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[发明专利]自适应消除LED鬼影和耦合方法及相关电路产品及介质-CN202210672364.9在审
发明人：戴加良 -专利权人：深圳英集芯科技股份有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了自适应消除LED鬼影和耦合方法及相关电路产品及介质，该方法包括：通过鬼影消除电路控制行寄生电容的放电速度，根据行寄生电容的放电速度增加行选信号的下降沿斜率，以使该行寄生电容无法驱动未选中行上的LED，从而消除LED中的鬼影现象；通过耦合消除电路控制列寄生电容的充电速度，根据列寄生电容的充电速度减小所述列选信号的上升沿斜率，以使列寄生电容无法驱动未选中列上的LED，从而消除LED中的耦合现象，
自适应消除 led 耦合方法相关电路产品介质

[发明专利]自适应消除LED鬼影和耦合方法及电路-CN202210196137.3有效
发明人：张文文;戴加良 -专利权人：深圳英集芯科技股份有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种自适应消除LED鬼影和耦合方法及电路，该方法包括：通过鬼影消除电路控制行寄生电容的放电速度，根据行寄生电容的放电速度增加行选信号的下降沿斜率，以使该行寄生电容无法驱动未选中行上的LED，从而消除LED中的鬼影现象；通过耦合消除电路控制列寄生电容的充电速度，根据列寄生电容的充电速度减小所述列选信号的上升沿斜率，以使列寄生电容无法驱动未选中列上的LED，从而消除LED中的耦合现象，进而整体上显著提升显示效果
自适应消除 led 耦合方法电路

[发明专利]用于多晶硅层和衬底区之间降低的寄生电容的完全耗尽区-CN201511028485.6有效
发明人： S·潘;M·L·塔拉比亚 -专利权人：塞瑞斯逻辑公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：在具有多晶硅层的电子器件中，可以使用完全耗尽区以降低多晶对衬底的寄生电容。当所述完全耗尽区至少部分地位于所述电子器件下方时，在所述完全耗尽区和所述衬底区之间形成附加寄生电容。所述附加寄生电容与所述电子器件的多晶硅层和所述掺杂区之间的第一寄生电容串联耦合。所述第一寄生电容和所述附加寄生电容的串联组合导致电子器件所经受的寄生电容整体下降。
用于多晶衬底之间降低寄生电容完全耗尽

[发明专利]一种高精度跟踪保持电路-CN202210128336.0在审
发明人：盖伟新;叶秉奕 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种高精度跟踪保持电路，其包括采样开关S1、S2，采样电容C1、C2，差分放大器以及反馈补偿电容C5、C6，差分放大器的输入和输出之间有寄生电容C3、C4。当由跟踪状态切换到保持状态时，正向输出信号OP通过寄生电容C4耦合到采样电容C2上，反向输出信号ON通过反馈补偿电容C6同样耦合到采样电容C2上，两种耦合相互抵消，使采样信号TN保持不变；同理，反向输出信号ON通过寄生电容C3耦合到采样电容C1上，正向输出信号OP通过反馈补偿电容C5同样耦合到采样电容C1上，两种耦合相互抵消，使采样信号TP保持不变。本发明使差分放大器的延时及寄生电容不再对采样信号产生影响，改善了跟踪保持电路的采样精度。
一种高精度跟踪保持电路

[发明专利]在无线充电应用中实现存在和使用模式检测的方法和装置-CN201680021151.2在审
发明人： A·戈文达拉吉;W·H·冯诺瓦克三世;M-L·奇 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H02J50/60 文献下载
摘要：该装置包括耦合器，被配置为当以时变电流驱动时生成无线场。该装置包括测量电路，被配置为在耦合器生成无线场时确定耦合器和地之间的寄生电容。该装置包括控制器电路，被配置为响应于确定的寄生电容满足检测标准来确定外来对象的存在。检测标准可以包括确定的寄生电容的时变模式，该时变模式被预先确定以对应于外来对象存在的情况。检测标准还可以包括确定的寄生电容中的阈值变化，该阈值被预先确定以对应于外来对象存在的情况。
无线充电应用实现存在使用模式检测方法装置

