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[发明专利]半导体保护元件、半导体器件及其制造方法-CN200410028496.X无效
发明人：入野仁 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2004-03-12 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体保护元件，在其中热量不会以集中的方式产生，甚至将静电电流施加于具有高电阻值的区域上，而且半导体器件的面积没有增加。N型阱具有第一暴露区域，暴露于半导体衬底之上，并且硅化物层的形成使得两个N+扩散层中的每一个都部分地具有第二暴露区域，第二暴露区域被先后暴露出来，以便与第一暴露区域相接触。第一暴露区域被夹于两个N+扩散层中间。
半导体保护元件半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种胶带-CN202121150809.4有效
发明人：甘宏宇;巫妍;黄杰;方敬;杰弗里·W·麦卡琴 -专利权人： 3M中国有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C09J7/21 文献下载
摘要：该第一层包括导电多孔介质和粘合剂，该粘合剂设置在该多孔介质中并延伸穿过该多孔介质的厚度，以在该第一主表面处限定暴露粘合剂的第一区域和暴露多孔介质的第一区域，并且在该第二主表面处限定暴露粘合剂的第二区域和暴露多孔介质的第二区域该第二主表面具有比该第一主表面更高分数的暴露多孔介质。该多孔介质可为非织造织物，并且暴露多孔介质的区域可为暴露纤维的区域。
一种胶带

[发明专利]微型LED及其制造方法-CN202180019209.0在审
发明人：穆罕默德·阿里;刘颖俊;朱彤彤 -专利权人：波拉科技有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种制造微型LED的方法包括以下步骤：在III族氮化物材料的多孔区域上方形成III族氮化物材料的n掺杂连接层；以及在n掺杂连接层上形成电绝缘掩模层。方法包括以下步骤：去除掩模的一部分以暴露n掺杂连接层的暴露区域；以及在n掺杂连接层的暴露区域上形成LED结构。一种制造微型LED阵列的方法包括以下步骤：去除掩模的一部分以暴露n掺杂连接层的暴露区域的阵列；以及在n掺杂连接层的各个暴露区域上形成LED结构。还提供了微型LED和微型LED阵列。
微型 led 及其制造方法

[实用新型]一种外阴癌术后方便裤-CN202120499618.2有效
发明人：尹迪;童帆;刘萍;郭明;王宁 -专利权人：首都医科大学宣武医院
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： A41D13/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种外阴癌术后方便裤，包含裤体，裤体的裆部设置有开口和引流孔，开口设置有暴露区域和片状结构，开口通过片状结构对暴露区域的朝向操作和远离操作形成暴露状态和闭合状态两种工作状态，片状结构按照能够遮盖开口的方式设置通过设置遮挡暴露区域的片状结构实现对暴露创伤的区域的遮挡，从而在增加患者舒适度的同时达到对暴露区域的无接触遮挡。
一种外阴术后方便

[发明专利]显示装置和用于制造显示装置的方法-CN202080088820.4在审
发明人：金贤硕;申憘龟;沈俊昊;姜泰旭;曹雨辰 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：根据实施例的用于制造显示装置的方法包括以下步骤：制备载体基板并且在载体基板的一个表面上形成牺牲层，牺牲层包括覆盖区域以及位于覆盖区域的至少一侧的暴露区域；在牺牲层的覆盖区域的一个表面上形成具有与牺牲层接触的一个表面的第一柔性材料，以暴露牺牲层的暴露区域；以及去除牺牲层的暴露区域。
显示装置用于制造方法

