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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法-CN202310871387.7在审
发明人：谈亚丽 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，半导体结构包括：具有相对的第一面和第二面的基底，基底内具有由第一面向第二面延伸的沟槽，沟槽包括相连通第一沟槽和第二沟槽，第二沟槽位于第一沟槽与第二面之间；相互分立的第一栅极和第二栅极，第一栅极位于第一沟槽中，第二栅极位于第一沟槽中且延伸至第二沟槽中；第一半导体层，自第一面延伸至第一沟槽的内壁，且位于第一栅极朝向第一沟槽内壁的一侧，且还延伸至第二栅极电接触；第二半导体层，自第一面依次延伸至第一沟槽内壁、第二沟槽侧壁以及第二沟槽的底面，第二半导体层位于第二栅极朝向第一沟槽内壁以及第二沟槽内壁的一侧。
半导体结构制造方法

[发明专利]连铸镀层沟槽内壁结晶器-CN02109856.5无效
发明人：沈明钢 -专利权人：鞍山科技大学
申请日： 2002-06-18 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： B22D11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种连铸镀层沟槽内壁结晶器，在连铸结晶器的内壁上刻划1～100μm宽、1～500μm深的纵向或纵横向细沟槽，并加镀耐磨层。将初生坯壳在结晶器整个区域内冷却体积收缩变形，分割为沟槽间凝固冷却体积收缩变形，初生坯壳传热条件均匀，坯壳厚度均匀，减少铸坯表面裂纹。通过镀加的耐磨层，使连铸过程中铸坯与耐磨层接触磨擦，在耐磨层被磨擦掉以前，结晶器内壁刻划的沟槽分布没有变化，可提高连铸沟槽内壁结晶器的使用寿命。
镀层沟槽内壁结晶器

[实用新型]一种防夹石子轮胎-CN202120689225.8有效
发明人：陈国胜;唐俊萍;王洪娟;陈绍孟;刘吉镇;丁建沣;尚永峰;王秀省 -专利权人：万达集团股份有限公司;山东万达宝通轮胎有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： B60C11/03 文献下载
摘要：本实用新型涉及轮胎技术领域，具体为一种防夹石子轮胎，包括胎面，胎面上设有第一横向沟槽、第二横向沟槽和单向封闭式横向沟槽，第一横向沟槽和第二横向沟槽的内壁上设有倒角，倒角斜面上设有滚花，第二横向沟槽的内壁上部设有台阶，通过在第一横向沟槽和单向封闭式横向沟槽的内壁上设置倒角，增大内壁角度避免夹住石子，且在倒角斜面上采用滚花设计，可以起到减小沟槽与石子的接触面积、增加沟槽弹力、提高自洁清理效果的功能；通过在第二横向沟槽上采用台阶设计，可以使沟槽内壁与石子接触面减小，使得沟槽内壁不易将石子夹住。
一种石子轮胎

[发明专利]一种热交换管及换热器-CN201711462189.6在审
发明人：许倍强;雷伟;唐立星;魏效辉;李志文;卢恩明 -专利权人：山东豪迈机械制造有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： F28F1/42 文献下载
摘要：管壁具有内壁面和外壁面，内壁面设置有内沟槽，内沟槽沿热交换管的长度方向延伸。本发明的换热器包括了该热交换管。当热交换管的内壁面设置有内沟槽时，薄膜凝结形成的液膜会在自身的表面张力作用下，流向内沟槽内，使得内沟槽外的换热面上的液膜减薄，这样大大增加了传热效率。并且内沟槽在热交换管的长度方向上延伸，使得内沟槽内的液体能够及时顺内沟道流动排走，不至于积累过多的冷凝液而影响传热效果以及对内沟槽外的换热面上液膜的减薄效果。
一种热交换换热器

[发明专利]沟槽内壁锆无氧铜热处理方法-CN201510484422.5在审
发明人：叶茂;赵秀英;王淑青;胡婉婷;沈毅军;金涛;李伟强;郭永涛;侯兴远;侯志月 -专利权人：首都航天机械公司;中国运载火箭技术研究院
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C22F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及合金热处理技术领域，具体公开了一种沟槽内壁锆无氧铜热处理方法。一种沟槽内壁锆无氧铜热处理方法，包括：1、在氮气保护罐保护下，进行退火热处理；2、在氮气保护罐保护下，进行固溶热处理；在炉温不低于700℃时，将放置有零件的保护罐装入炉中，并将炉温加热到910℃～930℃后保温30min～40min，将零件从氮气保护罐中取出，在空气中自然冷却至室温；3、在氮气保护罐保护下，进行时效热处理；本发明所述的一种沟槽内壁锆无氧铜热处理方法，通过氮气保护罐保护工装，可有效防止锆无氧铜在热处理过程中氧化脱碳
沟槽内壁锆无氧铜热处理方法