[发明专利]用于减小的输入电容的探针衰减器-CN201810750519.X在审
发明人： J.S.丹迪 -专利权人：特克特朗尼克公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G01R1/067 文献下载
摘要：提供了用于减小的输入电容的探针衰减器。公开一种测试和测量探针，其包括信号通道，所述信号通道具有带有串联寄生电容的输入串联电阻器。探针还包括耦合到信号通道的放大器。放大器包括并联寄生电容。可变并联电阻器耦合到信号通道和地。可变并联电阻器可以被设置为匹配与串联寄生电容和并联相关联的电阻电容（RC）值。探针还可以包括耦合到放大器的可变串联电阻器。
信号通道探针放大器并联电阻器耦合到可变可变串联电阻器寄生电容输入电容衰减器减小串联并联寄生电容关联测量探针电阻电容输入串联衰减变化电阻器并联匹配测试

[发明专利]液晶显示面板及其像素结构-CN200810212854.0有效
发明人：吕英齐;林祥麟;黄宏基;李锡烈 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：第一次像素结构包括第一耦合电容与延伸电容，第二次像素结构包括第二耦合电容与寄生电容，其中第一耦合电容与延伸电容的电容值总和约略等于第二耦合电容与寄生电容的电容值总和。
液晶显示面板及其像素结构

[发明专利]一种动态校准方法、设备及计算机可读存储介质-CN202011354229.7有效
发明人：张立振;杨宪昌;邓永庆 -专利权人：杨新芳
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态校准方法、设备及计算机可读存储介质，其中，该方法包括：识别到当检测到频段切换时，检测电容传感器内部的寄生电容值和天线寄生电容值；然后，比较所述寄生电容值和所述天线寄生电容值；当所述寄生电容值与所述天线寄生电容值相同时，将所述寄生电容值作为工作基准值；当所述寄生电容值与所述天线寄生电容值不同时，获取所述寄生电容值与所述天线寄生电容值的差值，并将所述寄生电容值与所述差值的和作为所述工作基准值。实现了一种当天线频率进行切换时，降低天线寄生电容对SAR传感器寄生电容的影响，以确保SAR传感器工作在正常状态。
一种动态校准方法设备计算机可读存储介质

[发明专利]一种阵列基板及其驱动方法、显示装置-CN201310450684.0有效
发明人：赖意强 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：用以抵消寄生电容的耦合效应，提高画面显示品质。通过在阵列基板中添加至少一条附加信号线，该附加信号线与公共电极层的图案交叉形成附加电容，附加电容用于抵消公共电极线与数据线交叉形成的寄生电容的耦合效应。
一种阵列及其驱动方法显示装置

[发明专利]差分放大电路-CN202110143642.7在审
发明人：陈嘉澍 -专利权人：加特兰微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本分案申请公开了一种差分放大电路，包括：形成差分对结构的第一晶体管和第二晶体管；第三晶体管，其栅漏寄生电容与第一晶体管的栅漏寄生电容并联且二者极性相反；第四晶体管，其栅漏寄生电容与第二晶体管的栅漏寄生电容并联且二者极性相反；第一变压器和第二变压器，第二变压器的初级线圈的第一端经由第三晶体管耦合于第一变压器的次级线圈的第一端和第一晶体管的控制端，第二变压器的初级线圈的第二端经由第四晶体管耦合于第一变压器的次级线圈的第二端和第二晶体管的控制端，本公开能够在差模和共模模式下中和差分对管的栅漏寄生电容，降低反向耦合效应、提高稳定增益和稳定性，对工艺的依赖度小，易实现电容匹配以及规模量产。
放大电路