[发明专利]一种SOG‑MEMS芯片中防止ICP过度刻蚀的方法-CN201510701040.3有效
发明人：梁德春;刘福民;邢朝洋;徐宇新;李昌政;刘宇 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种SOG‑MEMS芯片中防止ICP过度刻蚀的方法，对于同时刻蚀掉多个矩形和刻蚀透多个同一线宽或不同线宽组成的线形，将光刻板上要刻掉多个矩形中的每个矩形设置中心非暴露区域(12)，使中心非暴露区域(12)与该矩形的边框，即外部非暴露区域(11)，中间形成待刻蚀的暴露区域(14)，且待刻蚀的暴露区域的宽度等于要刻穿的最小线形的线宽；该方法保证刻蚀条宽间的均一性，解决具有不同条宽结构刻蚀过程中Lag效应的问题，同时，当刻蚀完成时，中心非暴露区域(12)会掉到下面的支撑层(1)上，可以准确判断刻蚀已经完成。
一种 sog mems 芯片防止 icp 过度刻蚀方法

[发明专利]评估皮肤与个体之整体健康的方法-CN200410102273.3有效
发明人： G·N·斯塔马塔斯;N·科里亚斯;J·尼科洛夫斯基;B·C·维甘德 -专利权人：强生消费者公司
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：本发明系关于一种判定一皮肤区域之皮肤健康与一个体之整体健康的方法，其系藉由将该皮肤区域暴露于一第一暴露辐射下，以诱发该皮肤区域发出一第一荧光放射，测量该第一荧光放射之强度，将该皮肤区域暴露于一第二暴露辐射下，以诱发该皮肤区域发出一第二萤光放射，测量该第二萤光放射之强度，计算这些强度之比率，并将该比率与一控制比率做比较。
评估皮肤个体整体健康方法

[发明专利]图像区域处理期间暴露像素的自动着色-CN02104656.5有效
发明人：高拉夫·阿加沃尔;休格塔·戈萨尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2002-02-10 - 公布日： 2002-09-25 - 主分类号： G06T11/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于修正图像的系统和方法,其中,其具有向在图像处理操作期间暴露的像素分配色彩强度值能力,该系统包括用于使用在原始图像中剩余像素的色彩强度值的装置;以及用于向暴露像素分配与周围像素的色彩值相似的色彩值的装置,以便暴露区域与周围区域平滑地混合。
图像区域处理期间暴露像素自动着色

[发明专利]制造热保护复合材料的方法-CN201680023803.6有效
发明人：斯蒂芬·桑斯;伊登·夸克;迈克尔·邓巴·西尔科克;阿龙·布赖顿;阿什利·詹姆斯·登米德;内森·琼斯;胡戈·豪斯 -专利权人：碳革命有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： B05D1/00 文献下载
摘要：一种制造具有热保护层(24)的复合材料部件(10)的方法包括以下步骤：提供复合材料部件(10)，复合材料部件具有主纤维材料(12)，并且具有在复合材料部件的用于高热暴露的区域处覆盖在主纤维材料(12)上的替代纤维材料的底漆层(16)，所述区域限定热暴露区域(18)；将金属粘合层(22)施加到热暴露区域(18)的底漆层(16)，以在热暴露区域(18)处产生粘合表面；以及将陶瓷热保护层(24)施加到粘合表面，以使热暴露区域(18
制造保护复合材料方法

[发明专利]电子无标签的DNA和基因组测序-CN201780022393.8在审
发明人： C·崔;陈成浩;P·W·莫拉;B·L·梅里曼 -专利权人：罗斯韦尔生物技术股份有限公司
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：一种制造能用于DNA或基因组测序的装置的方法，所述方法包括将电极对设置在基材上，每对内的电极由纳米间隙隔开；在所述电极上沉积抗蚀剂层；图案化所述抗蚀剂层以在各纳米间隙处或附近的各电极上产生暴露区域；使用各种方法使每个暴露区域内的电极表面粗糙化；并且将暴露区域暴露于生物分子，其中一个生物分子桥接各电极对的各纳米间隙，每个生物分子的各末端与各暴露区域处的电极结合。
电极暴露区域纳米间隙生物分子基因组测序沉积抗蚀剂电极表面抗蚀剂层粗糙化图案化隔开基材桥接标签暴露制造

