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[发明专利]用于利用HVPE工艺异质外延沉积III族氮化物半导体材料的改进的模板层-CN201180056302.5有效
发明人： C·阿里纳;R·T·小伯特伦;E·林多;S·马哈詹;I·韩 -专利权人： SOITEC公司;代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在基材上沉积III族氮化物半导体材料的方法包括在成核HVPE工艺阶段中在基材表面上沉积III族氮化物半导体材料的层，以形成具有包括至少一些非晶III族氮化物半导体材料的微结构的成核层。所述成核层可进行退火以在基材表面上形成外延成核材料的晶岛。所述外延成核材料的岛可在聚结HVPE工艺阶段中生长和聚结以形成外延成核材料的成核模板层。所述成核模板层可至少基本上覆盖基材的表面。可在另外的HVPE工艺阶段中在所述外延成核材料的成核模板层上沉积另外的III族氮化物半导体材料。通过这种方法形成包括III族氮化物半导体材料的最终结构和中间结构。
用于利用 hvpe 工艺外延沉积 iii 氮化物半导体材料改进模板

[发明专利]高比表面积、高振实密度的前驱体的制备方法-CN202210797143.4有效
发明人：李玉云;张海艳;胡志兵;胡海诗;刘庭杰;付家帅;曾永详;周春仙;刘玮;乔凡 -专利权人：金驰能源材料有限公司;湖南长远锂科新能源有限公司;湖南长远锂科股份有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：该制备方法采用共沉淀法制备前驱体，包括一次成核阶段、一次生长阶段、二次成核阶段、二次生长阶段四个阶段。通过二次成核，同时提高前驱体的比表面积和振实密度，打破了振实密度和比表面积不能同时提高的规律。
表面积高振实密度前驱制备方法

[发明专利]一种AlN外延层的制备方法-CN201610837299.5在审
发明人：江灏;吴华龙 -专利权人：中山大学
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开一种高质量AlN外延层的制备方法，包括以下步骤：（1）将置于反应腔中的衬底进行高温烘烤；（2）沉积成核层前预铺TMAl或者TEAl；（3）沉积一层低温成核层，其中在低温成核层沉积阶段通入表面迁移改善剂以调节成核层晶粒的尺寸本发明的技术方案对于AlN成核层的调节具有更加高效直接的特点。通过在成核层阶段通入少量的表面迁移改善剂，能够改善扩散原子Al的迁移能力，从而改变AlN的成核晶粒状态。相比现有技术，该方法能够规避成核层温度和反应源流量调节带来的其他附加影响，调节过程更加简单，改善效果明显。
一种 aln 外延制备方法

[发明专利]类球形单晶普鲁士白正极材料及其制备方法、钠离子电池-CN202211368839.1在审
发明人：王晚林;石游;吴泽盈;张海艳;朱健;周友元 -专利权人：湖南长远锂科新能源有限公司;金驰能源材料有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C01C3/12 文献下载
摘要：在反应釜中通入保护性气体，在反应釜底液中并流加入过渡金属盐溶液和亚铁氰化钠溶液，进行反应；反应分为成核阶段和生长阶段，成核阶段的反应体系的pH值为4.0~6.5，成核阶段结束后进入生长阶段，控制生长阶段的反应体系的pH值为6.5~10.0；同时控制成核阶段的混合溶液A和亚铁氰化钠溶液的流速分别为生长阶段的混合溶液A和亚铁氰化钠溶液的流速的2~4倍。
球形普鲁士正极材料及其制备方法钠离子电池

[发明专利]一种正极前驱体及其制备方法和应用-CN202310588847.5在审
发明人：于杨;刘文泽;许开华;张坤;段小波;赵亚强;杨广杰 -专利权人：荆门市格林美新材料有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：所述制备方法包括以下步骤：将混合金属盐溶液、沉淀剂溶液和络合剂溶液并流加入，依次进行成核阶段、颗粒长大阶段和形貌调节阶段的共沉淀反应，得到所述正极前驱体；其中，混合金属盐包括镍盐、钴盐和M金属盐；所述成核阶段，混合金属盐溶液中还包括分散剂，并流加入的还包括氧化剂溶液；颗粒长大阶段，并流加入的还包括氧化剂溶液；形貌调节阶段，混合金属盐溶液中还包括形貌调节剂和分散剂；所述颗粒长大阶段的氧化剂溶液的流量大于所述成核阶段的氧化剂溶液的流量本发明通过分阶段配合，制备得到了形貌和理化指标可控的正极前驱体材料，使得正极前驱体材料球形度高，结构稳定，不易开裂。
一种正极前驱及其制备方法应用