[发明专利]一种对称半桥LC串联谐振正弦功率变换电路-CN201911195829.0有效
发明人：高彧博;赵莉;李群;程立;谢章贵;段崇嵩 -专利权人：扬州船用电子仪器研究所（中国船舶重工集团公司第七二三研究所）
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本申请公开了一种正弦功率变换器的LCT集成磁性元件，磁性元件包括第一高频变压器初级平面绕组、第二高频变压器初级平面绕组和高频变压器次级平面绕组，磁性元件还包括：寄生电容和寄生电感；寄生电容紧密耦合于第一高频变压器初级平面绕组的下方和、第二高频变压器初级平面绕组的上方；寄生电感紧密耦合于第二高频变压器初级平面绕组的下方和、高频变压器次级平面绕组的上方，其中，寄生电容和寄生电感组成LC串联谐振电路。通过本申请中的技术方案，使用一个磁回路集成设计了谐振电容、谐振电感和高频变压器，大幅减小了LCT元件的尺寸，利用了LCT元件的寄生参数，提高正弦功率变换器的功率密度。
一种对称 lc 串联谐振正弦功率变换电路

[发明专利]阵列基板-CN201810810917.6在审
发明人：简清富 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板，通过将扇出线上的辅助ITO线设置为包括多个间隔设置的区段的结构，从而使得相邻的两条辅助ITO线连接短路时，短路的部分仅为相邻的两条辅助ITO线的一个区段，使得产生的所述耦合寄生电容仅为所述区段与所述扇出线之间的产生的，相较于现有技术相邻的两条辅助ITO线与所述扇出线之间的所述耦合寄生电容的值大大减小，从而减小所述耦合寄生电容对所述扇出线上的信号传输的影响影响，减轻所述显示面板上淡线的产生，使得所述显示面板具有较好的显示效果
扇出线寄生电容耦合显示面板短路减小间隔设置显示效果信号传输阵列基板淡线

[发明专利]差分放大电路-CN201710743761.X有效
发明人：陈嘉澍 -专利权人：加特兰微电子科技(上海)有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种差分放大电路，包括：形成差分对结构的第一晶体管和第二晶体管；第三晶体管，其栅漏寄生电容与第一晶体管的栅漏寄生电容并联且二者极性相反；第四晶体管，其栅漏寄生电容与第二晶体管的栅漏寄生电容并联且二者极性相反本发明通过交叉设置晶体管，能够在差模和共模模式下对差分对管的栅漏寄生电容进行中和，从而降低了反向耦合效应、提高了差分放大器的稳定增益、并提高了差分放大器的稳定性。与采用金属层叠电容的现有技术相比，本发明实施例的差分放大电路对工艺的依赖度更小，因此更容易保证用于去耦的晶体管与差分对管的栅漏寄生电容之间的匹配，并且更有利于规模量产的实现。
放大电路

[发明专利]应用于有机基板的带通滤波器-CN200810088325.4有效
发明人：李宝男;邱基综 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：所述电路层包括数个电感线路及数个金属片，所述金属片与所述有机基板层形成数个电容，所述电容及所述电感线路产生一第一寄生电容及一第二寄生电容，上述的电容及电感形成一带通滤波器。所述电容值非常小，可应用于有机基板内，以节省成本。该第一寄生电容及该第二寄生电容可提升该滤波器电路设计的自由度，且利用寄生效应，不需增加额外面积，以有效地降低本发明带通滤波器的面积。另外，本发明带通滤波器利用组件间的耦合以造成额外的低频及高频传输零点，增加禁带衰减率。
应用于有机带通滤波器

[发明专利]静电电容检测装置以及制造方法-CN202180048122.6在审
发明人：滝泽哲;正木毅;佐佐木尚;高桥宽明;大下和人 -专利权人：阿尔卑斯阿尔派株式会社
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01H36/00 文献下载
摘要：静电电容检测装置具备：第一基板；检测电极，设于第一基板的表面，检测操作体相对于操作面的接近；寄生电容耦合导体，设于第一基板的背面侧；第一外周电极，在第一基板的表面中以包围检测电极的方式设置；以及多个侧方电极，以包围检测电极的方式排列设置，沿着第一基板的厚度方向延伸，并且与第一外周电极以及寄生电容耦合导体分别连接。
静电电容检测装置以及制造方法

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