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[发明专利]基板处理方法以及基板处理系统-CN201210544384.4有效
发明人：林航之介;松井绘美;中野晴香 -专利权人：芝浦机械电子装置股份有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的基板处理方法是在基板处理机构10中使用处理液对基板进行处理的基板处理方法，其具有：前段步骤，其中，生成含有有助于基板处理的活性化的活性种的活性种含有溶液；第1步骤(S21～S23)，其中，将该前段步骤中生成的所述活性种含有溶液和对所述基板进行处理的处理液进行混合从而生成活性种含有处理液；第2步骤(S29)，将该第1步骤中生成的所述活性种含有处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构；所述基板处理机构中，为通过所述活性种含有处理液和所述基板的反应一边生成活性种一边对该基板进行处理的构成
处理方法以及系统

[发明专利]图案形成方法-CN201080013731.X无效
发明人：若松哲史;山下典子 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2010-02-17 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种图案形成方法，其至少包含：对被图案形成体赋予活性种供给源的活性种供给源赋予工序、向所述活性种供给源照射激发光，在所述被图案形成体的表面形成氧化膜的氧化膜形成工序。
图案形成方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置-CN201780088328.5在审
发明人：竹岛雄一郎;中山雅则;舟木克典;坪田康寿;井川博登 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供一种技术，在半导体设备制造工序中，在对形成于纵横比大的凹状结构内面的膜从膜表面开始进行改性而形成改性层时，以使得凹状结构的深度方向上的改性层厚度达到所希望的分布的方式来进行改性，提高设备电气特性具有将含有含氧气体和含氢气体的处理气体激发以生成氧活性种和氢活性种的工序，以及将氧活性种和氢活性种供给至形成有凹状结构的基板，对在凹状结构的内面形成的膜从表面开始氧化而形成氧化层的工序；在形成氧化层的工序中，将供给至基板的氧活性种和氢活性种的总流量中的氢活性种的比率设定为比在凹状结构的上端部形成氧化层的速度达到最大时的第一比率更大的预定比率，以在凹状结构的内面的厚度比上端部的厚度更大的方式来形成。
凹状结构氢活性氧活性种氧化层改性层上端部改性基板半导体设备制造总流量基板处理装置半导体装置处理气体含氢气体含氧气体设备电气预定比率厚度比膜表面纵横比内面激发申请制造

[发明专利]废气净化催化剂、使用它的废气净化过滤器和废气净化方法-CN201510147991.0在审
发明人：菊川将嗣;山崎清;祖父江优一;大河原诚治 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： B01J27/055 文献下载
摘要：废气净化催化剂包含：载体，所述载体包含氧化铝作为主要组分；和活性种细粒，所述活性种细粒包含硫酸银作为主要组分且具有3nm至小于100nm的平均晶粒尺寸，其中活性种细粒负载于载体表面上。
废气净化催化剂使用过滤器方法

[发明专利]感光性组合物、固化物以及活性光线固化物的制造方法-CN201280012001.7有效
发明人：元藤梓平;樋口晋太郎;德永浩信;向井孝夫;大高刚史;水野雄介;进藤康裕;松本英嗣 -专利权人：三洋化成工业株式会社
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： C08F2/44 文献下载
摘要：一种感光性组合物，其为含有下述(1)～(3)的感光性组合物，其特征在于，自由基引发剂(A)、产酸剂(B)和产碱剂(C)中的至少一者通过活性光线的照射而产生活性种(H)，该活性种(H)与自由基引发剂(A)、产酸剂(B)或产碱剂(C)反应而生成新的活性种(I)，该新的活性种(I)引发聚合性物质(D)进行聚合反应，该活性种(H)或(I)为酸或碱，实质上不含有着色剂、金属氧化物粉末和金属粉末中的任何物质。
感光性组合固化以及活性光线制造方法

[发明专利]半导体处理用的热处理方法和装置-CN200810095113.9有效
发明人：柴田哲弥;梅泽好太;池内俊之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-02-14 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体处理用的热处理方法，在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板。被处理基板在表面具有处理对象层。接着，对上述处理区域供给氧化性气体和还原性气体，同时将处理区域进行加热，由此使氧化性气体和上述还原性气体反应而产生氧活性种和羟基活性种，使用上述氧活性种和上述羟基活性种对被处理基板上的上述处理对象层进行氧化接着，在由臭氧或者氧化性活性种构成的退火气体的氛围中将氧化后的处理对象层进行加热，由此对处理对象层进行退火。
半导体处理热处理方法装置

[发明专利]感光性组合物-CN201310124408.5有效
发明人：元藤梓平;樋口晋太郎;白石笃志;向井孝夫;榊原德 -专利权人：三洋化成工业株式会社
申请日： 2010-06-01 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种感光性组合物，其即使在能衰减或遮蔽所照射的光的着色剂等物质以高浓度存在的情况下或膜厚较厚的情况下，也能够以较少的能量固化，本发明的感光性组合物含有下述(1)～(4)的组分：(1)自由基引发剂(A)；(2)产酸剂(B)；(3)聚合性物质(D)；(4)着色剂(E)、金属氧化物粉末(F)或金属粉末(G)，其特征在于，自由基引发剂(A)和产酸剂(B)中的至少一者通过活性光线的照射而产生活性种(H)，该活性种(H)与自由基引发剂(A)或产酸剂(B)反应而生成新的活性种(I)，该新的活性种(I)导致聚合性物质(D)进行聚合反应，该活性种(H)或活性种(I)为酸或碱，该聚合性物质(D)为自由基聚合性化合物
感光性组合

