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[发明专利]层状双金属氢氧化物基复合薄膜的制备方法及用途-CN202110212081.1在审
发明人：胡吉明;周明杰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C23F13/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种层状双金属氢氧化物基复合薄膜的制备方法及用途，包括以下步骤：（1）层状双金属氢氧化物的沉积：将金属基体浸没在含特定的不同种类混合金属盐溶液中，以金属基体作为工作电极，铂片电极作为辅助电极，通过电化学辅助沉积法在金属基体上施加阴极电位，在金属表面沉积LDH薄膜；（2）缓蚀剂的负载：将沉积得到的样品浸泡在含具有减缓金属腐蚀速率的阴离子缓蚀剂的溶液中，利用LDH自身的层间阴离子交换能力，负载阴离子缓蚀剂；（3）复合薄膜的制备：通过电沉积的方法在负载了缓蚀剂的LDH薄膜表面制备ZnO、TiO2或SnO2半导体材料薄膜，得到两种材料的复合薄膜复合薄膜兼具两种材料的优点，可以实现对金属的良好的腐蚀防护作用。
层状双金属氢氧化物复合薄膜制备方法用途

[发明专利]自激励单电子自旋电磁晶体管及制作工艺-CN201810064983.3有效
发明人：张洪涛;范例;张泽森 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管及制作工艺，所述晶体管包括衬底，衬底上设置有纳米碳化硅薄膜结构、源极、漏极、栅极，纳米碳化硅薄膜结构由层状纳米碳化硅单晶体薄膜互嵌构成，纳米碳化硅薄膜结构的两端分别与源极和漏极接触，形成源漏极有源区，纳米碳化硅薄膜结构的上部依次设置有绝缘层、接触金属层，栅极从接触金属层引出。本发明通过设置由层状纳米碳化硅单晶体薄膜互嵌构成的纳米碳化硅薄膜结构形成的纳米线或带，作为晶体管有源区，源漏极用Pd作为接触金属，形成肖特基势垒，其中出现隧穿。
激励电子自旋电磁晶体管制作工艺

[发明专利]一种阻隔性PBAT复合薄膜及其制备方法与应用-CN201710156530.9在审
发明人：贾志欣;张玉欣;陈明周;唐钰晗;谢东;罗远芳;贾德民 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻隔性PBAT复合薄膜及其制备方法与应用。该方法以PBAT为基体材料，层状纳米无机物为填料。首先将PBAT和层状纳米无机填料在60‑80℃的鼓风干燥箱中干燥4‑8h，然后分别按照不同比例称取不同质量的PBAT、层状纳米无机物、流平剂和消泡剂，将其加入到有机溶剂（如CHCl3、CH2Cl2等）中本发明提高了生物降解PBAT薄膜的水蒸气阻隔性，在医药、食品包装和农用地膜中可广泛应用。
一种阻隔 pbat 复合薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种基于PVA薄膜搭建多层二维层状材料的方法-CN202310482381.0在审
发明人：万思源;黄汉英;周杨波;余聪;李志雄;刘焕林;吴宇航 -专利权人：南昌大学
申请日： 2023-04-30 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种基于PVA薄膜搭建多层二维层状材料的方法，包括PVA溶液的制备；PVA薄膜的制备；搭建二维层状材料扭转同质结构及异质结构；转移二维异质结构到目标衬底上等步骤。膜的水溶性确保了材料界面不会引入污染，对样品损害极小；（2）PVA的高粘性足以将同一片材料一分为二，因此转移过程可以精确控制材料的位置和结构排列原始取向，满足了扭转角同质结构与异质结构等的制备等需求；（3）为二维层状材料提供了一种灵活性高
一种基于 pva 薄膜搭建多层二维层状材料方法

[实用新型]层状薄膜组合贴画纸-CN91219560.6无效
发明人：潘昌鸣;黄宗枢 -专利权人：潘昌鸣;黄宗枢
申请日： 1991-08-06 - 公布日： 1992-03-25 - 主分类号： D21H27/30 文献下载
摘要：本实用新型关于一种层状结构的装饰墙纸，也适合天花板装饰用，由带有图案的薄膜层上覆透明保护膜，下涂压敏胶层组合而成，进一步的设置是在压敏胶层下覆盖一层带有硅橡胶层的上塑纸层。
层状薄膜组合贴画