[发明专利]一种全集成核酸检测芯片及其层叠结构和检测方法-CN202310300320.8在审
发明人：丁建智;李响;张建泉;王小丽 -专利权人：中国科学院空间应用工程与技术中心
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：本发明属于生物医学技术领域，具体涉及一种全集成核酸检测芯片及其层叠结构和检测方法。本发明提供的全集成核酸检测芯片至少包括：上端敞口的盒体；设置在所述盒体底部的器件区域，在所述器件区域内固定设置有控制板；以及固定的设置在所述控制板上方的全集成核酸检测芯片的层叠结构，所述加热电阻层和所述电极层分别电连接所述控制板在层叠结构中具有液滴通道，在液滴通道中的温度循环区中进行循环温度处理，各循环温度阶段包括依次进行的90～95℃的第一加热阶段、40～60℃的第二加热阶段以及70～75℃的第三加热阶段。本发明实现了速度快、生产成本低、消耗量小、集成度高、模块化可组合的全集成核酸检测技术。
一种集成核酸检测芯片及其层叠结构方法

[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法-CN201811268861.2在审
发明人：从颖;姚振;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述生长方法包括：将衬底放入反应室内；在所述衬底上依次生长低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；其中，所述三维成核层的生长过程包括依次出现的多个生长阶段，每个生长阶段包括低温阶段和在所述低温阶段之后出现的高温阶段，所述高温阶段反应室内的温度高于所述高温阶段相邻的所述低温阶段反应室内的温度，各个所述高温阶段反应室内的温度按照各个所述高温阶段出现的先后顺序逐个升高，各个所述低温阶段反应室内的温度按照各个所述低温阶段出现的先后顺序逐个升高
低温阶段高温阶段室内发光二极管外延生长三维成核层生长阶段衬底升高半导体技术领域低温缓冲层发光效率生长过程恢复层二维放入源层

[发明专利]使用弱电子转移剂和失配的壳前体制备纳米晶的方法-CN200980148667.3在审
发明人： E.塔尔斯基;J.巴特尔;J.特里维 -专利权人：生命科技公司
申请日： 2009-10-02 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了制备核/壳纳米晶的方法，该方法使用失配的壳前体和电子转移剂以控制粒子形成的成核阶段和生长阶段。
使用电子转移失配体制纳米方法

[发明专利]前驱体（101）和（001）晶面的XRD衍射强度比值的调控方法-CN202210797169.9在审
发明人：李玉云;张海艳;胡志兵;胡海诗;刘庭杰;付家帅;曾永详;周春仙;刘玮;乔凡 -专利权人：金驰能源材料有限公司;湖南长远锂科新能源有限公司;湖南长远锂科股份有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：共沉淀法合成前驱体的过程包含两个阶段：成核阶段和生长阶段；为络合剂溶液的流量，单位均为ml/min；成核阶段在惰性气体或氮气气体保护下进行，控制60A80；成核阶段结束后，进入生长阶段；生长阶段，60＜A＜160。在生长阶段，A的数值越大，制备得到的前驱体的I(101)/I(001)数值越大。
前驱 101 001 xrd 衍射强度比值调控方法

[发明专利]制备单分散金属氧化物纳米粒子的方法-CN200510122434.X无效
发明人：高建平;王雅琦;刘妍 -专利权人：天津大学
申请日： 2005-12-19 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： C01G1/02 文献下载
摘要：具体是(1)配置表面活性剂0.25～1份与分散介质2～10份的溶液，将浓度为0.05～0.5mol/L的金属有机物一次加入含有表面活性剂的分散介质中，然后加热升温至150～300℃的成核温度，控制成核阶段升温速率3～6℃min^－1，并在成核温度下反应30min～3.5h；(2)将成核阶段形成的含有晶核的反应物从成核温度加热至分散介质沸腾温度210～370℃，控制生长阶段升温速率为5～12℃
制备分散金属氧化物纳米粒子方法