[发明专利]感光性组合物-CN201080025245.X有效
发明人：元藤梓平;樋口晋太郎;白石笃志;向井孝夫;榊原德 -专利权人：三洋化成工业株式会社
申请日： 2010-06-01 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C08F2/44 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种感光性组合物，其即使在能衰减或遮蔽所照射的光的着色剂等物质以高浓度存在的情况下或膜厚较厚的情况下，也能够以较少的能量固化，本发明的感光性组合物含有下述(1)～(4)的组分：(1)自由基引发剂(A)；(2)产酸剂(B)或产碱剂(C)；(3)聚合性物质(D)；(4)着色剂(E)、金属氧化物粉末(F)或金属粉末(G)，其特征在于，自由基引发剂(A)、产酸剂(B)和产碱剂(C)中的至少一者通过活性光线的照射而产生活性种(H)，该活性种(H)与自由基引发剂(A)、产酸剂(B)或产碱剂(C)反应而生成新的活性种(I)，该新的活性种(I)导致聚合性物质(D)进行聚合反应，该活性种(H)或活性种(I)为酸或碱。
感光性组合

[发明专利]活性种产生单元以及活性种产生装置-CN201280010048.X有效
发明人：稻垣纯;田中史子;M.大友;加藤亮;中原健吾;上田哲也 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： A61L9/01 文献下载
摘要：本发明的活性种产生单元具备：平板形状的绝缘性基板;被与绝缘性基板隔着规定距离配置的放电电极;对绝缘性基板的表面进行覆盖，并且对绝缘性基板近傍的水分进行吸附的吸附部;被设置为与吸附部相接的对置电极;和对放电电极和对置电极施加电压的电源
活性产生单元以及装置

[发明专利]口腔护理方案及装置-CN200680009877.0无效
发明人：阿列克谢·米哈伊洛维奇·皮尼亚耶夫 -专利权人：宝洁公司
申请日： 2006-03-28 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： A61K8/22 文献下载
摘要：一种方法包括将一种组合物引入口腔，其中所述组合物包含活性种生成剂。将来自发光元件的输出在足以由活性种生成剂生成一种或多种活性种的一段时间对准一部分口腔软组织。
口腔护理方案装置

[实用新型]空气净化单元、空调装置以及空调系统-CN200520011829.8无效
发明人：冈本誉士夫;平良繁治;黑田太郎 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2005-04-15 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： F24F3/16 文献下载
摘要：空气净化单元(30，430)备有吸附部以及活性种生成部(32)。吸附部吸附空气中浮游的尘埃、臭气分子、病毒以及菌中的至少一种，活性种生成部(32)生成活性种。
空气净化单元空调装置以及系统

[发明专利]半导体处理用的氧化方法和装置-CN200710147862.7有效
发明人：藤田武彦;小川淳;中岛滋;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体处理用的氧化方法，其在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板，从处理区域的一侧将氧化性气体和还原性气体供给至处理区域，从另一侧进行排气。在此，将氧化性气体和还原性气体中的一种或两种活化。由此使氧化性气体和还原性气体反应，在处理区域内产生氧活性种和羟基活性种，使用氧活性种和羟基活性种对被处理基板的表面进行氧化处理。
半导体处理氧化方法装置

[发明专利]一种远场微波育种方法-CN201010297402.4有效
发明人：曾文海;李臻君;周冰航 -专利权人：曾文海;李臻君;周冰航
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： A01C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种远场微波育种方法，使用远场微波对农作物活性种子进行有规律地照射处理，利用能量记忆效应刺激活性种子潜能，获得具有高增产效果的农作物优化活性种子。已进行的白术育种等实验表明，相对于其他获得农作物优化活性种子的方法，本发明在提高产量方面具有显著优势，而且造成种子基因突变的可能性微小，安全性高，并且本发明易实现优化品种多样化和投入生产实践，因此，本发明具有巨大的经济效益和社会效益
一种微波育种方法

[发明专利]半导体处理用氧化装置和方法-CN200710194483.3有效
发明人：长谷部一秀;藤田武彦;中岛滋;小川淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体处理用的氧化装置，包括从位于处理容器的处理区域的一侧上的接近被处理基板的气体供给口向处理区域供给氧化性气体和还原性气体的供给系统。控制部预先设定为使氧化性气体和还原性气体发生反应而在处理区域内产生氧活性种和氢氧根活性种，使用氧活性种和氢氧根活性种对被处理基板的表面进行氧化处理。
半导体处理氧化装置方法

[发明专利]活性种产生单元以及使用它的活性种产生装置-CN201280012579.2有效
发明人：稻垣纯;田中史子;M·大友;加藤亮;中原健吾;上田哲也 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： A61L9/22 文献下载
摘要：本发明提供一种活性种产生单元，该活性种产生单元具有：壳部，其在筒状或箱状的一端具有开口部；放电电极，其将顶端从开口部插入到壳部内；和半导电部，其在顶端的附近与所述放电电极垂直地对置配置，在半导电部的外周配置成为接地电位的电源连接部，从电源部对电源连接部和放电电极施加电压，通过电晕放电使活性种产生。
活性产生单元以及使用装置

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