉索式基坑围护结构-CN202222809577.X有效
发明人：张金红;段琪琪;李冰河;章丽莎;孙政波;杨孔立;余薏;张昌桔 -专利权人：浙江省建筑设计研究院
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： E02D17/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种拉索式基坑围护结构，包括：围护桩，所述围护桩设置在深基坑和浅基坑的交界处，所述围护桩上端设有冠梁；浅坑底板，所述浅坑底板设置在浅基坑底部；深坑底板，所述深坑底板设置在深基坑底部，所述深坑底板与围护桩连接；拉索，所述拉索用于连接冠梁和浅坑底板。本方案结构简单且方便拆卸，允许深浅基坑高低差处发生沉降。
一种拉索式基坑围护结构

[发明专利]一种提高田间浅埋暗管排水量的方法-CN202010188131.2在审
发明人：王少丽;陶园;任晓磊;瞿兴业 -专利权人：中国水利水电科学研究院
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： E02B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高田间浅埋暗管排水量的方法，在浅埋吸水管出口处安装虹吸管，使虹吸管下端出流口降低到设定深度，并与接纳浅埋吸水管排放水的集水明沟连通，利用虹吸作用，使浅埋吸水管的排水能力显著增强。本发明在不增加浅埋暗管成本基础上，只需在浅埋吸水管出口处安装一段虹吸管，使其下端出流口降低到一定深度，可显著提高排水流量，并且施工简单，成本低廉。
一种提高田间暗管排水量方法

[发明专利]平面栅MOSFET-CN201810418173.3有效
发明人：吕昆谚;谢玟茜;王世铭;黄志森;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面栅MOSFET包括：形成于半导体衬底上的浅沟槽场氧，被浅沟槽场氧所隔离出来的半导体衬底组成有源区；浅沟槽场氧的顶部表面被回刻到低于半导体衬底的顶部表面的位置；一个以上的平面栅形成于有源区上并延伸到有源区两侧的浅沟槽场氧表面；平面栅的长度方向和沟道的长度方向垂直，在沿平面栅的长度方向上的有源区和浅沟槽场氧的交界处平面栅侧面覆盖有源区的顶部突出部分。本发明能消除浅沟槽场氧在沿平面栅的长度方向上的有源区和浅沟槽场氧的交界处产生的漏电，提高器件的性能。
平面 mosfet

[发明专利]浅沟槽隔离结构、半导体器件及其制造方法-CN201711086965.7有效
发明人：刘金华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构、半导体器件及其制造方法，在浅沟槽的侧壁上覆盖衬氧化层后并填充一定深度的第一隔离材料层后，在第一隔离材料层上方的衬氧化层侧壁上再形成一层衬介质层，使得第一隔离材料层上方的浅沟槽侧壁变厚，用于填充第二隔离材料层的窗口变窄，之后通过第二隔离材料层填满浅沟槽时，可以使得第二隔离材料层在浅沟槽顶部边缘处相对向内收缩，从而可以避免后续工艺对顶部边缘的第二隔离材料层的损伤，进而能够避免浅沟槽隔离结构顶部边缘处的边沟现象，提高浅沟槽隔离结构的隔离性能和半导体器件的可靠性。
沟槽隔离结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN201310129640.8有效
发明人：杨芸 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提出一种浅沟槽隔离结构的形成方法，形成第二浅沟槽隔离沟道后保留光阻层，借着光阻层对第一浅沟槽隔离沟道的遮挡继续进行第一次回拉刻蚀，暴露出第二浅沟槽隔离沟道边角的介质层，之后去除光阻层，再对半导体衬底进行第二次回拉刻蚀，暴露出第一浅沟槽隔离沟道以及第二浅沟槽隔离沟道边角的介质层，这样便能平衡第一浅沟槽隔离沟道以及第二浅沟槽隔离沟道的回拉刻蚀程度，使第二浅沟槽隔离沟道边角的介质层暴露更多并且变的更加圆滑，使后续形成在边角处的栅极氧化层可长得更厚，提高了击穿电压；同时保证第一浅沟槽隔离沟道的边角暴露的不会过多，防止在后续形成隧穿氧化层的时候消耗过多边角处的半导体衬底而降低了有效区域的面积。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]使用基于气体团簇离子束技术的中性射束处理的超浅蚀刻方法以及由此产生的物品-CN202210483368.2在审
发明人：肖恩·R·柯克帕特里克;理查德·C·什夫卢加 -专利权人：艾克索乔纳斯公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种用于浅蚀刻基板表面的方法，使用加速中性射束形成覆盖未改性的基板的浅改性基板层，并蚀刻改性层，在下方未改性的基板处停止以产生受控浅蚀刻基板表面。
使用基于气体离子束技术中性处理蚀刻方法以及由此产生物品

[发明专利]使用基于气体团簇离子束技术的中性射束处理的超浅蚀刻方法以及由此产生的物品-CN201680012562.5在审
发明人：肖恩·R·柯克帕特里克;理查德·C·什夫卢加 -专利权人：艾克索乔纳斯公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：一种用于浅蚀刻基板表面的方法，使用加速中性射束形成覆盖未改性的基板的浅改性基板层，并蚀刻改性层，在下方未改性的基板处停止以产生受控浅蚀刻基板表面。
使用基于气体离子束技术中性处理蚀刻方法以及由此产生物品

