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[发明专利]具有温度补偿的偏置电路、放大装置以及放大设备-CN201911075092.9在审
发明人：崔圭珍;赵济熙 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种具有温度补偿的偏置电路、放大装置以及放大设备。所述偏置电路包括：电流产生电路、偏置输出电路和温度补偿电路，所述电流产生电路基于参考电流产生内部基极电流，所述偏置输出电路基于所述内部基极电流产生基极偏置电流并且将所述基极偏置电流输出到放大电路，所述温度补偿电路基于反映周围温度改变的温度电压来调节所述基极偏置电流
具有温度补偿偏置电路放大装置以及设备

[发明专利]偏置电路、放大装置以及功率放大电路-CN201911248996.7在审
发明人：崔圭珍;赵济熙 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本公开提供一种偏置电路、放大装置以及功率放大电路。所述偏置电路包括：电流产生电路，基于参考电流产生反映环境温度变化的第一补偿电流和第二补偿电流；第一温度补偿电路，基于所述第一补偿电流产生第一基极偏置电流，以将所述第一基极偏置电流输出到放大电路的基极节点；以及第二温度补偿电路，基于所述第二补偿电流产生第二基极偏置电流，以将所述第二基极偏置电流输出到所述放大电路的所述基极节点。
偏置电路放大装置以及功率

[发明专利]一种开关电源的基极驱动电路-CN200910226104.3有效
发明人：段建华;朱亚江;宗强 -专利权人： BCD半导体制造有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种开关电源的基极驱动电路，包括：复合偏置电压模块，用于当功率开关管开启时的为功率开关管的基极提供过驱动电流；开关控制信号、内部偏置电压和所述功率开关管的基极电压作为复合偏置电压模块的输入信号；当功率开关管开启时，复合偏置电压模块输出的电压为基极电压和内部偏置电压之和；当经过第一预设时间之后，复合偏置电压模块输出的电压为零；再经过第二预设时间之后，复合偏置电压模块输出的电压为基极电压。当功率开关管开启时，复合偏置电压模块为功率开关管的基极提供较大的驱动电压，进而为功率开关管的基极提供过驱动电流。这样使功率开关管较快地导通，从而降低功率开关管由于导通和关断状态转换较慢引起的功耗。
一种开关电源基极驱动电路

[发明专利]高频功率放大器-CN200610106299.4无效
发明人：松本秀俊;田上知纪;大部功 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-07-19 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：在多级结构的基极偏置控制式高频功率放大器中，利用偏置电路(144)，使得提供给初级晶体管(103)的基极偏置电流(Ia)的启动电压低于提供给第二晶体管(107)的基极偏置电流(Ib)的启动电压，这两个电压的差小于放大级晶体管的基极另外，使提供给第三晶体管(111)的基极偏置电流(Ic)的启动电压等于基极偏置电流(Ia)的启动电压。
高频功率放大器

[发明专利]基极电流偏置式准甲类电路-CN97106048.7无效
发明人：秦鲁生 -专利权人：秦鲁生
申请日： 1997-08-18 - 公布日： 2001-05-30 - 主分类号： H03F3/18 文献下载
摘要：一种基极电流偏置式准甲类电路，末级采用恒流偏置方式，基极电流偏置三极管Ｑ１的基极接信号放大输出管Ｑ３的基极，基极电流偏置三极管Ｑ２的基极接信号放大输出管Ｑ４的基极。Ｑ１的集电极与Ｑ２的集电极相联构成本发明的偏置电路。信号放大输出管Ｑ３、Ｑ４的发射极相联接，构成互补输出电路，激励偏置电流Ｉ１与Ｉ２分别从Ｑ１、Ｑ２的发射极输入，Ｑ３、Ｑ４的集电极分别接电源，Ｑ３的发射极与Ｑ４的发射极的接点为输出端。
基极电流偏置式准甲类电路

[发明专利]功率放大电路-CN201810160395.X有效
发明人：本多悠里;播磨史生;田中聪 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：功率放大电路具备：放大晶体管，在基极被供给输入信号，并从集电极输出放大信号；偏置电路，对放大晶体管的基极供给偏置电流或电压；以及第一电阻元件，连接在放大晶体管的基极与偏置电路之间，偏置电路具备：电压生成电路；第一晶体管，在基极被供给第一直流电压，并从发射极供给偏置电流或电压；第二晶体管，在基极被供给第二直流电压，发射极与第一晶体管的发射极连接；信号供给电路，设置在放大晶体管的基极与第二晶体管的基极之间，对第二晶体管的基极供给输入信号；以及阻抗电路，设置在第一晶体管的基极与第二晶体管的基极之间。
功率放大电路

[发明专利]一种继电器驱动电路-CN202111648575.0在审
发明人：杨玻;刘春霞;周德豹;于志洋;孙永磊;靳盼苗;贾仲卿;杨智花;何紫洁;田贝乐 -专利权人：北京铁路信号有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01H47/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种继电器驱动电路，该电路包括：直流偏置电压产生电路、基极偏置电压产生电路及驱动电压产生电路；其中：直流偏置电压产生电路与基极偏置电压产生电路相连，用于在接收到第一驱动信号之后，控制自身中的第一光耦二极管导通，输出直流偏置电压；基极偏置电压产生电路与驱动电压产生电路相连，用于在接收到第二驱动信号之后，控制自身中的第二光耦二极管导通，并根据直流偏置电压产生基极偏置电压；驱动电压产生电路用于根据基极偏置电压控制自身中的第一三极管导通
一种继电器驱动电路

