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[发明专利]硅基低漏电流固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器及制备方法-CN201510379030.2有效
发明人：廖小平;王小虎 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：本发明是一种硅基低漏电流固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器及制备方法，用具有固支梁栅的MOS管代替传统的MOS管。固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器由交叉耦合的固支梁栅NMOS管，谐振LC回路和恒流源构成。该交叉耦合振荡器中的固支梁栅NMOS管是制作在P型Si衬底上，该固支梁栅MOS管的栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成固支梁栅，固支梁栅下方设计有下拉电极板，下拉电极板接地，固支梁栅的锚区用多晶硅制作在栅氧化层上，该交叉耦合振荡器中的固支梁栅MOS管关断时，固支梁栅是悬浮的，栅极氧化层中的场强比较小，因此该振荡器在工作时的栅极漏电流大大减小,从而使得该硅基固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器的功耗得到有效的降低。
硅基低漏电流固支梁栅 mos 交叉耦合振荡器制备方法

[发明专利]面向物联网硅基SIW带金属柱固支梁可重构带通滤波器-CN201710431163.9有效
发明人：廖小平;陈子龙 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向物联网的硅基SIW带金属柱固支梁可重构带通滤波器，包括SIW带通滤波器、转接结构(3)和带金属柱的MEMS固支梁结构。带金属柱的MEMS固支梁结构包括MEMS固支梁(6)，MEMS固支梁依靠锚区(7)的支持悬浮在硅衬底(1)之上，MEMS固支梁的下表面上设置有金属柱(11)，硅衬底对应金属柱的位置开设有孔(14)，且该孔(14)穿过硅衬底(1)上的氮化硅层(10)和上表面金属层(5)进入硅衬底(1)中。本发明只需要通过控制MEMS固支梁的状态就能够改变滤波器通带的中心频率，达到切换滤波器通带中心频率的目的，MEMS固支梁可以实现快速的DOWN态和UP态的转换，可以有效地实现微波电路中对滤波器滤波范围的控制
面向联网 siw 金属柱固支梁可重构带通滤波器

[发明专利]硅基低漏电流固支梁栅MOSFET或非门的RS触发器-CN201510379674.1有效
发明人：廖小平;陈子龙 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H03K3/012 文献下载
摘要：本发明的硅基低漏电流固支梁栅MOSFET或非门的RS触发器包括由第一固支梁栅NMOS管(1)和第二固支梁栅NMOS管(2)组成的第一或非门(G1)，由第三固支梁栅NMOS管(3)和第四固支梁栅NMOS管(4)组成的第二或非门(G2)和两个阻值较大的电阻构成，该RS触发器制作在P型硅衬底上，四个NMOS管的栅极悬浮在二氧化硅层之上，用Al制作而成；下拉电极在固支梁栅下的部分被在二氧化硅层覆盖，下拉电极接地；NMOS管的固支梁栅的下拉电压设计得与NMOS管的阈值电压相等，只有当固支梁栅上所加的电压大于NMOS管的阈值电压，该固支梁栅才能下拉并接触二氧化硅层从而使固支梁栅NMOS管反型导通，正因为如此，就使本发明中的
硅基低漏电流固支梁栅 mosfet 非门 rs 触发器

[发明专利]基于微机械硅基固支梁的相位检测器及检测方法-CN201210204577.5有效
发明人：廖小平;华迪 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01R25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于微机械硅基固支梁的相位检测器及检测方法，该相位检测器包括硅衬底（1），生长在硅衬底（1）表面上的用于输出饱和电流的源极（2）和漏极（3），源极（2）与漏极（3）相对设置，第一固支梁锚区（61），第二固支梁锚区（62），栅极（5），设置在在该栅极（5）上方且与栅极（5）相对的固支梁（7）。检测方法包括如下步骤：当在第一下拉电极（81）和第二下拉电极（82）分上加载直流偏置时，固支梁（7）被下拉且与栅极（5）接触，两个频率相同而存在一定相位差的微波信号同时加载到栅极（5）上；漏极（3）饱和电流经处理滤去高频信号
基于微机械硅基固支梁相位检测器检测方法

[发明专利]硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器-CN201510379019.6有效
发明人：廖小平;王小虎 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H03F3/213 文献下载
摘要：本发明的硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器，由三个固支梁栅NMOS管，一个固支梁栅PMOS管，恒流源和LC回路构成。三个固支梁栅NMOS区别仅在于它们的固支梁栅的形状不同，第一固支梁栅NMOS管(1)的固支梁栅为宽梁，第二固支梁栅NMOS管和第三固支梁栅NMOS管的固支梁栅为窄梁。该功率放大器的固支梁栅MOS管是制作在Si衬底上，其栅极是依靠锚区的支撑悬浮在栅氧化层上方的，形成固支梁结构。当固支梁栅MOS管关断，固支梁处于悬浮状态，也就没有栅极漏电流，从而降低了电路的功耗，该交叉耦合的固支梁栅MOS管能够提供负阻给LC回路，从而补偿LC回路中电感的寄生电阻，从而提高本发明的乙类推挽功放输出端
硅基低漏电流固支梁栅 mos 乙类功率放大器

