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[发明专利]一种可避免产生包状缺陷的等离子化学气相沉积方法-CN200710043405.3有效
发明人：冯明;田继文 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种可避免产生包状缺陷的等离子化学气相沉积方法。现有技术会出现微波发生器间断而导致反应气体进行不充分反应而在晶圆上产生包状缺陷。本发明的可避免产生包状缺陷的等离子化学气相沉积方法，其在一具有多个晶圆沉积台的等离子化学气相沉积设备中进行，该气相沉积设备还对应每一晶圆沉积台设置一微波发生器，该等离子化学气相沉积包括预沉积和主沉积两步骤，其中，在预沉积步骤中，该多个微波发生器在不同时刻开启，并一直持续，在主沉积步骤中，该多个微波功率发生器在步骤开始时均全部开启，且在不同时刻关闭。采用本发明的方法可避免在进行等离子化学气相沉积时产生包状缺陷。
一种避免产生缺陷等离子化学沉积方法

[发明专利]一种ECR微波等离子化学气相沉积带钢镀膜工艺及装置-CN200810033761.1无效
发明人：杨立红 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 2008-02-21 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：一种ECR微波等离子化学气相沉积带钢镀膜工艺及装置，涉及化学镀覆领域。其带钢在空气中开卷后，经过化学前处理或者等离子前处理后，通过真空隧道和真空密封装置，进入ECR微波等离子化学气相沉积镀膜单元，通入前驱体、载气、反应气体后，发生等离子，进行镀膜；镀膜完成后，通过密封装置
一种 ecr 微波等离子化学沉积带钢镀膜工艺装置

[实用新型]一种水冷等离子化学气相沉积设备-CN202222742645.5有效
发明人：邱永强;刘永宁;赵俊芳 -专利权人：山西方维晟智能科技有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本实用新型提供一种水冷等离子化学气相沉积设备，涉及化学气相沉积技术领域。该水冷等离子化学气相沉积设备包括微波发生装置，所述微波发生装置一侧固定连接有用于调整微波反射的三销钉调谐器，所述三销钉调谐器一侧固定连接有模式转换器，所述模式转换器内部滑动连接有天线水管，所述天线水管外侧固定连接有胀紧套该水冷等离子化学气相沉积设备，石英玻璃离生产区域较远，避免刻蚀造成一系列的危害，天线由特有的胀紧机构保证其稳定性，能更好地保证腔体的密封状态和稳定的生产状态，密封件原理高温区域且设有冷却水降温，能极大提升其寿命
一种水冷等离子化学沉积设备

[实用新型]微波等离子化学气相沉积设备用冷却罩-CN202023244078.8有效
发明人：刘华;刘引 -专利权人：成都华宇微波技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了微波等离子化学气相沉积设备用冷却罩，包括底座，所述底座的顶端两侧边缘处均固定连接有限位滑轨，两个所述限位滑轨共同嵌入滑动连接有罩体，所述罩体的内顶侧开设有顶腔，所述罩体的两端内侧壁内部均开设有侧腔本实用新型中，通过将空气经过的路径降温，使得散热风机导入的空气被降温，从而使这些低温空气在被吹向微波等离子化学气相沉积设备在罩体时，可快速有效地对微波等离子化学气相沉积设备进行散热，有利于提升散热效率。
微波等离子化学沉积备用冷却

[发明专利]等离子化学气相沉积机台异常监控方法及系统-CN201210137666.2有效
发明人：吴浩 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：一种等离子化学气相沉积机台异常监控方法，包括以下步骤：对腔体间的活动门阀进行监测；获取晶片掉落至活动门阀口的信息；发出控制指令暂停所述活动门阀闭合动作。上述等离子化学气相沉积机台异常监控方法中，通过对腔体间的活动门阀进行监测，实时监测晶片是否掉落至活动门阀口，一旦出现晶片掉落的情况，则发出控制指令暂停活动门阀的闭合动作，有效防止等离子化学气相沉积机台中因腔体间传送系统异常而造成的晶片破损同时，还提供了一种等离子化学气相沉积机台异常监控系统。
等离子化学沉积机台异常监控方法系统

