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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]产生二元半导体材料磊晶层的方法-CN201480031683.5有效
发明人：艾力克西·安德里维奇·亚伦达伦柯;法拉利·阿纳托尔厄维奇·布若宾;安德利·弗拉基米洛维奇·泽里夫 -专利权人：艾力克西·安德里维奇·亚伦达伦柯;法拉利·阿纳托尔厄维奇·布若宾;安德利·弗拉基米洛维奇·泽里夫
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明有关微电子学领域，可通过金属‑有机化合物及氢化物之化学气相沉积产生III‑V化合物半导体材料及II‑VI化合物半导体材料的磊晶结构。申请专利范围是有关一种通过金属‑有机化学气相沉积法（MOCVD）于单晶基材上产生二元半导体材料的磊晶层之方法。此技术使异质磊晶结构之质量得到改善。
产生二元半导体材料磊晶层方法

[发明专利]有机金属化学气相沉积法的废气回收再生方法-CN201210528111.0无效
发明人：古明见 -专利权人：古明见
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B01D53/14 文献下载
摘要：本发明涉及有机金属化学气相沉积法的废气回收再生方法，其步骤包括：将有机金属化学气相沉积法(MOCVD)所产生的废气导入至水中；将含有有机金属化学气相沉积法的废气的水降温，以保存于水中的氨气，去除杂质；以及将前述含有氨气的水进行升温使氨气逸出；借由上述方法，可将有机金属化学气相沉积法制程的废气去除氮气、氢气以及甲烷等杂质后回收生产成可用氨气，达到废气循环再使用的目的。
有机金属化学沉积废气回收再生方法

[发明专利]一种薄膜封装方法及其结构-CN201610881373.3在审
发明人：赵长征;刘金强;敖伟;周斯然;罗志忠 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本申请的薄膜封装方法至少包括以下步骤：将待封装器件表面依次制备第一无机材料层、有机材料层和第二无机材料层，在制备第一无机材料层和/或第二无机材料层时，先采用物理气相沉积法或化学气相沉积法制备无机层A，然后采用原子层沉积法在无机层A的表面制备无机层B；或，先采用原子层沉积法制备无机层B，然后采用物理气相沉积法或化学气相沉积法在无机层B的表面制备无机层A。本申请利用了物理气相沉积法或化学气相沉积法与原子层沉积法制备得到复合无机层的致密度渐变，使制备得到的无机层与有机材料层的热膨胀系数偏差减小，提高了显示屏的耐弯折性能。
一种薄膜封装方法及其结构

[发明专利]一种有机膜层的制备方法、有机膜层结构及沉积设备-CN202210430645.3在审
发明人：赵文锋;李文茜;邱承彬 -专利权人：上海酷聚科技有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B05D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机膜层的制备方法、有机膜层结构及沉积设备，所述有机膜层的制备方法包括提供一种基材，采用化学气相沉积法在所述基材的表面沉积一有机膜层，并且所述有机膜层在所述基材的表面形成三维交联网络结构由于本发明中所述的有机膜层采用化学气相沉积法形成，该化学沉积方法中不包括射频放电、微波或者脉冲放电等手段，在沉积过程中不会破坏原料分子的基团，进而能够保证有机膜层的三维交联网络的致密均匀性。
一种有机制备方法结构沉积设备

[发明专利]固态摄像元件及其制造方法及包括该摄像元件的摄像装置-CN201010239532.2有效
发明人：押山到;宫田英治 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种固态摄像元件及其制造方法以及摄像装置，该固态摄像元件包括：半导体层，其中形成用于执行光电转换的光敏二极管；第一膜，包含负固定电荷，并且利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法形成在至少形成有光敏二极管的区域中的半导体层上；第二膜，包含负固定电荷，并且利用物理气相沉积法形成在其中包含负固定电荷的第一膜上；以及第三膜，包含负固定电荷，并且利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法形成在其中包含负固定电荷的第二膜上。
固态摄像元件及其制造方法包括装置

