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[发明专利]一种大尺寸紫外级氟化钙单晶的生长方法及装置-CN201110055752.4无效
发明人：柳祝平;黄小卫 -专利权人：元亮科技有限公司
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：一种大尺寸紫外级氟化钙单晶的生长方法及其装置，将提拉法(CZ)、坩埚下降法、泡生法和温梯法(TGT)各优点结合在一起，采用顶部籽晶中心可调提拉结构、双加热纯金属发热体、双控温加热系统，创造一个可动态调节温度梯度和温场中心的特殊高温真空晶体炉，通过装炉、抽高真空、升温化料、洗籽晶、提拉法下种、提拉法“缩径工艺”、提拉法“放肩工艺”、泡生法“等径工艺”、TGT法等径生长(控径技术为CZ称重)、CZ法收尾&脱坩埚、退火，生长出大尺寸高品质紫外级氟化钙单晶
一种尺寸紫外氟化钙生长方法装置

[发明专利]一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法-CN200710105737.X无效
发明人：罗应明;郭力 -专利权人：晶湛（南昌）科技有限公司
申请日： 2007-05-29 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法，首先将经还原处理的金属硅粉碎，再用王水、氢氟酸进行酸洗，酸洗后送入单晶硅提拉炉熔融后进行提拉，利用单晶硅提拉炉抽真空设施隔离空气提纯，经粗提后的多晶硅材料进入区熔炉，使区熔炉内形成区间温度梯度，运用热趋法排除硅渣杂质，即可得到高于99.9999％纯度的多晶硅原料。本发明的优点是：充分利用传统工艺设备如单晶硅提拉炉、区熔炉并无需进行改造，就能达到大幅度降低能耗和提升产能；其工艺步骤少，操作简单，适用于任何型式的单晶硅提拉炉。
一种太阳能多晶原料提纯制备方法

[发明专利]一种基于ANN的提拉法单晶硅固液界面的预测方法-CN202010146317.1有效
发明人：齐小方;王艺澄;姚亮;黄振华 -专利权人：包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ANN的提拉法单晶硅固液界面的预测方法。该方法首先采用有限体积法建立提拉法单晶硅生长炉的二维全局传热数值模型；开展各工艺参数下的数值模拟，收集单晶硅生长的模拟数据并整理成数据集。再将数据集划分为训练集和测试集两部分，进行归一化处理，确定机器学习算法，建立提拉法单晶硅质量的预测模型，并评估该模型的可靠性。然后，利用预测模型计算单晶硅生长质量，并在测试集上评价预测结果。本发明可快速找出影响提拉法单晶硅质量的关键因素，并准确预测关键因素下的晶体质量，从而获得合适的生长条件，提高研发效率，节省经费，生长出大尺寸、高品质的单晶硅。
一种基于 ann 提拉法单晶硅界面预测方法

[发明专利]晶棒拉晶方法-CN202211168080.2有效
发明人：马小龙;徐庆晧;刘彦鹏;芮阳;王忠保;王黎光;曹启刚;张昆;熊欢 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种1806炉晶棒拉晶方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，根据实际拉速曲线设置预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线进行晶棒拉制，以通过缩小拉速波动的幅度消除因分凝效应导致硅杂质浓度的升高，并且使得单晶生长界面平坦
晶棒拉晶方法

[实用新型]一种双提拉腔单晶炉结构-CN201220728065.4有效
发明人：李留臣;冯金生;程绪高;蒋国庆;陈小兔;李伯军;胡章宏 -专利权人：江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双提拉腔单晶炉结构，包括在基座内设置有坩埚驱动机构，在基座上方设置有单晶炉室，单晶炉室内壁设置有加热系统，加热系统轴心设置有坩埚，坩埚向下与坩埚驱动机构连接，坩埚中用于生长单晶棒，在基座上的单晶炉室旁边设置有立柱，立柱上同时设置有主提拉腔及辅助提拉腔。本实用新型装置，两个提拉腔与单晶炉主体进行交替配合使用，一个提拉腔进行单晶生长使用时，另一个提拉腔作为加料使用；提高了单晶炉的生产效率，降低了能源消耗。
一种双提拉腔单晶炉结构