[发明专利]用于对准衬底上的嵌段共聚物的层状微畴的方法和结构-CN200710184805.6有效
发明人：金昊彻;查尔斯·T.·雷特纳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-10-29 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于对准衬底上的嵌段共聚物的层状微畴的方法和结构。提供衬底。该衬底具有能量中性的波纹状表面层。在该波纹状表面层上形成膜。该膜包括双嵌段共聚物和增刚化合物的合成物。该双嵌段共聚物包括第一聚合物嵌段的层状微畴和第二聚合物嵌段的层状微畴。至少一个层状微畴被从薄膜中去除以在该表面层上保留取向结构。
用于对准衬底共聚物层状方法结构

[发明专利]一种多结层状薄膜太阳能电池-CN201610533532.0在审
发明人：陈一平 -专利权人：无锡市宝来电池有限公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：一种多结层状薄膜太阳能电池，包括顶层和末层的正、负电极层，在顶层电极层与末层电极层之间设有多个PN结薄膜层，各PN结薄膜层之间设有连接层。本发明是基于碳、硅等普通绿色材料的、高光电转换效率的太阳能薄膜叠层电池，应用前景无限。
一种层状薄膜太阳能电池

[发明专利]表面改善的片层状颜料及其制备方法和应用-CN92105147.6无效
发明人：Ｋ－Ｄ·弗朗兹;Ｊ·迪茨;Ｍ·基艾萨 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 1992-06-27 - 公布日： 1999-11-10 - 主分类号： C09C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及基于涂敷二氧化钛层并在其顶面有一碱土金属钛酸盐薄膜之片层状基质的表面改善的片层状颜料，其中为了提高光稳定性并降低对有机化合物的表面反应性，该颜料在至少８００℃的温度下点火。
表面改善层状颜料及其制备方法应用

[实用新型]一种全息防伪标识-CN200920261539.7无效
发明人：王笑冰;李建兵 -专利权人：深圳大学反光材料厂
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： G09F3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种全息防伪标识；该标识具有层状结构，其特征在于：所述层状结构由依次设置的薄膜基材、剥离层、保护层、摩尔条纹激光全息成像层、粘胶层组成。
一种全息防伪标识

[发明专利]一种同质外延β-Ga2-CN202110633962.0在审
发明人：张涛;冯倩;张雅超;张进成;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种同质外延β‑Ga2O3薄膜及其制备方法，该薄膜包括：Ga2O3衬底和位于Ga2O3衬底上的层状β‑Ga2O3结构，其中，层状β‑Ga2O3结构包括若干间隔排列的主体β‑Ga2O3层和同质Inter‑Layer层，且层状β‑Ga2O层具有不同的晶粒尺寸，使得两者的晶粒能够互相嵌合，一方面阻断了位错的生长，降低了薄膜中的位错密度，另一方面增强了薄膜的二维生长，提高了薄膜的平整度，从而有利于提高器件性能。
一种同质外延 ga base sub

[发明专利]一种大面积钙钛矿太阳电池复合光电转换层及其制备方法-CN201611154952.4在审
发明人：李建生;宋超先;王璐瑶 -专利权人：天津市职业大学
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维钙钛矿型光电转换材料薄膜和可聚合二维层状钙钛矿型光电转换材料薄膜组成的钙钛矿太阳电池复合光电转换层及其制备方法。本发明中可聚合二维层状钙钛矿型光电转换材料薄膜组成为NMX4，其中，N为三聚氰酸、三聚氰胺、三聚硫氰酸、三聚磷酸铵、氨基环三磷腈或其混合物；M为Pb2+、Sn2+、Ge2+、Cu2+、Ni2+、Mn2+本发明采用可聚合二维层状钙钛矿型光电转换材料同时作为钙钛矿太阳电池复合光电转换层和空穴传输层材料，简化了大面积钙钛矿太阳电池制备工艺，能够稳定和提高光电转换效率。
一种大面积钙钛矿太阳电池复合光电转换及其制备方法