[发明专利]硅基低漏电流双固支梁可动栅倍频器-CN201510386965.3有效
发明人：廖小平;韩居正 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明的硅基低漏电流双固支梁可动栅MOSFET倍频器，由硅衬底，N型增强型MOSFET，以及外接的低通滤波器，压控振荡器，除法器、高频扼流圈构成。MOSFET的栅极是两个悬浮在栅氧化层上的固支梁，下拉电压设计为MOSFET的阈值电压，由直流偏置控制。参考信号和反馈信号加载在两个固支梁可动栅上。两个固支梁可动栅均悬浮不与栅氧化层接触时，MOSFET截止，能减小栅极漏电流。两个固支梁可动栅均下拉与栅氧化层接触时，MOSFET导通，参考信号和反馈信号输入到MOSFET实现相乘，通过外接电路最终输出参考频率的倍频信号。另外，单个固支梁可动栅下拉后，可实现对单个选通信号的放大，使电路具有多功能。本发明降低漏电流，体积更小，且实现多功能。
硅基低漏电流双固支梁可动栅倍频器

[发明专利]硅基低漏电流双固支梁可动栅锁相环电路-CN201510378619.0有效
发明人：廖小平;韩居正 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：本发明的硅基低漏电流双固支梁可动栅MOSFET锁相环电路，由硅衬底，N型增强型MOSFET，外接的低通滤波器，压控振荡器，高频扼流圈构成。MOSFET的栅极是两个悬浮在栅氧化层上的固支梁，由直流偏置控制，下拉电压设计为MOSFET的阈值电压，参考信号和反馈信号分别加载到两个固支梁可动栅上。当两个固支梁可动栅均悬浮不与栅氧化层接触时，MOSFET截止，栅电容较小，能够减小栅极漏电流。当两个固支梁可动栅均下拉与栅氧化层接触时，MOSFET导通，参考信号和反馈信号经MOSFET相乘输，漏极输出包含两信号的相位差信息，通过低通滤波器和压控振荡器反馈循环实现相位锁定。下拉单个固支梁可动栅，可实现对单个信号的放大，电路具有多功能。
硅基低漏电流双固支梁可动栅锁相环电路

[发明专利]硅基低漏电流固支梁栅的环形振荡器及制备方法-CN201510379539.7有效
发明人：廖小平;褚晨蕾 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明是一种硅基低漏电流固支梁栅的环形振荡器及其制备方法，该环形振荡器由三个CMOS倒相器首尾相接而构成，而这三个CMOS倒相器是由具有MEMS固支梁栅的NMOS和PMOS组成。整个环形振荡器基于Si衬底制作，其中的NMOS和PMOS的栅极是悬浮在栅氧化层上方的固支梁，该固支梁由Al制作，在固支梁栅下方有两个下拉电极，其中NMOS固支梁栅下方的下拉电极是接地的，而POMS固支梁栅下方的下拉电极是接电源电压的，固支梁栅NMOS管和固支梁栅PMOS管的阈值电压的绝对值设计为相等，固支梁栅的下拉电压设计为MOS管的阈值电压的绝对值。
硅基低漏电流固支梁栅环形振荡器制备方法

[发明专利]一种硅基太赫兹开关-CN202310701026.8在审
发明人：赵嘉昊;赵晓光;孙振词 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01P1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基太赫兹开关，包括硅结构、第一电极、超材料结构、绝缘层、衬底和第二电极；所述硅结构包括由外向内依次相连的固支结构、支撑梁和硅板；所述第一电极设置在所述固支结构的上表面上；所述超材料结构设置在所述硅板的下表面上；所述绝缘层覆盖在所述超材料结构上；所述衬底的上表面上设有凹槽，所述固支结构设置在所述衬底的上表面上，所述支撑梁、所述硅板、所述超材料结构及所述绝缘层悬空地位于所述凹槽的凹口处；所述第二电极设置在所述凹槽的凹底面上本发明硅基太赫兹开关的器件吸收率、调制对比度均高，半高全宽值小，且驱动功耗低，切换速度快、控制简单。
一种硅基太赫兹开关

[发明专利]硅基低漏电流双固支梁可动栅NMOS相位检测器-CN201510378247.1有效
发明人：廖小平;闫浩 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H03L7/093 文献下载
摘要：本发明的硅基低漏电流双固支梁可动栅NMOS相位检测器，由双固支梁可动栅NMOS管和低通滤波器构成。NMOS管为增强型，制作在Si衬底上，栅极悬浮在栅氧化层上方，与下拉电极和绝缘层共同构成一个固支梁可动结构。固支梁的下拉偏置电压设计等于NMOS管的阈值电压。当双固支梁都被下拉时，输入信号通过双固支梁可动栅NMOS管实现信号相乘，经低通滤波器后完成相位检测。当仅其中一个固支梁被下拉时，器件具有较高击穿电压，被选通的信号经过双固支梁可动栅NMOS管实现信号放大，从而使得同一电路可以在信号放大与相位检测两种不同模式下切换。同时由于固支梁可动栅的设计使得器件减小了漏电流，有效地降低了漏电流功耗。
硅基低漏电流双固支梁可动栅 nmos 相位检测器