[发明专利]基于蓝宝石衬底的AlN薄膜及制备方法-CN201811625620.9在审
发明人：谭波;张骏;张毅;胡加辉;陈长清;戴江南 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的AlN薄膜及制备方法，所述基于蓝宝石衬底的AlN薄膜制备方法为：采用物理气相沉积法于蓝宝石衬底表面沉积30nm厚的AlN缓冲层；采用金属有机化学气相沉积法于所述AlN缓冲层表面沉积50nm厚的AlN插入层；采用金属有机化学气相沉积法于所述AlN插入层表面沉积1.5μm厚的AlN外延层。
蓝宝石衬底制备金属有机化学气相沉积法表面沉积外延层物理气相沉积法表面裂纹衬底表面位错缺陷有效减少平整度沉积

[发明专利]三族金属氮化物元件的制造方法-CN01109034.0无效
发明人：曾坚信;蔡文忠;陈聪育 -专利权人：连威磊晶科技股份有限公司
申请日： 2001-02-27 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明利用卤化物气相磊晶法、分子束磊晶法或有机金属化学气相沉积法在氧化铝基板上成长一层三族金属氮化物缓冲层,厚度在0.5μm以上,再用卤化物气相磊晶法或有机金属气相沉积法在缓冲层上成长一层三族金属氮化物厚磊晶层
金属氮化物元件制造方法

[发明专利]太阳能电池吸收层的制造方法-CN200480021388.8无效
发明人：崔寅焕 -专利权人：银太阳科技发展公司
申请日： 2004-05-27 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L31/0256 文献下载
摘要：本发明提供的制造太阳能电池用薄膜的方法包括：使用[Me₂In－(μSeMe)]₂前体，通过金属有机化学气相沉积法在基材上形成InSe薄膜；使用(hfac)Cu(DMB)前体，通过金属有机化学气相沉积法在InSe薄膜上形成Cu₂Se薄膜；并且使用[Me₂In－(μSeMe)]₂前体，通过金属有机化学气相沉积法在该方法还包括使用[Me₂Ga－(μSeMe)]₂前体，通过金属有机化学气相沉积法在CuInSe₂化合物薄膜上形成CuIn_1－
太阳能电池吸收制造方法

[发明专利]一种负载型炭催化剂的制备方法-CN201711348901.X有效
发明人：徐金铭;樊斯斯;黄延强;张涛;黄庆连;洪万墩;陈博明;吴建慧;郑雅文;温明宪;张朝钦;黄朝晟 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所;台湾塑胶工业股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： B01J27/20 文献下载
摘要：以多孔二氧化硅为催化剂载体，制备过程分两步，第一步用气相沉积法在氧化硅表面嫁接有机硅烷，再升高温度通入有机物在二氧化硅表面气相沉积负载炭。该方法可以可大幅度降低化学气相沉积反应温度与能耗，有效降低催化剂的成本。
一种负载催化剂制备方法

[发明专利]一种基于脱溴反应的化学气相沉积制备晶圆级有机分子薄膜的方法-CN202111367216.8在审
发明人：武斌;姚文乾;杨贺;刘云圻 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于脱溴反应的化学气相沉积制备晶圆级有机分子薄膜的方法。以含溴官能团有机小分子作为前驱体，利用化学气相沉积法，在铜的催化作用下使分子脱溴发生聚合，形成二维周期性结构的大面积连续的二维层状薄膜，即大面积、连续的、有机分子薄膜。本发明针对一类难溶的有机小分子，可制备大面积的薄膜，且厚度为纳米级可控，而现有有机薄膜制备方法多为旋涂法和溶液法，旋涂法要求具有一定溶解性，溶液法对薄膜的厚度可控性有限。
一种基于反应化学沉积制备晶圆级有机分子薄膜方法

