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[发明专利]一种异源交联物及其在风疹病毒检测中的应用-CN201510015885.7有效
发明人：潘剑用;周海涛;闵丹 -专利权人：英科隆生物技术（杭州）有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C07K16/46 文献下载
摘要：本发明提供一种异源交联物，包括由小鼠anti‑RV McAb和健康的未感染RV的人IgG所形成的四聚体形式的异源交联抗体，所述抗体可作为一种病人阳性血液中风疹病毒抗体的替代物，经稀释液稀释后，作为替代病人阳性血液的质控品用于免疫检测试剂盒中所述异源交联物生产制备简单、成本低，同时具有非常好的安全性和稳定性，可有效降低检测误差。
一种交联及其风疹病毒检测中的应用

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201010145088.8无效
发明人：尹海洲;朱慧珑;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：根据本发明，一种制作半导体器件的方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成晶体管结构，该晶体管结构包括栅极区以及源/漏区，栅极区包括在半导体衬底上形成的栅极介质层以及在栅极介质层上形成的牺牲栅；沉积第一层间介质层，对第一层间介质层进行平坦化，以露出牺牲栅；去除牺牲栅，形成替代栅孔；在第一层间介质层中与源/漏区相对应的位置形成第一接触孔；以及在第一接触孔以及替代栅孔中填充第一导电材料，以形成第一接触部和替代栅，第一接触部与源根据本发明，替代栅和第一接触部可在同一步骤中通过沉积相同材料来形成，因此简化了制造工艺。
半导体器件及其制作方法

[其他]一种半导体器件-CN201090000829.7有效
发明人：尹海洲;朱慧珑;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-09-16 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：该方法包括：提供半导体衬底(1001)，在半导体衬底(1001)上形成晶体管结构，该晶体管结构包括栅极区(100)以及源漏区(200)，栅极区包括在半导体衬底(1001)上形成的栅极介质层(1002)以及在栅极介质层(1002)上形成的牺牲栅(1003)；沉积第一层间介质层(1006)，对第一层间介质层(1006)平坦化以露出牺牲栅(1003)；去除牺牲栅(1003)以形成替代栅孔(1003′)；在第一层间介质层(1006)中与源漏区相对应的位置形成第一接触孔(1009)；以及在第一接触孔(1009)以及替代栅孔(1003′)填充第一导电材料，形成第一接触部(1010)和替代栅(1003”)，第一接触部(1010)与源漏区相接触。由于替代栅和第一接触部可在同一步骤中通过沉积相同材料来形成，因此简化了制造工艺。
一种半导体器件

[发明专利]一种用于电量多数据源自动替代的方法-CN201210555300.7有效
发明人：陈琪;翟长国;程昱舒;谢敏;黄小鉥;蔚晓明;赵园 -专利权人：中国电力科学研究院;国家电网公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：本发明提供一种用于电量多数据源自动替代的方法，基于用于电量多数据源自动替代的系统，系统包括应用服务器、中间件服务器和数据库服务器，方法包括：步骤S1，应用服务器对采集的电量数据进行分析，确定有电量缺失数据时，对电量缺失数据进行封装后传入中间件服务器；步骤S2，中间件服务器根据封装后的电量缺失数据按照优先级分配顺序和替代规则依次进行电量缺失数据的数据源替代形成新的封装的电量数据；步骤S3，电量缺失数据的数据源替代成功时将形成的新的封装的电量数据存入数据库服务器本发明提供的一种用于电量多数据源自动替代的方法，设置中间件服务器实现电量缺失数据的自动替代，解决电能量采集数据缺失影响后续实时线损分析的问题。
一种用于电量多数源自替代方法

[实用新型]雷达抗干扰测试系统-CN202222880612.7有效
发明人：夏冬雪 -专利权人：深圳市蓉声科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01S7/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种雷达抗干扰测试系统，用于对待测雷达进行性能测试，包括雷达测试系统和雷达干扰源系统；所述雷达测试系统与待测雷达的连线同竖直方向垂直；所述雷达干扰源系统设置于所述雷达测试系统邻近区域；所述雷达干扰源系统为紧缩场系统本实用新型雷达抗干扰测试系统中，采用紧缩场替代干扰源系统，待测雷达接受紧缩场干扰源的平面波信号，使得测试环境接近实际环境，并且，紧缩场的增益至少为40dBm，其替代干扰源天线后，干扰增益功率大大增加，使得测试不受抗干扰系统本身输出的最大增益功率的局限
雷达抗干扰测试系统