[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法-CN201811522098.1在审
发明人：林永璨;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及浅沟槽隔离结构及其形成方法。在一个实施例中，本公开涉及一种浅沟槽隔离结构，包括形成在接地的半导体衬底中的浅沟槽；形成在浅沟槽的侧壁及底部上的氧化层；形成在氧化层上以填满所述浅沟槽的导电填充体，其中导电填充体被施加负电势以使得半导体衬底与浅沟槽的界面处的自由电荷在负电势的驱动下通过半导体衬底流向地
浅沟槽浅沟槽隔离结构衬底半导体负电势填充体氧化层导电自由电荷接地界面处侧壁填满施加驱动

[发明专利]一种双层浅沟槽隔离结构、制备方法及横向扩散MOS管-CN201310157307.8有效
发明人：刘婧颖;何亮亮;杨大为;王艳生 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种双层浅沟槽隔离结构、制备方法及横向扩散MOS管。双层浅沟槽隔离结构包括：在半导体衬底的漂移区内设有双层浅沟槽隔离结构，双层浅沟槽隔离结构分上下两层，上层浅沟槽隔离结构具有两倾斜侧壁，上层浅沟槽隔离结构的两侧壁顶端与漂移区表面所形成的角为钝角，且上层浅沟槽隔离结构的底部完全是下层浅沟槽隔离结构的顶部，浅沟槽隔离结构内填充有绝缘介质。本发明利用具有倾斜侧壁的上层浅沟槽隔离结构，并对双层浅沟槽隔离结构内的尖角进行圆化或钝化处理，避免了鸟嘴效应的产生；上层浅沟槽隔离结构的存在可以扩宽下层浅沟槽隔离结构的底部拐角处的耗尽区域，避免产生新的密集电场
一种双层沟槽隔离结构制备方法横向扩散 mos

[发明专利]浅沟槽隔离工艺中库伊效应的测试结构及监测方法-CN200810041884.X有效
发明人：肖海波 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2008-08-19 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种浅沟槽隔离工艺中库伊效应的测试结构及监测方法，所述测试结构包括有源区以及形成于有源区上层的多晶硅，所述有源区和多晶硅上分别设有通孔，以引出金属线，所述有源区采用弯曲的结构，以产生多个浅沟槽隔离转角所述监测方法通过监控有源区的浅沟槽隔离转角处，有源区和多晶硅之间的击穿电压以判断浅沟槽隔离转角处是否产生了库伊效应。采用本发明的测试结构及监测方法，可方便地判断出浅沟槽隔离转角处是否产生了库伊效应，以便采取相应的措施来避免栅极氧化层的击穿，进而提高整个半导体工艺的可靠性。
沟槽隔离工艺中库伊效应测试结构监测方法

[发明专利]一种浅流型生态堰坝结构-CN202211687375.0在审
发明人：盛晟;郭雪琪;周国旺;邓晨;樊冰 -专利权人：中电建华东勘测设计研究院（郑州）有限公司;中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： E02B3/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种浅流型生态堰坝结构，安装在浅流型河道上，具有若干沿浅流型河道内水流流向布置的堰坝，所述堰坝的坝顶处具有用于水流通过的水渠。所述浅流型河道上相邻两个堰坝上的水渠在河道断面上成错位布置，浅流型河道上堰坝的水渠在河道水面上成“S”形布置，本发明在浅流型河道上相邻的两个堰坝之间在下游侧的堰坝的上游侧形成跌水塘，堰坝上游的跌水塘中水体流速缓慢，在堰坝的坝顶处开设有用于水流通过的水渠，为鱼类提供洄游通道，使跌水塘作为良好的鱼类栖息地，使浅流型河道上相邻的两个堰坝之间的跌水塘内具有良好的生态功能。
一种浅流型生态结构

[实用新型]一种轴承座用钻眼机-CN202123372344.X有效
发明人：刘锡武;刘宏民 -专利权人：青岛永函包装机械有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B23B41/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种轴承座用钻眼机，其包括工作台和设置于工作台上的加工板，所述加工板顶部固定连接有限位块，所述加工板靠近边缘位置处开设有第一浅槽，所述限位块对应第一浅槽位置处开设有第二浅槽，所述第二浅槽贯穿所述限位块设置，所述加工板对应第一浅槽内设置有拨动杆，所述拨动杆底部铰接有支撑杆，所述支撑杆固定连接于所述加工板，所述支撑杆位于第一浅槽内，所述限位块对应第一浅槽内滑动连接有滑动块，所述拨动杆能够抵接于所述滑动块底部
一种轴承座用钻眼机

[发明专利]半导体器件制作方法-CN201010599115.9有效
发明人：杜建 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实施例公开了一种半导体器件制作方法，包括：提供基底，所述基底包括STI浅沟槽；在所述STI浅沟槽的侧壁和底部注入离子，以改善注入离子处的基底材料的晶格结构；在所述基底表面上形成STI浅槽隔离区。本发明实施例通过在所述STI浅沟槽的侧壁和底部注入离子，通过离子对晶格的撞击，破坏了注入离子处的基底材料的晶格结构，由于基底材料晶格结构的变化，即应力的受体发生变化，从而减小了基底材料与STI浅槽隔离区之间产生的应力
半导体器件制作方法

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