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[发明专利]高速集成电路的补偿网络-CN201911219890.4有效
发明人：刘西柯 -专利权人：默升科技集团有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一个说明性集成电路实施例包括：引脚，该引脚被配置成用于经由具有寄生电容的焊料凸块连接至基板焊盘；电感器，该电感器将引脚耦合至发射电路或者接收电路；第一静电放电(ESD)保护设备，该第一静电放电保护设备电连接至电感器的引脚端；以及第二ESD保护设备，该第二ESD保护设备电连接至电感器的电路端，其中第一ESD保护设备具有第一电容，该第一电容加上寄生电容等于耦合至电感器的电路端的总电容。
高速集成电路补偿网络

[发明专利]电容式感测阵列装置及使用其的电子设备-CN201510216459.X在审
发明人：周正三 -专利权人：茂丞科技股份有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明提供一种电容式感测阵列装置及使用其的电子设备，在该装置中，耦合信号源提供耦合信号耦合至物体，固定电压源提供固定电压至遮蔽导体层群组，使遮蔽导体层群组与各感测电极之间形成稳定的垂直寄生电容。当选取一个感测电极进行感测时，此等开关模块被设定成使得选取的感测电极与固定电压源之间成断路，同时使得其余感测电极与固定电压源之间成短路，使选取的感测电极与其余感测电极之间形成稳定的水平寄生电容。
电容式感测阵列装置使用电子设备

[发明专利]薄膜晶体管像素结构及薄膜晶体管显示装置-CN201110125742.3有效
发明人：吴天一;马骏 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管像素结构和薄膜晶体管显示装置，所述薄膜晶体管像素结构包括：薄膜晶体管，包括：栅极、源极和漏极，其中漏极位于栅极的边界以内，且漏极各边缘与栅极对应边缘的距离大于等于偏移阈值，漏极与像素电极通过第一导线电性连接；栅漏寄生电容，包括：栅漏寄生电容第一电极、第一介质层和栅漏寄生电容第二电极；补偿电容，包括：补偿电容第一电极、第二介质层和补偿电容第二电极，所述补偿电容与栅漏寄生电容并联，并且所述补偿电容和所述栅漏寄生电容并联后的总电容值始终是定值
薄膜晶体管像素结构显示装置

[发明专利]肖特基变容管的大信号等效电路模型及其提参方法-CN201010556024.7有效
发明人：董军荣;黄杰;田超;杨浩;张海英 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-11-23 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：所述模型包括阳极PAD对地的寄生电容、引线寄生电感、串联寄生电阻、结区非线性电容、结区非线性电阻和阴极PAD对地的寄生电容；所述阳极PAD对地的寄生电容和引线寄生电感相串联，所述引线寄生电感和串联寄生电阻相串联，所述结区非线性电阻和结区非线性电容相并联后，再串联在串联寄生电阻和阴极PAD对地的寄生电容之间。
肖特基变容管信号等效电路模型及其方法

[发明专利]显示面板的金属走线的寄生电容的量测方法-CN201610567180.0在审
发明人：赵莽;易士娟 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种显示面板的金属走线的寄生电容的量测方法。该方法包括：步骤10、提供第一组电路版图，其包括测试部分及公共部分，该测试部分包含待量测的金属走线，该公共部分包含引线及与引线相连接的量测垫；步骤20、利用该第一组电路版图中的量测垫量测第一组寄生电容数据；步骤30、提供第二组电路版图，其仅包括该第一组电路版图中的公共部分；步骤40、利用该第二组电路版图中的量测垫量测第二组寄生电容数据；步骤50、将该第一组寄生电容数据与第二组寄生电容数据对应相减以得到对应的金属走线的寄生电容本发明适用于LTPS面板的电容量测，能够量测出金属走线之间有效的侧向电容和交叠电容大小，为小尺寸产品设计提供很好的参考价值。
显示面板金属寄生电容方法

