专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种聚酰亚胺复合薄膜材料耐电晕性能检测方法-CN201911313361.0有效
  • 徐勇;陈坚;汤学妹 - 南京中鸿润宁新材料科技有限公司
  • 2019-12-19 - 2020-11-13 - G01R31/12
  • 本发明提供的一种聚酰亚胺复合薄膜材料耐电晕性能检测方法,包括以下步骤:将待测聚酰亚胺复合薄膜材料试样表面接入金属平板电极并设置表面电位计,并置于检测容器中,抽真空;将待测聚酰亚胺复合薄膜材料试样两极板施加2‑5kV直流电压进行电晕充电3min,充电后利用表面电位计测量试样表面电位v随时间t的变化值;待表面电位为零时,继续对待测聚酰亚胺复合薄膜材料试样两极板施加0‑10V直流电压,按一定速率开始增大电压值,直至待测聚酰亚胺复合薄膜材料试样表面被击穿,记录击穿电压值v2和该时刻t2,计算聚酰亚胺复合薄膜材料耐电晕性能。本发明提供的复合薄膜材料耐电晕性能检测方法测试结果客观,评价科学。
  • 一种聚酰亚胺复合薄膜材料电晕性能检测方法
  • [发明专利]复合薄膜及其制备方法-CN202310759478.1在审
  • 杨超;胡文;刘亚明;张秀全;李真宇 - 济南晶正电子科技有限公司
  • 2023-06-26 - 2023-09-01 - H01L31/0392
  • 本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法,包括:依次层叠的衬底层、隔离层和有源层;其中,衬底层的材质为多晶材料,和/或非晶材料。首先,相较于现有技术的复合薄膜中硅材质的衬底层,本申请制备复合薄膜的过程中无需进行硅材质提纯、硅衬底多步清洗以及多晶硅生长工艺制作缺陷层等步骤,大大简化了复合薄膜的制备过程;其次,多晶材料或者非晶材料的衬底层中存在空位缺陷,其可以捕获载流子,从而能够避免复合薄膜中产生寄生导电效应,降低损耗;再者,多晶或者非晶材料的价格远低于硅材料的价格,约为其1/3;因此,具有多晶材料或非晶材料衬底层的复合薄膜,可以在保证性能的前提下,
  • 复合薄膜及其制备方法
  • [发明专利]具有磁电效应的复合薄膜异质结及其制备方法-CN200810098905.1无效
  • 赵世峰;万建国;刘俊明;韩民;王广厚 - 南京大学
  • 2008-05-09 - 2008-10-15 - H01L43/10
  • 具有磁电效应的复合薄膜异质结,由具有压电效应的材料和具有磁致伸缩效应的材料复合而形成,特征是:所述的具有磁致伸缩效应的材料为稀土铁合金RFe2纳米薄膜,R为稀土元素;具有压电效应的材料为柔软的PVDF聚合物压电薄膜;两种薄膜复合方式是:稀土铁合金RFe2纳米薄膜淀积在PVDF压电薄膜上而形成RFe2/PVDF双层纳米复合薄膜。该RFe2/PVDF双层纳米复合薄膜的制备方法:将RFe2团簇束流持续淀积在PVDF压电薄膜表面,形成RFe2纳米薄膜层。本发明中PVDF聚合物薄膜既是压电功能层,又是RFe2纳米薄膜层的衬底。本发明的复合薄膜异质结中界面应力传递更加有效,具有较强的磁电效应。
  • 具有磁电效应复合薄膜异质结及其制备方法
  • [发明专利]一种制造复合薄膜电极材料的方法-CN201310112885.X在审
  • 徐建华;李金龙;杨文耀;张鲁宁;张辉;杨亚杰 - 电子科技大学
  • 2013-04-02 - 2013-07-10 - H01G11/86
  • 本发明实施例公开了一种制造复合薄膜电极材料的方法,包括:在基板上电化学聚合形成聚3,4-乙撑二氧噻吩修饰薄膜电极层;将石墨烯加入甲基苯磺酸铁和异丙醇的混合溶液中,获得涂敷溶液,并将涂敷溶液在聚3,4-乙撑二氧噻吩修饰薄膜电极层上涂敷至少三层并退火处理,获得中间复合薄膜;然后将中间复合薄膜在3,4-乙撑二氧噻吩单体气氛中进行气相沉积处理,获得复合薄膜电极材料。本发明的实施例中的制造复合薄膜电极材料的方法,效率高,过程简单,其制得的复合薄膜电极材料具有比电容高,循环稳定性好等优点,适用于超级电容器电极材料
  • 一种制造复合薄膜电极材料方法
  • [发明专利]一种石墨烯薄膜/硅复合材料的制备方法及其应用-CN202011329976.5有效
  • 王立勇 - 中北大学
  • 2020-11-24 - 2022-04-22 - H01M4/36
  • 本发明公开了一种石墨烯薄膜/硅复合材料的制备方法,涉及涉及离子储能材料技术领域。石墨烯薄膜的制备:以天然鳞片石墨为原料,采用电化学非氧化层离的方法制备多层石墨烯浆体,并在基板上经刮涂、干燥后,依次进行炭化、石墨化,即得石墨烯薄膜;石墨烯薄膜/硅复合材料的制备:以制备的石墨烯薄膜作为基底,采用磁控溅射的方法依次在基底材料上交替生长粘结材料和硅材料,并使硅材料处于粘结材料的层状包裹结构中,即得石墨烯薄膜/硅复合材料。本发明以天然鳞片石墨为原料,采用磁控溅射技术,将硅、镍材料与高导电石墨烯薄膜基底材料结合,制备硅基复合材料
  • 一种石墨薄膜复合材料制备方法及其应用
  • [发明专利]一种GNP/PS-BT/PVDF选择性复合薄膜及其制备方法-CN202110799972.1在审
  • 王继华;张明婷;韩志东;王春锋;王永亮 - 哈尔滨理工大学
  • 2021-07-15 - 2021-11-16 - C08L25/06
  • 一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜及其制备方法。本发明属于介电材料及其制备领域。本发明的目的是解决现有聚合物基高介电常数复合材料损耗因子高、绝缘性能差的技术问题。本发明的一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜由BT/PVDF复合材料和GNP/PS复合材料经粉碎、混炼和热压而成,所述GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜为具有微电容器结构的四元复合薄膜;其中BT/PVDF复合材料由BT和PVDF混炼而成,GNP/PS复合材料由GNP和PS混炼而成。方法:分别先预混形成GNP/PS复合材料和BT/PVDF复合材料,然后再将两种复合材料粉碎后混炼,再进行热压,冷却后得到GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜。本发明的复合材料内部具有微电容器结构,在保证介电常数显著提高的同时仍保持较高的击穿场强和优异的综合性能。
  • 一种gnppsbtpvdf选择性复合薄膜及其制备方法

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