[发明专利]一种插层型复合热电材料制备方法-CN202210692597.5在审
发明人：陈光明;杜春雨 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开一种插层型复合热电材料制备方法，包括：a、取层状氧化石墨烯膜浸泡在去离子水中，静置；b、将静置后的层状氧化石墨烯膜浸泡在有机热电聚合物的水溶液或有机溶液中，静置，然后干燥，获得插层型有机热电聚合物/氧化石墨烯薄膜；c、将插层型有机热电聚合物/氧化石墨烯薄膜浸泡于还原剂的水溶液中，然后干燥，获得插层型还原有机热电聚合物/还原氧化石墨烯复合热电薄膜。与现有技术相比，本发明制备方法通过氧化石墨烯膜的二维微纳米空间层状限域作用可以调控有机热电聚合物的空间取向，还原处理可以同时提高复合材料的Seebeck系数和电导率，二者的协同作用可以提升制备获得的插层型复合热电材料的热电性能
一种插层型复合热电材料制备方法

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201811037657.X有效
发明人：宋海胜;胡青松;乌马·法鲁克;章健 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：该钙钛矿太阳能电池包括N型层、P型层和对电极，其特征在于，包括如下步骤：P型层的制备：将含有盐酸的P型层前驱体溶液涂覆于所述N型层表面成膜，退火后得到层状相非铅全无机钙钛矿薄膜，即为所述P型层；其中，所述盐酸用于降低所述层状相非铅全无机钙钛矿薄膜的相变温度添加适量盐酸作为中间体配位离子，采用一步液相法制备出均相、高结晶度的非铅层状钙钛矿薄膜。本发明制备的钙钛矿太阳能电池结构简单且稳定性好，采用的P型层对太阳光吸收系数高，有利于提高器件的光电转换效率。
制备钙钛矿太阳能电池非铅盐酸无机钙钛矿层状相薄膜层状钙钛矿薄膜太阳能电池结构太阳能电池器件光电转换效率退火前驱体溶液太阳光吸收中间体配位表面成膜高结晶度对电极液相法涂覆离子

[发明专利]一种聚吡咯/银表面改性层状粘土-聚己内酯抗菌纳米复合薄膜的制备方法-CN201910311978.2有效
发明人：毛龙;刘跃军;范淑红;易著武;刘小超 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C08L67/04 文献下载
摘要：本发明提供一种聚吡咯/银表面改性层状粘土‑聚己内酯抗菌纳米复合薄膜的制备方法，通过利用可溶性Ag+盐引发吡咯Py在层状粘土LDHs表面发生化学氧化反应，新形成PPy的化学氧化可以将银离子结合并还原成金属银纳米粒子AgNP，然后形成聚吡咯PPy包覆粘土LDHs获得聚吡咯表面改性层状粘土抗菌粉末LDHs@PPy‑Ag；最后将LDHs@PPy‑Ag和聚己内酯PCL采用溶液浇筑制备出LDHs@PPy‑Ag/PCL纳米复合薄膜。本发明通过表面有机包覆物PPy来增加LDHs与基材PCL之间界面相容性和结合力，提高最终纳米复合材料的力学性能和气体阻挡性，并赋予复合薄膜优异抗菌性能，最终拓展复合材料在活性包装领域的应用，制备方法简单
一种吡咯表面改性层状粘土内酯抗菌纳米复合薄膜制备方法

[发明专利]石墨烯增强的树脂基全碳复合材料及其制备方法-CN202010699521.6有效
发明人：沈永涛;雷圣宾;吴国领;张恩冰;宋亚儒 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯增强的树脂基全碳复合材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：将碳纳米管薄膜在过氧化氢水溶液中浸泡，再在盐酸水溶液中浸泡，冲洗，进行机械单向拉伸，沉浸在第一液体中，用二氯甲烷冲洗，真空静置，得到处理后薄膜，将处理后薄膜浸入第二液体中，再采用提拉法进行提拉，得到层状结构，再于机械压力下沿层状结构的厚度方向压制，压制时从室温升温至180～200℃，再在惰性气体或氮气环境下从室温升温至1000‑1100℃并于该温度保持30min，冷却至室温，得到石墨烯增强的树脂基全碳复合材料，本发明通过设计层状结构、层结合面的预处理、石墨烯填料的应用，缓慢固化，利用软相与硬相的紧密结合，使复合材料质地紧密，
石墨增强树脂基全碳复合材料及其制备方法