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- [实用新型]一种应力分析用电阻应变计-CN201420043065.X有效
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胡玲玲
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济南金钟电子衡器股份有限公司
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2014-01-23
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2014-06-18
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G01L1/22
- 本实用新型公开了一种应力分析用电阻应变计，属于应变计，其结构包括标记基底和应变计本体，应变计本体包括从下到上依次设置的第一层应变计片、第二层应变计片和第三层应变计片，第一层应变计片、第二层应变计片和第三层应变计片的上部分别设置有敏感栅，第三层应变计片的敏感栅的上部设置有保护层，第一层应变计片、第二层应变计片和第三层应变计片上部设置的敏感栅的丝栅轴向分别呈45°、135°、90°分布，敏感栅的焊盘呈同一角度分布，每个焊盘上分别设置有引线，整个应变计的外形尺寸小于3mm×3mm。本实用新型具有应变计外观新颖独特，尺寸小但合格率高，可以降低生产成本并解决贴片受限的难题。
- 一种应力分析用电应变
- [发明专利]硅单晶片的残余应力的测试方法-CN201110333964.4有效
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徐永平;刘剑
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扬州晶新微电子有限公司
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2011-10-27
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2012-05-02
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G01L1/22
- 本发明公开了一种硅单晶片的残余应力的测试方法，主要测试步骤有：三向应变花、应变仪、被测硅单晶片等的准备工作，粘贴三向应变花，测试各三向应变花各电阻的初值并记录，切割硅片释放应力，复测三向应变花各数据并对应记录本发明用三向电阻应变花做应变传感器，采用切割法释放硅片的残余应力，以YE2539高速静态应变仪测量紧密粘贴在硅片上应变花的反向应变可计算出硅片上各点残余应力的大小和方向，形成对硅片独特的测试操作过程，测试精度高测试结果分析表明：单晶硅片总体残余应力小，圆周边缘处的残余应力相对内部测点偏大，未经加工的单晶硅片相对于已加工的单晶硅片的最大残余应力偏大。
- 晶片残余应力测试方法
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