[发明专利]一种变压器寄生电容的实验测量方法-CN201810409891.4有效
发明人：王乃增;杨旭;田莫帆;周昂扬 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种变压器寄生电容的实验测量方法，包括：根据变压器寄生电容等效模型，将所有分布电容等效成一个连接在变压器一次绕组两端的寄生电容C_w；构建测量变压器寄生电容电路，包括依次连接的逆变半桥、谐振网络和整流滤波电路；采集励磁电感的电流、开关管Q2的驱动电压、开关管Q2的漏源电压以及输出电压的波形，读取波形的死区时间、死区时间段励磁电流值和死区时间段输出电压值；根据开关管输出电容的C‑V曲线，将输出电容从0积分到输入电压；采用电荷守恒公式计算出变压器寄生电容的值，至此完成变压器寄生电容的实验测量。
寄生电容变压器实验测量开关管死区时间段输出电容输出电压整流滤波电路读取测量变压器等效模型电荷守恒分布电容公式计算励磁电感励磁电流漏源电压驱动电压输入电压谐振网络一次绕组依次连接半桥构建逆变死区测量电路采集

[发明专利]具有电容补偿结构的液晶显示器-CN200410002080.0有效
发明人：来汉中 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2004-01-12 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明提出一种具有电容补偿结构的液晶显示器，借助在漏极与像素电极重叠的一端，设置与栅极耦接的寄生电容结构，使漏极与栅极重叠端的寄生电容改变时，会在漏极与像素电极重叠端得到补偿，致使总体的栅极－漏极寄生电容维持不变
具有电容补偿结构液晶显示器

[发明专利]陀螺仪系统及用于其的正交耦合和电耦合的补偿装置-CN201510099113.6有效
发明人：张晰泊 -专利权人：北京芯动联科微电子技术有限公司
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G01C19/00 文献下载
摘要：本发明提出一种陀螺仪系统及用于其的正交耦合和电耦合的补偿装置，补偿装置包括正交耦合补偿模块位于陀螺仪传感器芯片内且与陀螺仪表头相连，用于对陀螺仪传感器芯片受到的机械正交耦合项引起的误差进行补偿，包括第一电荷敏感放大器和第一增益放大器；电耦合补偿模块位于陀螺仪传感器芯片内且与陀螺仪表头相连，用于对陀螺仪表头的驱动反馈电极和传感检测电极之间的寄生电容产生的误差进行补偿，其中，电耦合补偿模块包括缓冲器和第二增益放大器。本发明对陀螺仪表头制造工艺引起的机械正交耦合项和寄生电容引起的电耦合项进行补偿，消除这两项对有用信号的干扰。
陀螺仪系统用于正交耦合补偿装置

[发明专利]一种信号衰减网络和无线信号接收机-CN201880084964.5在审
发明人：侯斌;莫秉轩;张立国 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H03H7/25 文献下载
摘要：其中信号衰减网络包括包括电阻衰减网络和补偿电容。电阻衰减网络包括第一差分输入端、第一差分输出端、第一电阻网络、第二电阻网络和第三电阻网络。第一差分输入端包括第一输入端和第二输入端。第一电阻衰减网络耦合在第一输入端和第一输出端之间。第一电阻网络耦合在第一输入端和第一输出端之间。第二电阻网络耦合在第二输入端和第二输出端之间。第三电阻网络耦合在第一电阻网络和第二电阻网络之间。补偿电容耦合用于对电阻衰减网络的寄生电容做补偿。通过上述技术方案有助于降低电阻衰减网络中寄生电容的影响，提高信号处理能力。
一种信号衰减网络无线接收机

[发明专利]一种抑制SiC—MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动电路-CN202111113427.9在审
发明人：李庆辉;潘三博 -专利权人：上海电机学院
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种抑制SiC—MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动电路，包括第一开关管、第二开关管和输入电压源，开关管均连接有辅助电路和驱动电路，辅助电路包括串扰电压抑制电容、第一RCD网络和第二RCD网络，驱动电路包括关断负压源和开关驱动电路，第一开关管中的电流依次流经有第一寄生电容、寄生电阻和第二寄生电容，串扰电压抑制电容连接第二RCD网络后并联在寄生电阻和第二寄生电容的两端，第一RCD网络连接关断负压源后并联在寄生电阻和第二寄生电容的两端；第一RCD网络的发射结连接寄生电阻，第二RCD网络的发射结连接第二寄生电容。
一种抑制 sic mosfet 桥臂串扰进门驱动电路