[发明专利]一种石墨烯的常压可控生长方法-CN201410004425.X有效
发明人：王栋;李景;万立骏 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2014-01-03 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开一种1-3层石墨烯的常压可控生长方法，包括：在常压下，将金属基底置于含有碳源气体的气氛下，石墨烯经过成核阶段、核生长阶段、和完全覆盖阶段，得到完全覆盖于整个金属基底上的一层、两层或三层石墨烯，其中，通过成核温度控制所述金属基底表面石墨烯成核的层数（一层、两层或三层），再通过调节完全覆盖阶段的总气体流速控制所述金属基底表面的石墨烯在原有层数的基础上大面积生长。
一种石墨常压可控生长方法

[发明专利]一种制备均匀一致的石墨烯材料的改进的化学气相沉积法-CN201710933876.5有效
发明人：刘庆彬;蔚翠;何泽召;王晶晶;郭建超;周闯杰;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：选择半绝缘SiC衬底，清洗干燥后放入CVD设备中，抽真空；再去除SiC衬底表面吸附气体；通入氢气，氢气流量1‑60L/min，去除SiC衬底表面损伤层和划痕；成核阶段：通入氩气，氩气分压比例控制在70％以上；通入气态碳源，流量0.001‑10L/min，气态碳源与氢气流量之比为0.001％‑50％；生长阶段：氢气分压比例控制在70％以上；通入气态氮源，流量0.001‑2L/min；成核温度和生长温度在1100‑1900℃之间，保持气体压力50‑1000mbar，成核阶段持续时间1‑10min，生长阶段持续时间10‑100min，在SiC衬底表面得到1‑5层P型掺杂的石墨烯。
石墨烯材料衬底表面均匀一致制备化学气相沉积氩气比例控制成核阶段气态碳源氢气流量生长阶段去除制备技术领域表面形貌气体压力氢气分压清洗干燥吸附气体氢气半绝缘抽真空气态氮石墨烯损伤层衬底成核放入分压划痕改进平坦生长

[发明专利]一种具有催化功能的聚烯烃用成核剂的制备方法及其应用-CN200610118492.X无效
发明人：辛忠;公维光 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2006-11-20 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： C08F10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有催化和成核双功能的聚烯烃用非茂金属化合物的制备方法及其应用，所述非茂金属化合物在烯烃聚合阶段起催化剂的作用，显示出很高的活性；在催化完成后，该化合物经失活处理后转化为成核剂，在聚烯烃结晶阶段起到成核剂的作用
一种具有催化功能烯烃成核制备方法及其应用

[发明专利]一种可生物降解颗粒、制备方法及应用-CN202310245029.5有效
发明人：申禧峰 -专利权人：河北立亚包装科技有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：其特征在于：按重量份计，包括可降解聚合物基材70‑100份、改性成核剂0.6‑2.0份、生物促进剂0.5‑1.5份、紫外线吸收剂1.0‑2.0份、相容剂0.5‑2.0份。与现有技术相比，本发明提供的可生物降解颗粒中的改性成核剂为聚乙烯醇包覆荧光配合物，该改性成核剂对聚合物基材的半结晶时间和冷结晶温度施加影响，促使聚合物基材在共混熔融阶段，晶体密度增强，结晶度上升，使得到可生物降解颗粒具有更好力学性能此外，该改性成核剂中含有聚乙烯醇，在生物降解阶段，为酯键提供更多的羟基，可以促使可生物降解颗粒更快的水解，降解。
一种生物降解颗粒制备方法应用

[发明专利]一种生长高阻GaN薄膜的方法-CN200610144145.4无效
发明人：沈波;许谏;许福军;苗振林;潘尧波;杨志坚;张国义 -专利权人：北京大学
申请日： 2006-11-28 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明方法是在MOCVD设备中进行的，包括烘烤、成核、退火和外延生长阶段，其中，在退火阶段，退火压力在75托以下。本发明方法通过降低退火阶段的反应室压力(称为退火压力)来增加成核岛密度，从而增加刃型位错，从而获得自补偿的高阻GaN薄膜，所得高阻GaN薄膜的方块电阻高，能达到10¹¹Ω/sq以上
一种生长 gan 薄膜方法

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