[发明专利]用于集成电路裸片的自对准的方法和装置-CN201710725792.2在审
发明人： L-C·王;M·雅各布斯 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：该图案可以暴露基板表面的用于放置IC裸片的区域。然后，将水基溶液施加到该区域，使得液滴形成在基板表面的暴露区域上。IC裸片被放置在水基溶液的液滴上，这使得IC裸片与基板表面的暴露区域对准。然后使液滴蒸发，使得经对准的IC裸片安置在基板表面的暴露区域上。
用于集成电路对准方法装置

[发明专利]磁性存储器以及制造方法-CN201380033033.X有效
发明人：艾立克斯恩德·C·刚特司;丝特芬·舍曼;约翰·J·哈塔拉;赛门·罗芙尔 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2013-04-29 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：形成磁性存储器的方法包含在衬底的基底部分上提供包括多个磁性层和多个导电层的层堆叠；在第一保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第一掩模特征且在第二保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第二掩模特征，所述第一掩模特征和第二掩模特征在其间界定层堆叠的部分中的层堆叠的暴露区域；以及在离子暴露中朝向层堆叠的暴露区域引导离子，所述离子暴露有效地在不移除层堆叠的暴露区域的情况下使第一保护区域与第二保护区域磁隔离并且使第一保护区域与第二保护区域电隔离。
磁性存储器以及制造方法

[发明专利]光敏涂料组合物、使用光敏涂料组合物的涂料导电膜以及形成涂料导电膜的方法-CN201480009151.1有效
发明人：辛权宇;朴智选;赵镇佑;金润珍 -专利权人：电子部品研究院
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： C09D5/24 文献下载
摘要：本发明的目的是利用简单暴露方法、不直接刻蚀所述导电膜，通过在所述导电膜的局部区域中产生导电性差，从而使电以特定图案形式流动。在本文中，在将所述光敏涂料液体涂覆在所述基质上之后，通过暴露和清洗形成暴露区域和非暴露区域，其中所述非暴露区域的电导率至少是所述暴露区域的电导率的两倍。
光敏涂料组合使用导电以及形成方法

[发明专利]一种高频垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法-CN201811205140.7在审
发明人：彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种高频垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法，其中，该高频垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层，衬底背面形成有N型电极层；N型层和P型层均包括多层反射层；发光层、电流限制层和P型层暴露N型层的边缘区域；N型层暴露所述衬底的边缘区域；N型层边缘设置有连通N型层的多层反射层的导电层；电流限制层包括电流注入区域和绝缘区域；P型层包括与绝缘区域对应的暴露区域，暴露区域暴露P型层中的底层的反射层；P型电极层覆盖包括暴露区域的P型层，P型电极层包括与电流注入区域对应的出光孔。
腔面发射激光器电流限制层暴露区域高频垂直反射层衬底电流注入区域边缘区域绝缘区域芯片发光层多层制备暴露垂直腔面发射激光器芯片边缘设置衬底背面出光孔导电层连通申请覆盖

[发明专利]城市群PM2.5污染的分析方法和分析装置-CN202210156997.4有效
发明人：张丽丽 -专利权人：中科星通（廊坊）信息技术有限公司;中科空间信息（廊坊）研究院
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01N15/06 文献下载
摘要：分析方法包括：根据人口密度和人口总数确定城市群中城市区域和郊区区域；根据PM2.5浓度和暴露人群分别计算所述城市区域的PM2.5暴露风险和郊区区域的PM2.5暴露风险；根据所述城市区域的PM2.5浓度与PM2.5暴露风险和所述郊区区域的PM2.5浓度与PM2.5暴露风险分析所述城市群的PM2.5污染情况。通过上述技术方案分析了城市区域和郊区区域的PM2.5的差异性及清洁空气政策的不同效果、PM2.5的变化与人口及区域面积的相关性、PM2.5引起的暴露风险的差异性，更好的明确人类活动对大气污染的影响。
城市群 pm2 污染分析方法装置