[发明专利]一种浪涌保护电路-CN201910620110.0有效
发明人：罗旭程;何永强;程剑涛;杜黎明;孙洪军;乔永庆 -专利权人：上海艾为电子技术股份有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：包括串联模块和浪涌泄放单元；在串联模块和浪涌泄放单元分别满足相应的泄放要求时，将接收到的浪涌电压泄放到地，使电子设备的输入电压被钳位在自身的安全工作电压，保证电子设备安全工作；另外，与现有技术相比，本申请在浪涌泄放单元的寄生电容的基础上，为其串联了一个串联模块的寄生电容，且串联模块的寄生电容小于浪涌泄放单元的寄生电容，使得浪涌保护电路的总寄生电容减小，对高速信号的畸变影响减小，因此使得本申请提供的浪涌保护电路可以应用于高速端口。
一种浪涌保护电路

[发明专利]射频热消融系统及其控制方法-CN201910796082.8有效
发明人：谭伟 -专利权人：昆山雷盛医疗科技有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： A61B18/12 文献下载
摘要：该射频热消融系统包括：热消融探头，所述热消融探头包括带电感特性的绝缘加热绕组，其电感特性用于配置检测时的频率工作点，增强检测绕组圈间寄生电容的灵敏度；射频发生器，用于向所述加热绕组输出用于加热的射频功率；圈间寄生电容监测装置，用于在加热过程中监测因管状器官壁接近绝缘加热绕组和/或体液凝固产生的绕组圈间寄生电容的变化；控制装置，用于根据所述圈间寄生电容监测装置检测到的圈间寄生电容的变化，控制所述射频发生器向所述加热绕组输出的射频功率大小
射频消融系统及其控制方法

[发明专利]谐振转换器中的共模（CM）电磁干扰（EMI）降低-CN201780051452.4有效
发明人：张欢;戴和平;王硕 -专利权人：华为技术有限公司;佛罗里达大学研究基金会
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H02M3/28 文献下载
摘要：一种装置，包括：第一电感器，耦合到第一节点和第二节点；第二电感器，耦合到第三节点和第四节点；第三电感器，耦合到所述第四节点和第五节点，其中所述第一电感器、第二电感器和第三电感器形成变压器；以及补偿电容器，耦合到所述第一节点和所述第二节点中的一个以及所述第四节点并且包括补偿电容。一种制造谐振转换器的方法，所述方法包括：获得谐振转换器，其中所述谐振转换器包括变压器；确定所述变压器的寄生电容；根据所述寄生电容计算补偿电容；以及在所述变压器上添加补偿电容器，其中所述补偿电容器包括所述补偿电容
谐振转换器中的 cm 电磁干扰 emi 降低

[发明专利]一种芯片设计方法及芯片装置-CN200510137070.2无效
发明人：沈方;宋戈;麦克·方 -专利权人：方泰开曼公司
申请日： 2005-12-20 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片设计方法，通过调整寄生电容容值以匹配芯片所需滤波电容的电容值，且该寄生电容一端接于芯片封装引脚的接地端，另一端接电源。通过本发明简化系统厂商了设计复杂度且降低了成本。本发明还提供一种芯片装置，所述芯片装置内含有一端接电源，另一端接于封装引脚的接地端的寄生电容，该寄生电容的容值同芯片所需的滤波电容的电容值匹配。
一种芯片设计方法装置

[发明专利]一种并联器件的参数调节方法、装置及目标电路-CN202210569397.0在审
发明人：曾健忠 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明适用于电子电路技术领域，提供了一种并联器件的参数调节方法、装置及目标电路，参数调节方法应用于包括并联连接的多个半导体器件和多个电容补偿单元的目标电路，每个电容补偿单元连接在一个半导体器件的受控端和导通端之间；方法包括：获取各个半导体器件的受控端和导通端之间的寄生电容值；基于所有寄生电容值确定目标电容值，目标电容值大于或等于寄生电容值的最大值；将半导体器件的寄生电容值与目标电容值之间的差值确定为半导体器件的补偿电容值；控制电容补偿单元基于相应半导体器件的补偿电容值，对相应半导体器件的寄生电容值进行电容补偿，不仅可以使多个半导体器件的开关速度特性相匹配，而且电路结构简单，适用场景较广。
一种并联器件参数调节方法装置目标电路