[实用新型]一种耐磨轴承-CN202122274157.1有效
发明人：曹银红;高海洋 -专利权人：宁波静昌轴承有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： F16C33/58 文献下载
摘要：本申请提供了一种耐磨轴承，包括内圈、外圈和滚子，内圈的外壁上设有内沟槽，外圈的内壁上设有外沟槽，内沟槽和外沟槽沿内圈的径向对齐，滚子的其中一面位于内沟槽内，滚子的另一面位于外沟槽内，滚子分别与内沟槽以及外沟槽滚动连接，内沟槽内可拆卸式固定连接有第一内支承片和第二内支承片，第一内支承片为半圆形，内圈的中轴线、外圈的中轴线、内沟槽的中轴线以及外沟槽的中轴线位于同一直线上，第二内支承片为半圆形，第一内支承片与内沟槽的内壁平行，第二内支承片与内沟槽的内壁平行，第一内支承片与内沟槽的内壁紧密配合，第二内支承片与内沟槽的内壁紧密配合，第一内支承片和第二内支承片分别位于内圈的中轴线的两侧。
一种耐磨轴承

[发明专利]沟槽侧壁为(110)面的沟槽PMOS的制备方法-CN201010027333.5无效
发明人：金勤海;李冰 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽侧壁为(110)面的沟槽PMOS的制备方法，其为在通过光刻工艺在衬底上定义沟槽图形时，使刻蚀后的沟槽侧壁面为(110)晶面；而在刻蚀形成沟槽之后，在所述沟槽内壁注入氮离子；之后在所述沟槽内壁生长栅氧
沟槽侧壁 110 pmos 制备方法

[实用新型]一种热交换管及换热器-CN201721887593.3有效
发明人：许倍强;雷伟;唐立星;魏效辉;李志文;卢恩明 -专利权人：山东豪迈机械制造有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： F28F1/42 文献下载
摘要：管壁具有内壁面和外壁面，内壁面设置有内沟槽，内沟槽沿热交换管的长度方向延伸。本实用新型的换热器包括了该热交换管。当热交换管的内壁面设置有内沟槽时，薄膜凝结形成的液膜会在自身的表面张力作用下，流向内沟槽内，使得内沟槽外的换热面上的液膜减薄，这样大大增加了传热效率。并且内沟槽在热交换管的长度方向上延伸，使得内沟槽内的液体能够及时顺内沟道流动排走，不至于积累过多的冷凝液而影响传热效果以及对内沟槽外的换热面上液膜的减薄效果。
热交换管内沟槽换热器内壁面液膜本实用新型管壁换热减薄表面张力作用长度方向延伸影响传热效果碳化硅陶瓷传热效率换热设备冷凝液内沟道外壁面薄膜凝结延伸流动积累

[发明专利]翻新轮胎胎面花纹沟填充胶条硫化工艺-CN201010107741.1无效
发明人：余广华;王伟 -专利权人：重庆超科实业发展有限公司
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： B29D30/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种翻新轮胎胎面花纹沟填充胶条硫化工艺，步骤如下：1)根据胎面花纹沟槽体积大小选用未硫化的备用胶条；在胎面花纹沟槽内壁上涂刷硅油；将备用胶条挤入沟槽内；装上包封套，抽真空进罐硫化；轮胎硫化后，取出花纹胶条；2)将花纹胶条挂在挂架上，悬挂处贴上标签；3)根据胎面花纹型号和规格选取花纹胶条；将花纹胶条填入胎面花纹沟槽内；将胎面花纹沟槽内的花纹胶条固定；4)装上包封套，抽真空进罐硫化。本发明采用在胎面沟槽内可多次重复使用且寿命长、恰能充满沟槽、耐硫化温度和压力、有一定弹性和塑性、操作方便、易获取及成本低的花纹胶条；不但降低生产成本，提高胎面粘接质量，而且提高轮胎外观及耐磨质量。
翻新轮胎花纹填充硫化工艺

[实用新型]一种农业生产用肥料混匀装置-CN202020755689.X有效
发明人：蔡长江 -专利权人：蔡长江
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： B01F7/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种农业生产用肥料混匀装置，包括基土层，基土层的上方设有安装板，基土层设有沟槽，搅拌板位于沟槽内，沟槽内设有肥料混体，安装板上装设有电机，电机的电机轴上固定设置有转动轴，转动轴的外壁面与搅拌板固定连接提高了灌注在沟槽内液态粘稠状的肥料混体的搅拌混匀性，进而提高了浸入到土壤中的肥料混体的质量，大大保证果树的生长质量，可针对沟槽的凹凸内壁面进行稳定块的实时调节，实现了沿着沟槽内壁面进行滚动接触连接，整体提高了搅拌板在沟槽内移动时的调节顺畅性
一种农业生产肥料装置