[发明专利]一种硅碳材料生产装置-CN202310238563.3有效
发明人：谭志勇;谭志刚;刘勋;廖瑞德;杨波;周玉强 -专利权人：襄阳鸿凯智能装备有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明属于硅碳材料生产领域，具体的说是一种硅碳材料生产装置，包括单晶炉；所述单晶炉的顶面按安装有上炉室；所述上炉室的侧表面开设有出料口；所述上炉室于出料口处滑动连接有弧形盖板；所述上炉室的顶部安装又升降提拉装置；所述提拉装置的顶部滑动连接板；所述连接板板的两侧安装有升降机，通过提拉装置使用提拉长晶法，将碳化硅棒提拉至上炉室，等待碳化硅棒冷却后，提拉装置带动上炉室沿着连接板滑动，之后再由升降机将提拉装置和上炉室一同放下
一种材料生产装置

[发明专利]单晶硅的制造方法-CN201680036860.8有效
发明人：梶原薰;斋藤康裕;金原崇浩;片野智一;田边一美;田中英树 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明的目的在于在多段拉晶法中，防止单晶硅的针孔不良，并且降低第2根以后的单晶硅中的碳浓度。通过反复进行以加热器（15）将填充于腔室（10）中石英坩埚（12）内的硅原料加热熔融的工序及从石英坩埚（12）内的硅熔液（3）提拉单晶硅（2）的工序，使用同一个石英坩埚（12）制造多根单晶硅（2）。将用于提拉第2根以后的单晶硅（2）而追加供应于石英坩埚（12）内的硅原料熔融时的腔室（10）内的炉内压设定为高于将用于提拉第1根单晶硅（2）而供应于石英坩埚（12）内的硅原料熔融时的腔室（10）内的炉内压
单晶硅制造方法

[发明专利]用提拉法生长铝酸锂晶体的装置-CN200810202606.8无效
发明人：周圣明;林辉;王军;滕浩 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2008-11-12 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种用提拉法生长铝酸锂晶体的装置，包括一台提拉法生长单晶炉，其特点是该单晶炉的保温罩侧壁是完整的，不设观察窗，在与观察窗口相对的炉壁上通过支架架设一块观察镜于所述的保温罩的上方，以便通过所述的观察镜的反射实现对所述的铱坩埚内熔体界面的观察本发明的优点是可以保证保温罩腔内温场的均匀性、对称性，可以有效抑制提拉法生长铝酸锂晶体过程中的组分挥发，可实现大尺寸高质量铝酸锂晶体生长。
用提拉法生长铝酸锂晶体装置

[实用新型]用提拉法生长铝酸锂晶体的装置-CN200820155745.5无效
发明人：周圣明;林辉;王军;滕浩 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种用提拉法生长铝酸锂晶体的装置，包括一台提拉法生长单晶炉，其特点是该单晶炉的保温罩侧壁是完整的，在与观察窗口相对的炉壁上通过支架架设一块观察镜于所述的保温罩的上方，以便通过所述的观察镜的反射实现对所述的铱坩埚内熔体界面的观察本实用新型的优点是可以保证保温罩腔内温场的均匀性、对称性，可以有效抑制提拉法生长铝酸锂晶体过程中的组分挥发，可实现大尺寸高质量铝酸锂晶体生长。
用提拉法生长铝酸锂晶体装置

[发明专利]一种无色刚玉单晶的制备方法-CN201210286279.5有效
发明人：张博;赵东 -专利权人：登封市蓝天石化光伏电力装备有限公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种无色刚玉单晶的制备方法，及刚玉晶体生长专用生长炉结构，其中制备方法包括如下步骤：原料预处理、清洗及种晶、提拉生长、自由生长、原位退火、降温处理，最终得到无色刚玉单晶。本发明创造性的采用传统提拉法与泡生法结合的新工艺，并通过所述刚玉晶体生长炉提供稳定、符合晶体生长所需的温度梯度环境，制备的晶体单晶品质高，晶体生长成功率超过90%，适合工业化生产，且工艺步骤简单，方便节能
一种无色刚玉制备方法