[发明专利]倒梯形替代栅极的制作方法-CN201210230815.X有效
发明人：王新鹏;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒梯形替代栅极的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次沉积栅氧化层和多晶硅层，在多晶硅层的表面形成图案化的光阻胶层，图案化光阻胶层所覆盖的区域定义倒梯形替代栅极上表面的宽度；以所述图案化的光阻胶层为掩膜，脉冲式刻蚀所述多晶硅层形成倒梯形替代栅极；所述脉冲式刻蚀源功率的高电平和偏置功率的低电平处于同一脉冲宽度内；或者源功率的低电平和偏置功率的高电平处于同一脉冲宽度内。采用本发明能够形成理想形状的倒梯形替代栅极。
梯形替代栅极制作方法

[发明专利]采用抬高的源极漏极和替代金属栅极的互补型金属氧化物半导体集成电路-CN200680022184.5有效
发明人： J·卡瓦利洛斯;A·卡佩拉尼;J·布雷斯克;S·达塔;M·多奇;M·梅茨;C·巴恩斯;R·曹 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-06-21 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体集成电路，其可以形成有PMOS器件，而该PMOS器件可利用替代金属栅极及抬高的源极漏极形成。抬高的源极漏极可以由掺杂了P型的外延沉积锗硅材料形成。替代金属栅极过程产生了金属栅电极，并且可能会涉及到氮化物蚀刻阻止层的去除。
采用抬高源极漏极替代金属栅极互补氧化物半导体集成电路

[发明专利]一种基于去噪扩散模型的模型安全性评估方法-CN202310911643.0有效
发明人：魏志强;高国峰;王晓东;张程昊 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G06F21/57 文献下载
摘要：本发明属于信息安全技术领域，公开了一种基于去噪扩散模型的模型安全性评估方法，包括以下步骤：将目标模型的分类样本送入初始生成器生成初始数据；使用去噪扩散模型扩充初始数据，生成额外数据；通过残差结构融合初始数据和额外数据，得到多源查询样本；通过多源查询样本和目标模型预测结果训练替代模型和生成器模型；计算替代模型和目标模型的功能相似度，评估目标模型的安全性。针对未知架构的人工智能模型，本发明在不访问目标模型训练数据集的基础上，通过去噪扩散模型和残差结构生成高质量的多源查询样本，从而使替代模型对目标模型进行高效地拟合，提升目标模型安全性评估效率。
一种基于扩散模型安全性评估方法

[实用新型]氧化物半导体晶体管-CN201320842722.2有效
发明人：刘玉成;蔡世星;袁波 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氧化物半导体晶体管，包括：基板；形成在基板上的氧化物半导体层；形成在氧化物半导体层上的栅电极绝缘层；形成在氧化物半导体层上的替代功能层；形成在替代功能层上，位于栅电极绝缘层两侧的源/其通过在氧化物半导体层上制备替代功能层，代替氧化物半导体层作为引线使用，有效减小了源/漏电极与氧化物半导体层间的接触电阻，并通过自对准结构，减小了栅电极与源/漏电极之间的寄生电容，实现了顶栅结构的氧化物半导体晶体管的应用
氧化物半导体晶体管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910092514.3有效
发明人：尹海洲;朱慧珑;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-09-16 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出了一种双接触孔形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成源极/漏极区域和替代栅结构，替代栅结构包括多晶硅栅；沉积第一层间介电层；对第一层间介电层进行平坦化处理，以暴露出替代栅结构中的多晶硅栅；去除多晶硅栅，并沉积形成金属栅；在第一层间介电层中刻蚀出第一源/漏区接触孔开口；在第一源/漏区接触孔开口中顺序沉积衬里和填充导电金属，以形成第一源/漏区接触孔；在第一层间介电层上沉积第二层间介电层；在第二层间介电层中刻蚀出第二源/漏区接触孔开口和栅区接触孔开口；以及在第二源/漏区接触孔开口和栅区接触孔开口中顺序沉积衬里和填充导电金属，以形成第二源/漏区接触孔和栅区接触孔。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]基于可控硅整流器的静态转换开头装置和方法-CN200580004264.3有效
发明人： M·N·马沃利;T·D·布什 -专利权人：利伯特公司
申请日： 2005-02-09 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H02J9/06 文献下载
摘要：改善电压源转换交换用的装置和方法。第一和第二电压源(主电压源和替代电压源)可通过相应的包括可控硅整流器的第一和第二开关连接至一个负载。控制器按照不同的转换方法操作这些开关。该控制器通过接通该适当的替代电源开关一段短时间强制该主电源开关换向关断。在这种情况下，该替代电源开关是“脉冲的”(而不是连续地接通的)，使得该开关在下一个电流过零点自然换向关断。
基于可控硅整流器静态转换开头装置方法