[发明专利]偏置电路和具有偏置补偿功能的放大装置-CN201911028528.9在审
发明人：朴相昱;卢大熙;金贤准;黄甫铉;元俊九;朴多慧;朴成焕;金基仲;利波良幸 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明提供一种偏置电路和具有偏置补偿功能的放大装置。放大装置包括放大电路和对第一控制信号进行响应的旁路电路，放大装置的偏置电路包括第一偏置电路、第二偏置电路和补偿电路。所述第一偏置电路被配置为响应于第二控制信号而将第一基极偏置电压供应到所述放大电路中的第一放大电路。所述第二偏置电路被配置为响应于第三控制信号而将第二基极偏置电压供应到所述放大电路中的第二放大电路。所述补偿电路连接到所述第一偏置电路和所述第二偏置电路中的一者或两者，并且被配置为响应于第四控制信号而改变阻抗，并且基于改变的阻抗补偿所述第一基极偏置电压和所述第二基极偏置电压中的一者或两者。
偏置电路具有补偿功能放大装置

[发明专利]功率放大电路-CN202010433189.9在审
发明人：本多悠里;播磨史生;户谷光广 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：功率放大电路具备：第1晶体管，在基极输入第1信号，对所述第1信号进行放大，从集电极输出第2信号；和偏置电路，向第1晶体管的基极供给偏置电流，偏置电路包含：第2晶体管，向第1晶体管的基极供给偏置电流；第3晶体管，基极与第2晶体管的基极连接，集电极与第2晶体管的集电极连接；和第4晶体管，基极与第3晶体管的发射极连接，集电极与第2晶体管的发射极连接，抽出偏置电流的至少一部分。
功率放大电路

[发明专利]功率放大电路-CN201611138294.X有效
发明人：佐佐木健次 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种功率放大电路，具备：第1放大晶体管，将第1信号放大并输出第2信号；以及偏置电路，对第1放大晶体管供给偏置电压或者偏置电流，第1放大晶体管包含形成于矩形区域的多个单位晶体管，偏置电路包含：第1偏置晶体管，对多个单位晶体管中的第1组单位晶体管的基极供给第1偏置电压或者第1偏置电流；第2偏置晶体管，对多个单位晶体管中的第2组单位晶体管的基极供给第2偏置电压或者第2偏置电流；第1电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第1电压供给至第1偏置晶体管的基极；以及第2电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第2电压供给至第2偏置晶体管的基极，第2电压供给电路形成于矩形区域的内部。
功率放大电路

[发明专利]功率放大电路-CN202010583567.1在审
发明人：曾我高志 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：功率放大电路，具备：放大晶体管，其对输入信号进行放大；电阻元件，其与放大晶体管的基极串联连接；偏置晶体管，其从发射极或者源极经过电阻元件将偏置电流供给到放大晶体管的基极；以及反馈电路，其使偏置晶体管的基极电压或者栅极电压变动，以便追随于被供给到放大晶体管的基极的偏置电流的变动。
功率放大电路

[发明专利]射频放大电路-CN202110821912.5在审
发明人：筒井孝幸;田中聪 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：RF放大电路具备：第1放大晶体管，对供给至基极的射频信号进行放大并输出；第1偏置用晶体管，与所述第1放大晶体管进行电流镜连接，对所述第1放大晶体管的基极供给偏置；第2偏置用晶体管，与所述第1放大晶体管的基极进行发射极跟随连接，对所述第1放大晶体管的基极供给偏置；以及第1电容器，具有与所述第1放大晶体管的基极连接的第1端和与所述第2偏置用晶体管的发射极连接的第2端。
射频放大电路

[发明专利]具有可调共基极偏置的功率放大系统-CN201510634749.6有效
发明人： P·J·莱托拉;S·W·科芬 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：具有可调共基极偏置的功率放大系统。一种功率放大系统可包括具有耦接到射频输入的基极的第一晶体管。所述功率放大系统可包括偏置部件，其配置为向所述第一晶体管的基极施加固定偏置信号，并且向所述第二晶体管的基极施加可调偏置信号。
具有可调基极偏置功率放大系统

[发明专利]高频放大电路-CN201380068007.0在审
发明人：广冈博之 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2013-10-28 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频放大电路(10)，其包括高频用放大器(101)、偏置电路(20)。偏置电路(20)包括偏置控制元件(102、103)。偏置控制元件(102)的发射极经由电阻(201)连接于放大器(101)的基极。偏置控制元件(103)的发射极经由电阻(203)连接于开关元件(104)的集电极。开关元件(104)的发射极接地。在偏置控制元件(102)的发射极和偏置控制元件(103)的发射极之间连接有电阻(204)。向偏置控制元件(102、103)的基极施加控制电压(V_CTL)。向开关元件(104)的基极施加与动作模式相应的偏置电流调整用电压(V_LIN)。
高频放大电路

[发明专利]一种基于双极型放大器的超低偏置电流设计方法及其电路-CN202111654980.3有效
发明人：袁兴林;唐毓尚;李雪;陈敏华;张子扬;杨威;陈进;王瑶 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：一种基于双极型放大器的超低偏置电流设计方法及其电路，涉及半导体集成电路。采用实时采样电流消除设计方法，所述放大器电路包括启动偏置电路、共射共基差分输入电路、基极电流补偿核心电路；启动偏置电路在电源上电之后使系统摆脱简并点的束缚而正常工作，在启动完成后为系统提供稳定的直流偏置点；共射共基差分输入电路包括同类型超βNPN晶体管差分对，实现输入信号放大及双转单功能；基极电流补偿核心电路包括偏置电流监控电路和补偿电路，通过精密电流镜及负反馈实现输入对管基极电流拷贝，实现基极电流同步补偿解决了现有电流运算放大器输入偏置电流过大、微弱信号处理精度低的问题。广泛应用于低偏置电流运算放大器技术领域。
一种基于双极型放大器偏置电流设计方法及其电路

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