专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种合格栅管的加工方法-CN202110332254.3在审
  • 王方华;陈定平;罗春林;肖力 - 成都腾达模具有限公司
  • 2021-03-29 - 2021-06-29 - B21D22/02
  • 本发明提供了一种合格栅管的加工方法,对待加工圆管进行长度检测,长度检测合格的待加工圆管通过成型加工为管,长度检测不合格的待加工管进入废料框;成型加工完成后,检测管的内切圆尺寸,内切圆尺寸检测合格的管再进行对边尺寸的检测,内切圆尺寸检测不合格的管进入废料框;对边尺寸检测不合格的管进入废料框,对边尺寸检测合格的管为生产的产品,解决了现有技术中的管加工质量难以保证的技术问题。本发明利用成型加工生产管,通过检测待加工圆管长度、内切圆尺寸和对边尺寸,保证生产的管均为合格的管。
  • 一种格栅加工方法
  • [发明专利]针对反应堆逐棒计算中解析求解不连续因子的方法-CN201610127924.7有效
  • 李云召;张斌;吴宏春 - 西安交通大学
  • 2016-03-07 - 2018-05-18 - G06F17/10
  • 针对反应堆逐棒计算中解析求解不连续因子的方法,1、统计信息,首先对非均匀组件进行高阶输运计算,然后计算得到组件中各个的均匀化截面以及平均中子通量密度、各表面的净中子流密度和中子通量密度;2、解析求解各表面的均匀化中子面通量密度,根据推导出的公式利用前面统计出的信息求出各表面的均匀化中子面通量密度;3、根据定义式求出不连续因子;本发明能够在堆芯逐棒计算采用e指数展开节块法时,解析求解出均匀面通量,从而得到正确的不连续因子,无需进行额外的均匀化问题求解;在非均匀解已知的情况下,均匀化低阶计算能够很好的恢复高阶输运非均匀解。
  • 针对反应堆计算解析求解栅元不连续因子方法
  • [发明专利]级倍增内线帧转移CCD像素结构-CN202010199462.6有效
  • 王小东;熊平 - 中国电子科技集团公司第四十四研究所
  • 2020-03-20 - 2022-01-28 - H04N5/372
  • 本发明涉及像级倍增的IFT CCD像结构,特别涉及一种像级倍增内线帧转移CCD像素结构,该结构包括衬底、像倍增结构、像垂直转移区,所述像倍增结构由沟阻环绕并在一侧有开口,在所述像倍增结构和沟阻开口处的上方设置有像倍增;像垂直转移区在像光敏区的一侧,所述像垂直转移区由像垂直转移沟道和沟道上方的像垂直转移组成,所述像垂直转移的下方设置有像垂直转移下势垒,像垂直转移下势垒将像垂直转移沟道分割成几个独立部分,由像垂直转移下势垒控制光电信号在像内部的垂直转移;本发明可实现在前端像级的探测灵敏度提高,且可以对微光甚至单光子信号进行探测。
  • 像元级倍增内线转移ccd像素结构
  • [实用新型]渐变槽的沟槽超结MOSFET器件-CN201620257358.7有效
  • 白玉明;章秀芝;张海涛 - 无锡同方微电子有限公司
  • 2016-03-30 - 2016-08-17 - H01L29/78
  • 本实用新型提供一种渐变槽的沟槽超结MOSFET器件,包括至少一个胞,所述胞包括纵向连接的两个胞子部;在单个胞子部中,包括:N+型衬底,N+型衬底背面淀积漏极金属形成MOSFET器件的漏极,N+型衬底上生长有N‑型外延层;在胞子部的N‑型外延层两侧自顶部向下形成有P型柱深槽结构;在胞子部的N‑型外延层顶部中间形成有沟槽,沟槽作为MOSFET器件的栅极;在沟槽的侧壁和底部形成有起到隔离作用的氧层;纵向连接的两个胞子部中,沟槽槽宽度不同,且前后两个胞子部的沟槽槽宽度是渐变的。本实用新型可降低由漏电容突变引起的电磁干扰。
  • 渐变沟槽栅超结mosfet器件

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