[发明专利]在工件上形成光学膜的方法及其设备-CN201310223421.6有效
发明人：高忠义 -专利权人：惠州欧博莱光电技术有限公司
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：该方法为脉冲等离子化学气相沉积法，其包括如下步骤：a.将工件固定在密封微波罩中，并对密封微波罩抽真空；b.向密封微波罩中通入氧气，并向密封微波罩中导入脉冲微波，反应一定时间；c.再向密封微波罩中通入含有成膜组分元素的气体，并继续通入氧气以及持续导入脉冲微波，反应一定时间后，即停止向密封微波罩中通入气体并停止导入脉冲微波；本发明脉冲等离子气相化学沉积法具有很高的沉积效率，整个工艺时间只需几分钟，所以生产效率很高；成膜前氧气的等离子体对工件表面进行等离子化清洗和表面活性化处理
工件形成光学方法及其设备

[发明专利]微波等离子体化学气相沉积装置和金刚石的合成方法-CN201810408710.6在审
发明人：马懿;马修·L·斯卡林;朱金华;吴建新;缪勇;卢荻;艾永干;克里斯托弗·E·格里芬 -专利权人： FD3M公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种微波等离子体化学气相沉积装置，采用等离子体天线作为耦合天线。本申请还公开了一种金刚石的合成方法，采用等离子体天线作为耦合天线，通过微波等离子体化学气相沉积方法合成金刚石。本申请还公开了微波等离子体化学气相沉积装置在单晶金刚石合成中的应用。本发明的微波等离子体化学气相沉积装置，采用等离子体天线进行耦合，可以极大的提高天线的效率。
微波等离子体化学气相沉积等离子体天线金刚石合成耦合天线申请单晶金刚石耦合天线应用

[发明专利]等离子化学气相沉积的纳米超疏水涂层及其制备方法-CN202010872344.7有效
发明人：高彦峰;曾楚莹;吕伟桃;梁宸;李嘉惠 -专利权人：佛山市思博睿科技有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本发明涉及化工涂料技术领域，具体涉及一种等离子化学气相沉积的纳米超疏水涂层及其制备方法。包括以下步骤：S1)对基材的表面进行清洗；S2)对基材的表面进行活化；S3)疏水涂层的制备；S4)纳米沉积超疏水膜的制备：对所述疏水涂层进行活化沉积处理，纳米沉积超疏水膜沉积吸附于所述疏水涂层的表面。本发明还提出了所述等离子化学气相沉积的纳米超疏水涂层，根据所述的等离子化学气相沉积的纳米超疏水涂层的制备方法制得，具有无污染、安全可靠的特点，具有出色的耐摩擦、耐水浸泡、耐溶剂和耐盐雾性能，使用寿命长久所述纳米沉积超疏水膜为吸附于所述疏水涂层的外表的等离子化学沉积的纳米疏水膜。
等离子化学沉积纳米疏水涂层及其制备方法

[发明专利]等离子化学气相沉积的纳米超亲水防雾涂层及其制备方法-CN202010872334.3在审
发明人：高彦峰;李嘉惠;吕伟桃;梁宸;曾楚莹 -专利权人：佛山市思博睿科技有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明涉及化工涂料技术领域，具体涉及一种等离子化学气相沉积的纳米超亲水防雾涂层及其制备方法。包括以下步骤：S1)对基材的表面进行清洗；S2)对基材的表面进行活化；S3)亲水涂层的制备；S4)纳米沉积超亲水膜的制备：对所述亲水涂层进行沉积活化处理，纳米沉积超亲水膜沉积吸附于所述亲水涂层的表面。本发明还提出了所述的等离子化学气相沉积的纳米超亲水防雾涂层的制备方法制得的所述等离子化学气相沉积的纳米超亲水防雾涂层，具有无污染、安全可靠的特点，具有出色的防雾、耐磨、耐水浸泡、耐溶剂和耐盐雾性能，使用寿命长久所述纳米沉积超亲水膜为吸附于所述亲水涂层的外表的等离子化学沉积的纳米亲水膜。
等离子化学沉积纳米超亲水防雾涂层及其制备方法

[发明专利]一种锂离子电池正极用集流体及包含该集流体的电池-CN201610810560.2在审
发明人：孙雅荻;孙俊才 -专利权人：海悦高科电池技术（大连）有限公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池正极用集流体及包含该集流体的电池，涉及高功率的锂离子电池，属于二次电池技术领域。一种锂离子电池正极用集流体，包括铝箔材基体，在铝箔材基体的至少一个表面上通过微波等离子化学气相沉积方法沉积石墨烯层。本发明采用微波等离子化学气相沉积，可以实现低温石墨烯膜的制备，能够适用于锂离子电池正极的铝箔集流体上进行改性，第一该石墨烯层与铝箔材基体具有良好结合力，增加集流体的导电性，提高电极寿命；第二石墨烯层极大地提高集流体与电极活性物质的粘合力，减小集流体与活性物质的界面接触电阻，从而提高锂离子电池的高功率放电能力。
一种锂离子电池正极流体包含电池

