专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]摄像装置-CN200310113024.X无效
  • 西泽务;森吉造 - 株式会社尼康
  • 2003-12-25 - 2004-09-08 - H04N5/247
  • 本发明的目的在于提供一种摄像装置,使得对于如FDA引起的暗电流成分的摄像元件中局部性的生成的暗电流成分也能够可靠地进行补偿。本发明的摄像装置,其特征在于,包括:存储装置,用于预先存储表示叠加于配置在摄像元件上的规定的有效像素区域的各有效像素的像素信号的暗电流成分、以及配置于该摄像元件上规定的光学黑斑区域的各光学黑斑像素的输出信号间关系的信息;暗电流取得装置,用于根据前述存储装置所存储的前述信息和前述输出信号求出前述暗电流成分;补偿装置,用于对前述像素信号补偿前述暗电流取得装置求出的暗电流成分。
  • 摄像装置
  • [发明专利]暗电流补偿装置、探测器和光子计数成像系统-CN202310871058.2在审
  • 刁建国;栗成智;曹倩云;赖晓春 - 上海联影微电子科技有限公司;上海科技大学
  • 2023-07-14 - 2023-09-15 - H04N25/63
  • 本申请涉及暗电流补偿装置、探测器和光子计数成像系统,装置由大于等于2个像素单元组成的像素阵列和偏置自动校准电路;每个像素单元包括暗电流读出电路、暗电流补偿电路和数模转换器;暗电流读出电路的输入端用于连接像素单元对应的像素的暗电流输出端,其输出端连接数模转换器的输出端;暗电流补偿电路的同相输入端和输出端分别连接暗电流读出电路的输出端和输入端,其反相输入端接入参考电压;偏置自动校准电路的输入端和输出端分别与各个数模转换器的输出端和输入端连接,其用于将各个输出共模基线电压校准成与参考电压之间的偏差小于设定阈值,提高像素单元之间的一致性且解决暗电流的存在影响光子成像系统的成像效果的问题。
  • 电流补偿装置探测器光子计数成像系统
  • [发明专利]一种可以补偿空间辐照损伤的CCD驱动方法-CN202010427258.5在审
  • 陈治洲;刘桂;周平;袁雷明 - 温州大学
  • 2020-05-19 - 2020-07-17 - H04N5/361
  • 本发明提供一种可以补偿空间辐照损伤的CCD驱动方法。所述可以补偿空间辐照损伤的CCD驱动方法,包括以下步骤:S1:通过采集暗信号判断表面暗电流水平;S2:通过测量转移效率判断满阱电荷容量下降程度;S3:根据表面暗电流增大和满阱电荷容量下降情况,综合判断CCD受空间辐照损伤的影响情况;S4:根据CCD当前辐射损伤程度调整驱动信号进行补偿。本发明提供一种可以补偿空间辐照损伤的CCD驱动方法,该方法能够补偿由于电离辐射造成的CCD表面暗电流增大和满阱电荷容量下降问题,进而提高CCD在轨参数性能,延长CCD在轨工作寿命。
  • 一种可以补偿空间辐照损伤ccd驱动方法
  • [发明专利]隧道补偿超晶格红外探测器-CN201810340023.5有效
  • 邓军;李超慧;徐晨;李建军;孙伟业;韩军 - 北京工业大学
  • 2018-04-16 - 2021-02-19 - H01L31/0352
  • 本发明公开了隧道补偿超晶格红外探测器,属于半导体光电子领域。原有的隧道补偿多有源区红外探测器改善了传统多量子阱或超晶格结构红外探测器的光电流小,暗电流大的缺点,但制作难度较大,成品率低。基本单元依次为阻挡势垒、超晶格红外吸收区、重掺杂N型区和重掺杂P型区;特征在于采用超晶格结构作为探测器的红外吸收区,降低了对外延结构参数的控制要求;重掺杂N型区和重掺杂P型区形成隧道结,为超晶格提供隧道补偿电流;阻挡势垒厚度为30~50nm,以减小器件的暗电流。本发明兼具隧道补偿多有源区红外探测器光电流大、暗电流低、响应速度快等优点。
  • 隧道补偿晶格红外探测器

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