[实用新型]自动排石轮胎胎面结构及具有该结构的轮胎-CN201821432043.7有效
发明人：陈洪涛;隋国建;盖磊 -专利权人：潍坊市跃龙橡胶有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： B60C11/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了自动排石轮胎胎面结构及具有该结构的轮胎，属于轮胎技术领域，自动排石轮胎胎面结构包括：胎面，其中：胎面两侧连接胎肩，胎肩上设有散热圆槽，胎面上沿圆周方向设有四条平行的主沟槽，主沟槽内壁沿圆周方向均匀弯曲，主沟槽内壁均匀设有小沟槽，位于中间相邻的两条所述主沟槽组成中心区域，中心区域设有多个平行的横向沟槽，位于中间的主沟槽和两侧的主沟槽组成侧区域，侧区域上包括沿圆周方向设置的侧沟槽和所述侧沟槽与主沟槽通过连接条连接组成的花纹块
主沟槽轮胎胎面结构沿圆周方向排石轮胎本实用新型中心区域侧区域花纹沟内壁胎面花纹平行轮胎技术领域横向沟槽散热圆槽使用寿命花纹块连接胎连接条小沟槽夹入石子环保安全

[实用新型]一种用于水利工程的河道闸门-CN202020232515.5有效
发明人：程庆增;程炎云;滕风舒 -专利权人：福建景恒建设有限公司
申请日： 2020-02-29 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： E02B7/28 文献下载
摘要：一种用于水利工程的河道闸门，应用于河道上，包括闸板以及用于驱动闸板上下移动的电机，河道设置有沟槽，沟槽的长度方向与河道的长度方向相互垂直，闸板的周侧与沟槽内壁相互贴合，闸板的下端面与沟底槽部抵接，沟槽沿其长度方向的一侧内壁开设有凹槽，凹槽的长度方向和沟槽的长度方向相同并且长度相等，凹槽内设置有密封板，密封板长度方向的两端分别与沟槽的两端抵接，密封板上下两端与凹槽的内壁相互贴合，沟槽内设置有用于驱动密封板部分伸出凹槽并且与闸板的一侧壁抵接的弹性件，密封板伸出凹槽的部分的一侧上方开设有导向面，闸板下端面的一侧与导向面抵接。
一种用于水利工程河道闸门

[发明专利]半导体结构、存储单元结构及半导体结构的制造方法-CN202310871392.8在审
发明人：谈亚丽 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构、存储单元结构及半导体结构的制造方法，半导体结构包括：基底，具有相对的第一面和第二面，且基底内具有相连通的沟槽和通孔，沟槽自第一面向第二面方向延伸，通孔位于沟槽与第二面之间；位于沟槽内且相互分立的第一栅极和第二栅极，第一栅极和第二栅极分别位于通孔相对两侧；第一栅介质层，至少位于第一栅极朝向沟槽的表面，且还位于第二栅极朝向沟槽的表面；第一半导体层，自第一面延伸至沟槽内壁，且还填充满通孔，其中，位于沟槽内的第一半导体层位于第一栅介质层远离第一栅极的表面、以及第一栅介质层远离第二栅极的表面。
半导体结构存储单元制造方法

[发明专利]沟槽式功率晶体管结构及其制造方法-CN201510461227.0在审
发明人：许修文 -专利权人：帅群微电子股份有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种沟槽式功率晶体管结构及其制造方法，其中沟槽式功率晶体管结构包括基材、磊晶层、沟槽栅极结构、基体区以及源极区；磊晶层位于基材上，并具有一沟槽；沟槽栅极结构位于磊晶层的沟槽中，包括底部介电结构、栅极介电层与栅极；底部介电结构位于沟槽下半部，其中底部介电结构包括一绝缘层以及一非导体结构，其中绝缘层形成于沟槽下半部的第一内壁面，并定义出一凹槽，且非导体结构填充于凹槽内；栅极介电层位于沟槽上半部的第二内壁面，栅极则位于沟槽内与栅极介电层连接；基体区位于磊晶层中，并环绕沟槽栅极结构；源极区位于基体区上方。本发明沟槽式功率晶体管结构与其制造方法可避免在沟槽中形成底部介电结构的过程中，在沟槽中形成缝隙。
沟槽功率晶体管结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202180020185.0在审
发明人：甲谷真吾 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：半导体装置(A1)具备：半导体层(11)，具有沟槽(10)；绝缘膜(12)，覆盖沟槽的内表面(10a)；导电体(13)，埋设在被绝缘膜覆盖的沟槽内；以及肖特基结层(15)，与邻接于沟槽的半导体层表面(11a半导体层表面在与沟槽的内壁面(10a1)邻接的部位具有越接近该内壁面、越向下位移的倾斜部(11a1)。
半导体装置以及制造方法

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