[发明专利]金刚石纳米针阵列光吸收层及其制备方法-CN202211511167.5在审
发明人：袁牧锋;王春栋;梁永波;叶彦恺 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：金刚石纳米针阵列光吸收层的制备方法，包括：在硅基底上采用微波等离子化学气相沉积法制备金刚石薄膜，然后采用电子回旋共振微波等离子化学气相沉积法对所述金刚石薄膜进行干法刻蚀成纳米针阵列结构。本申请提供的金刚石纳米针阵列光吸收层的制备方法，制得的光吸收层属于金刚石纳米针阵列光吸收层，具有优异的光吸收性能，耐高温、抗化学腐蚀。
金刚石纳米阵列光吸收及其制备方法

[实用新型]等离子增强热丝化学气相沉积薄膜装置-CN200420053672.0无效
发明人：石玉龙;闫凤英 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2004-09-13 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种等离子增强热丝法化学气相沉积薄膜的装置，属于化学气相沉积领域。本实用新型结合了等离子化学气相沉积和热丝化学气相沉积的优点，即在等离子化学气相沉积设备的两极之间再加上热丝，提供分解反应气体所需的热能并且还可以加热样品台上的样品，且灯丝上不再直接施加偏压，可提高灯丝的使用寿命同时，在上电极中央设置进气通孔，气体进入时可以进行预热活化有利于化学反应进行。在上电极下方设置带有均流孔的喷头，使反应气流分布均匀，易得到均匀的膜层。本装置可以使薄膜的沉积工艺有更大的调节范围，适合沉积多种薄膜。
等离子增强化学沉积薄膜装置

[发明专利]同轴型微波辅助沉积与蚀刻系统-CN200980109687.X有效
发明人：迈克尔·W·斯托厄尔;尼蒂·克里希纳;拉尔夫·霍夫曼;乔·格里菲思 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-02-26 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：所揭示为利用导入外加的处理参数以获得改进的薄膜性质的系统，所述参数例如微波源的可移动的位置、提供给微波源的脉冲功率，并通过微波源辅助来扩大可操作范围和处理窗口。同轴微波天线用于发射出微波来协助物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)系统。该系统可使用位于处理腔室内的同轴微波天线，其中该天线可在基板和诸如溅镀靶材、平面电容性方式所产生的等离子体源、或感应耦合源之类的等离子体源之间移动。在仅使用微波等离子体源的特定例子中，微波天线的位置可相对基板移动。邻接于等离子体源的同轴微波天线可使离子化更加均匀，且可在大面积上进行实质均匀的沉积。
同轴微波辅助沉积蚀刻系统

[发明专利]具有钝化层的半导体装置的制造方法-CN201710646918.7在审
发明人：施佑龙;李肇耿;郭铂漳;张庆全;林奕安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种具有钝化层的半导体装置的制造方法，包括使用第一沉积制程，沉积介电层于导电垫上方。上述方法还包括使用高密度等离子化学气相沉积，沉积第一钝化层直接位于上述介电层的上方。上述第一沉积制程与高密度等离子化学气相沉积不同。所述介电层的厚度足以避免在沉积第一钝化层所产生的电荷到达所述导电垫。
钝化层沉积高密度等离子化学气相沉积半导体装置导电垫介电层制程沉积介电层电荷制造

[发明专利]一种微波等离子体化学气相沉积装置及其生产方法-CN201710609693.8在审
发明人：凌海林;袁稳;陈天鹏;凌天杰 -专利权人：无锡远稳烯科技有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括壳体，壳体的上表面设有微波输入口，微波输入口的下方设置有基板，基板的底面设置有环形天线，基板与壳体之间设置有由微波介质材料制成的管状微波窗，壳体的底端设置有沉积台，沉积台位于环形天线的下方，并且沉积台能够在第一升降装置的驱动下上下移动，沉积台的外侧面设置有管状结构的等离子体稳定环，沉积台、等离子体稳定环、壳体、管状微波窗及基板包围形成封闭的谐振腔。本发明的微波等离子体化学气相沉积装置结构简单、加工成本低、生产效率高且产成品品质高。此外，本发明还设计该微波等离子体化学气相沉积装置的生产方法。
一种微波等离子体化学沉积装置及其生产方法

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