[发明专利]一种二维金属有机框架材料的制备方法及产物-CN201910795870.5有效
发明人：周晔;周奎;韩素婷 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维金属有机框架材料的制备方法及产物。本发明主要采用将金属源、衬底以及有机源放入化学气相沉积反应器中，所述衬底设置在所述金属源上方，采用化学气相沉积法，在所述衬底表面生成二维金属有机框架材料。本发明采用化学气相沉积的方法制备二维金属有机框架，通过调控反应过程的反应条件，可以控制所制得的二维MOF材料的层数以及横向尺寸，从而实现了大面积连续二维MOF薄膜的制备。
一种二维金属有机框架材料制备方法产物

[发明专利]回收含有有机金属或粉尘的废气中的氨气的方法-CN201110384085.4无效
发明人：李昆池 -专利权人：昆山科技大学
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C01C1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种回收含有有机金属或粉尘的废气中的氨气的方法，主要为解决习用技术的处理含氨废气方法的未能解决废水中含有机金属及粉尘的问题，本发明的回收含有有机金属或粉尘的废气中的氨气的方法包含：A.将含有有机金属或粉尘及氨气的废气导引至一第一空间中；B.在该第一空间中以一碱洗溶液施以一循环碱洗程序；C.使废气中的氨气在该循环碱洗程序中与废气中的有机金属或粉尘分离；D.收集上述C步骤所分离出的氨气。本发明的回收含有有机金属或粉尘的废气中的氨气的方法可提供光电半导体或太阳能电池等产业回收进行有机金属化学气相沉积法(MOCVD)或电浆辅助化学气相沈积法(PECVD)或化学气相沉积法(CVD)后产生的废气的回收应用
回收含有有机金属粉尘废气中的氨气方法

[发明专利]一种碳纳米管表面镀镍膜改性的方法-CN201210480048.8无效
发明人：袁凤艳;李金普;孟庆伟;李一;郑难忘;柳学全;高士龙;李楠;丁存光 -专利权人：吉林吉恩镍业股份有限公司
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C23C16/16 文献下载
摘要：方法为：首先将碳纳米管放入气相沉积室，并通惰性气体置换气相沉积室的空气5min，然后加热升温沉积室温度至100℃～180℃；以惰性气体为载带气，将气化的四羰基镍载入气相沉积室，使四羰基镍在碳纳米管表面吸附并热分解为金属镍优点为采用四羰基镍为前驱体的金属有机化学气相沉积法，在碳纳米管表面沉积镍薄膜时，沉积温度低，沉积速率快，气态四羰基镍和载气流量可控，碳纳米管表面膜层均匀、致密，较液相法镀的镍膜纯度高、活性好、膜厚度可控
一种纳米表面镀镍膜改性方法

[发明专利]提高MicroLED芯片亮度的方法-CN202211549463.4在审
发明人：何赟;罗珊 -专利权人：深圳市帝晶光电科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：提高Micro LED芯片亮度的方法，包括如下步骤：步骤一：使用金属有机化学气相沉积法在半导体衬底上生成N‑GaN半导体层；步骤二：对N‑GaN半导体层远离半导体衬底的平面进行蚀刻，得到表面生成棱形的N‑GaN半导体层；步骤三：使用金属有机化学气相沉积法在蚀刻出棱形的N‑GaN半导体层上生成量子阱；步骤四：使用金属有机化学气相沉积法在量子阱上生成P‑GaN半导体层；步骤五：对P‑GaN半导体层远离半导体衬底的平面进行刻蚀
提高 microled 芯片亮度方法

[发明专利]有机金属化合物-CN200710141351.4有效
发明人： D·V·舍奈－卡特克哈特;Q·M·王 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2007-07-31 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： C07F19/00 文献下载
摘要：本发明提供含有给电子基团取代的烯基配体的有机金属化合物。这类化合物特别适合用作气相沉积的前体。还提供了例如通过ALD法和CVD法，用此类化合物沉积薄膜的方法。
有机金属化合物

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