[发明专利]一种基于环保目标约束的电能替代策略实施的运行方法-CN201911142198.6在审
发明人：马大卫;张波;尤佳;张本耀;金备;黄齐顺;何军;凌默侬;王克峰;陈剑;王润芳;朱仁斌;张其良;程靖 -专利权人：国网安徽省电力有限公司电力科学研究院;国网安徽省电力有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明提供的一种基于环保目标约束的电能替代策略实施的运行方法，包括颗粒物采样、实验室分析、颗粒物污染源解析、电能替代量统计、电能替代效果评估和电能替代实施策略步骤，能够定量研究出电能替代与环境改善之间的关系，准确评价出电能替代实施的环境效益，使得电能替代与实现环保目标形成良性互动，能够根据效率比和大气颗粒物污染占比率，及时进行相关电能替代项目调整，保证电能替代项目实施后带来最大环境效益，同时潜在需要实施的对象的挖掘为电能替代推广者提供强有力抓手，从而保障年度电能替代量持续增加。
一种基于环保目标约束电能替代策略实施运行方法

[发明专利]用于ELISA检测黄曲霉毒素的标准品通用替代物、其制备方法及黄曲霉毒素ELISA检测方法-CN201210117617.2无效
发明人：李培武;管笛;张奇;张文;丁小霞 -专利权人：中国农业科学院油料作物研究所
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C07K16/42 文献下载
摘要：本发明涉及用于ELISA检测黄曲霉毒素的标准品通用替代物、其制备方法及黄曲霉毒素ELISA检测方法。用于ELISA检测黄曲霉毒素的标准品通用替代物，其特征在于：它为可识别各鼠源抗黄曲霉毒素单克隆抗体的兔抗鼠抗体。它是以鼠源抗黄曲霉毒素B1单克隆抗体、抗黄曲霉毒素M1单克隆抗体和抗黄曲霉毒素G1单克隆抗体作为混合抗原，经免疫新西兰长耳大白兔，颈动脉取血，血清亲和纯化后获得。该标准品通用替代物无毒无害，可分别通过替代黄曲霉毒素ELISA检测方法中各相应黄曲霉毒素标准品来定量检测样品中的各相应黄曲霉毒素浓度。
用于 elisa 检测黄曲霉毒素标准通用替代制备方法

[发明专利]一种采用CT替代电流感测电阻的电压控制电流源电路-CN201510690911.6有效
发明人：费益军;陈杰;郑欢;周立;曹京荥;候宪华;李忠华 -专利权人：国家电网公司;江苏省电力公司;江苏省电力公司电力科学研究院
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用CT替代电流感测电阻的电压控制电流源电路，结合大电流输出的特点对浮动负载型和接地负载型电压控制电流源电路拓扑结构进行改进，通过引入采样精密CT来替代传统的电流感测电阻，CT一次侧直接串接在功率运算放大器输出回路中，二次侧经接转换电阻进行电压信号的反馈，这种方式消除了浮动负载型和接地负载型电压控制电流源电路因电流感测电阻而对电路电流输出能力的限制，避免了因电流流过电流感测电阻产生功耗，从而使电压控制电流源效率大大提高
一种采用 ct 替代流感电阻电压控制电流电路

[发明专利]一种无源加压翻转式生态环保工程绿化装置-CN202111640890.9有效
发明人：刘念 -专利权人：江苏和润安装防腐工程有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： A01G25/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种无源加压翻转式生态环保工程绿化装置，包括对称翻转式洒水组件、无源吸附式收集组件、翻转驱动组件和供水组件。本发明属于环境绿化技术领域，具体是一种节能环保、喷灌范围广的无源加压翻转式生态环保工程绿化装置，本发明基于廉价替代品的技术原理，结合文丘里效应原理，利用结构简单的文丘里管替代传统的加压和加速单元，在无任何外加电源的情况下，使水流经过缩小的过流断面从而实现水流的无源加压，不仅精简了设备，提高了设备的可靠性，而且极大节约了电力资源。
一种无源加压翻转生态环保工程绿化装置