[发明专利]一种单晶炉提拉头质心动平衡机构-CN202011226826.1在审
发明人：龙连春;张昊;吴奇 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉提拉头质心平衡机构，包括单晶炉提拉头，所述提拉头机构内设有缠绕钨丝绳用的移动滚轮，移动滚轮对面设有位置传感器；质心平衡机构安装在提拉头薄板侧面；质心平衡机构通过电控系统控制；直线导轨模组上设有位置传感器本发明在单晶炉提拉头上安装质心动平衡机构，对由移动滚轮运动造成的提拉头质心位置偏移进行实时调整，保持单晶炉提拉头质心位置不发生变化，从而提高单晶炉工作时钨丝绳的稳定性，提高生产的单晶的品质。
一种单晶炉提拉头质心动平衡机构

[发明专利]一种检测设备和单晶炉-CN202110256410.2在审
发明人：王富龙 -专利权人：西安奕斯伟设备技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G01D21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种检测设备和单晶炉。检测设备应用于单晶炉，单晶炉包括炉体、密封炉体的密封件以及设置于炉体上的提拉软轴，提拉软轴的材料包括金属材料，提拉软轴与炉体之间密封且绝缘设置，且提拉软轴的一端延伸至炉体内部，另一端位于炉体的外侧；检测设备包括相互连接的执行模块、通信模块和电源模块，通信模块与提拉软轴电连接，且提拉软轴用于为通信模块传输信号。本发明实施例通过利用提拉软轴传输信号，通过有线传输的方式，克服了单晶炉的炉体对于信号的屏蔽，不需要多次开启和关闭单晶炉，此外，也不需要单独设置传输的信号线，不会对单晶炉的密闭效果造成影响，有利于提高测试效率和测试准确程度
一种检测设备单晶炉

[发明专利]一种单晶提拉炉热场结构-CN201710356903.7在审
发明人：邓先亮 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶提拉炉热场结构，所述单晶提拉炉热场结构包括：炉体；位于所述炉体内的坩埚；位于所述坩埚侧面的第一加热器；位于所述坩埚底部的第二加热器；以及位于所述坩埚内熔体上方的第三加热器。通过本发明所述的单晶提拉炉热场结构，解决了现有单晶提拉炉热场结构制备的硅单晶存在质量不均匀的问题。
单晶提拉炉热场结构坩埚加热器第一加热器不均匀硅单晶内熔体炉体制备体内侧面

[发明专利]单晶的制造方法及退火晶片的制造方法-CN200580043234.3无效
发明人：星亮二;柳町隆弘 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2005-10-21 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种单晶的制造方法，是通过切克劳斯基法在处理室内从相同的坩埚中的原料熔液4，提拉二根以上单晶3之多重牵引(multi－pulling)法，针对在从原料熔液4提拉单晶3之后，没有关闭加热器7的电源而将多晶原料追加投入残留的原料熔液4中，将其熔解之后，提拉下一根单晶3，重复这些步骤来进行二根以上单晶3的提拉之单晶的制造方法，其特征为：在将使单晶3的晶身部成长时的提拉速度V和固液界面附近的提拉轴方向的结晶温度梯度G的比，设为V/G的情况，为了要将各个提拉的单晶3的V/G控制成规定值，按照从开始操作算起的经过时间，在开始提拉单晶之前，事前修正上述提拉速度V等的提拉条件，来生长具有所希望的缺陷区域之单晶3。
制造方法退火晶片

[发明专利]一种生长大尺寸单晶的晶体炉及其生长工艺-CN201810896121.7在审
发明人：沈丽明;戴鹏;吉成 -专利权人：常州晶泰新材料科技有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种生长大尺寸单晶的晶体炉及其生长工艺，本发明提供的提拉法晶体炉，不仅构造简单，价格便宜，且炉膛尺寸大，径向和轴向温度梯度均匀可调、温度精确度可控，同时采用石墨烯‑碳化硅棒加热，可以有效改善常规加热棒高温下局部过热易失效的缺点，适合生长大尺寸且高质量晶体的同时，大大降低了晶体炉造价成本，适合批量生产大尺寸单晶；配合本发明提供的提拉法晶体炉，本发明提供的晶体生长工艺能够得到直径可高达
晶体炉大尺寸单晶生长提拉法晶体生长工艺晶体生长技术轴向温度梯度炉膛局部过热碳化硅棒造价成本加热棒晶体的石墨烯可调可控加热配合生产

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