[发明专利]硅基低漏电流固支梁栅场效应晶体管差分放大器-CN201510377658.9有效
发明人：廖小平;陈子龙 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明的硅基低漏电流固支梁栅场效应晶体管差分放大器由两个固支梁栅NMOS管和一个恒流源构成，两个NMOS管的源极连接在一起，共同与下方恒流源相连，恒流源接地，两个NMOS管的栅极共同作为交流信号的输入端，两个NMOS管的漏极分别与电阻相接，该差分放大器制作在P型硅衬底上，两个NMOS管的栅极悬浮在二氧化硅层之上，用Al制作而成；下拉电极在固支梁栅下的部分被在二氧化硅层覆盖，下拉电极通过高频扼流圈接地；只有当固支梁栅上所加的电压大于NMOS管的阈值电压，该固支梁栅才能下拉并接触二氧化硅层从而使固支梁栅NMOS管反型导通，当所加电压小于NMOS管的阈值电压时固支梁栅就不能下拉，使差分放大器具有较小的直流漏电流
硅基低漏电流固支梁栅场效应晶体管差分放大器

[发明专利]硅基低漏电流固支梁栅CMOS传输门及制备方法-CN201510378713.6有效
发明人：廖小平;王凯悦 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明是一种硅基低漏电流固支梁栅CMOS传输门及制备方法，该传输门由固支梁栅NMOS管和固支梁栅PMOS管构成。该传输门的MOS管的制作在Si衬底上，其栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成固支梁结构。固支梁栅的下方设计有电极板。固支梁栅下拉电压设计为等于MOS管的阈值电压的绝对值。当在固支梁栅与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，固支梁栅是悬浮在栅氧化层的上方，而只有在固支梁栅与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，固支梁栅才会下拉到贴在栅氧化层上，此时若输入端与输出端的电平值不同
硅基低漏电流固支梁栅 cmos 传输制备方法

[发明专利]硅基低漏电流固支梁栅MOS管倒相器及制备方法-CN201510379914.8有效
发明人：廖小平;王凯悦 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明是一种硅基低漏电流固支梁栅MOS管倒相器及制备方法，该倒相器由固支梁栅NMOS管和固支梁栅PMOS管构成。该倒相器的MOS管的制作在Si衬底上，其栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成固支梁结构。固支梁栅的下方设计有电极板，每个MOS管的电极板与该MOS管的源极短接。固支梁栅下拉电压设计为等于MOS管的阈值电压的绝对值。当在固支梁栅与电极板间的电压小于阈值电压时，固支梁栅是悬浮在栅氧化层的上方，而只有在固支梁栅与电极板间的电压达到或大于阈值电压时，固支梁栅才会下拉到贴在栅氧化层栅氧化层上，从而使MOS管导通。
硅基低漏电流固支梁栅 mos 管倒相器制备方法

[发明专利]硅基低漏电流双固支梁可动栅分频器-CN201510379719.5有效
发明人：廖小平;韩居正 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H03K23/00 文献下载
摘要：本发明的硅基低漏电流双固支梁可动栅MOSFET分频器，由硅衬底，N型增强型MOSFET，以及外接的低通滤波器，压控振荡器，乘法器、高频扼流圈构成。MOSFET的栅极是两个悬浮在栅氧化层上的固支梁，作为参考信号和反馈信号的输入，下拉电压设计为MOSFET的阈值电压，由直流偏置控制。两个固支梁可动栅均悬浮时，栅极不与栅氧化层接触，MOSFET截止，能减小栅极漏电流，降低功耗。两个固支梁可动栅均下拉与栅氧化层接触时，MOSFET导通，参考信号和反馈信号经MOSFET相乘，通过外接低通滤波器、压控振荡器以及乘法器的循环反馈得到参考频率的分频信号。下拉单个固支梁可动栅，可实现对单个信号的放大，使电路具有多功能。本发明降低功耗，体积更小，实现多功能。
硅基低漏电流双固支梁可动栅分频器

[发明专利]基于固支梁压阻效应的微波功率传感器-CN201810420335.7有效
发明人：张焕卿;宁楠楠;陆颢瓒;王德波 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01R21/10 文献下载
摘要：本发明是一种基于固支梁压阻效应的微波功率传感器，包括高阻硅衬底，在高阻硅衬底上设置有共面波导传输线、固支梁，共面波导传输线包括CPW信号线和CPW地线，在CPW地线与CPW信号线之间还分别设置有固支梁桥墩，固支梁的两端分别通过固支梁桥墩固定在CPW信号线的上方，固支梁的两端通过固支梁桥墩与高阻硅衬底相连，在CPW信号线的正上方、固支梁的上表面设置有金属质量块，固支梁的上下表面均设置有扩散电阻，微波功率传感器工作时固支梁形变导致固支梁表面应力变化
基于固支梁压阻效应微波功率传感器

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