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[发明专利]一种半导体功率器件特性的版图结构仿真设计方法-CN202310327368.8在审
发明人：杨彪 -专利权人：深圳信创产业发展有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体功率器件特性的版图结构仿真设计方法，包括基于半导体功率器件特性，确定特性参数；构建半导体功率器件的初始三维模型，并给予正交试验，通过特性参数对初始三维模型中的不同元器件进行仿真模拟，并判断是否符合特性参数；当元器件的仿真参数不符合特性参数时，进行元器件替换；当所有器件的仿真参数均符合对应特性参数时，生成半导体功率器件三维仿真版图。本发明的有益效果在于：本发明能够在半导体功率器件的仿真设计上进行处理，对半导体功率器件的特性进行分析，对设计过程中不合理的或者无法达到半导体功率器件设计参数和器件特性的地方进行修改，防止半导体功率器件不符合设计的预期要求
一种半导体功率器件特性版图结构仿真设计方法

[发明专利]一种电力电子器件动态开关特性测试方法-CN201811367745.6在审
发明人：周宇;胡卫丰;马汝祥;胥峥;侍红兵;周洪益 -专利权人：国网江苏省电力有限公司盐城供电分公司;国家电网有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种电力电子器件动态开关特性测试方法，具体包括如下步骤：确定电力电子器件动态开关特性测试系统结构；确定电力电子器件开关特性测试电路及测试时序；确定被测器件及测试条件；测试电压对被测器件开关特性的影响；测试电流对被测器件开关特性的影响；测试驱动电阻对被测器件开通特性的影响；测试工作结温对被测器件开关特性的影响；被测器件动态开关特性测试分析与总结。本发明设计一种电压/电流/功率适应性宽的离线测试系统，用于测试不同工作温度、门极电阻、门极电压、环路电感、母线电压和负载电流等条件下大功率电力电子器件的工作特性及损耗。
被测器件电力电子器件动态开关开关特性特性测试大功率电力电子器件离线测试系统特性测试分析特性测试系统测试测试电流测试电路测试电压测试驱动测试时序测试条件负载电流工作结温工作特性环路电感门极电压门极电阻母线电压电阻开通

[发明专利]基于深度学习的FINFET器件直流特性预测方法-CN202211737893.9在审
发明人：王树龙;陈栋梁;李宇航;曹宪法;刘伯航;潘锦斌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：一种基于深度学习的FINFET器件直流特性预测方法，通过ADS软件调用BSIM‑CMG模块，构建FINFET器件电学特性测试原理图，使用ADS软件内置的批量仿真模块提取不同尺寸FINFET器件的电学特性，将影响器件特性的尺寸以及器件的栅压VGS作为输入特征，器件的电学特性作为输出结果，完成数据集的构建；将构建的数据集按比例划分训练集、测试集和预测集；构建基于深度学习神经网络的器件电学特性预测模型；利用数据集训练器件电学特性预测模型，利用训练完成得到的器件电学特性预测模型对器件电学特性进行预测。
基于深度学习 finfet 器件直流特性预测方法

[发明专利]管理方法及管理装置-CN200580051700.2无效
发明人：冈安俊幸;须川成利;寺本章伸 -专利权人：爱德万测试株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2005-09-27 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供一种管理方法，该方法是针对通过多道生产工序生产电子器件的被管理生产线，管理各道生产工序中使用的各个生产装置的管理方法；具有：基准特性取得阶段，其取得基准器件的特性，该基准器件通过可实施多道生产工序的、预定的基准生产线生产；比较器件生产阶段，其使被管理生产线处理多道生产工序中的至少一道生产工序，使基准生产线处理其它生产工序，生产比较器件；比较特性测定阶段，其测定比较器件的特性；特性比较阶段，其比较基准器件的特性和比较器件的特性；判定阶段，其根据特性的差异，判定处理比较器件的被管理生产线的生产工序中使用的生产装置是否良好。
管理方法装置

[发明专利]基于多光源的光波导显示模组-CN202010152067.2有效
发明人：滕东东;刘立林 -专利权人：驻景（广州）科技有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G02B30/20 文献下载
摘要：本发明公开一种基于多光源的光波导显示模组，包括时序正交特性光源阵列/时序非正交特性光源阵列、中继器件、正交特性显示器件/非正交特性显示器件、光波导器件、会聚器件、控制器件，其中时序正交特性光源阵列/时序非正交特性光源阵列包括多于一个的正交特性光源/非正交特性光源，各正交特性光源/非正交特性光源在相邻时间点组成的各循环周期内时序循环开关，且在一个时间点仅一个正交特性光源/非正交特性光源被打开。设计各光源经显示器件向观察者瞳孔所处区域所投射光束的空间分布，于一个循环周期内投射待显示场景的至少一个或至少两个二维投射图像至观察者瞳孔，基于麦克斯韦投射或单目多图像实现克服聚焦‑会聚冲突的三维显示。
基于光源波导显示模组

[发明专利]一种半导体器件模型的构建方法及系统-CN202310335098.5在审
发明人：孙锴;梁超越;贾涵博;申英俊;吴旦昱;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件模型的构建方法及系统，该方法通过测试待构建模型的半导体器件在不同条件下的输入输出，得到多组输入输出I‑V数据，提取在不同条件下的输入输出I‑V数据中的饱和区数据、线性区数据，以及饱和区和线性区的分界点数据，并分别构建转移特性公式、线性区输出特性公式和饱和区输出特性公式；基于转移特性公式、线性区输出特性公式和饱和区输出特性公式构建半导体器件对应的半导体器件模型。通过将数据拟合引入了半导体器件建模领域，仅通过拟合半导体器件测试数据对半导体器件的输入输出I‑V特性进行描述，进而构建准确的半导体器件模型的目的。
一种半导体器件模型构建方法系统

[发明专利]一种CMOS掺杂参数工艺-设计协同校准及优化方法-CN202310191010.7在审
发明人：吕红亮;乔晶;姚如雪;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS掺杂参数工艺‑设计协同校准及优化方法，包括：获取尺寸不同的多个CMOS器件的工作条件、特性数据、初始掺杂参数和结构参数；从特性数据中选择出原始第一端特性值和原始第二端特性值；基于工作条件、结构参数和初始掺杂参数，通过对每个CMOS器件的第一特性的仿真，以及对初始掺杂参数的调整，确定至少两组参数；在至少两组参数下，每个CMOS器件的第一仿真端特性值与该CMOS器件的第一原始端特性值之间的误差值小于第一预设阈值；采用至少两组参数对每个CMOS器件的第二特性仿真，根据仿真结果得到多个CMOS器件各自的第二仿真端特性值；根据多个CMOS器件的第二原始端特性值和第二仿真端特性值，从至少两组参数中选择一组目标参数。
一种 cmos 掺杂参数工艺设计协同校准优化方法

[发明专利]通过增材制造技术生产电力器件的方法-CN201980021706.7有效
发明人： P·埃尔泽;L·马蒂西克;R·塞库拉;F·阿戈斯蒂尼 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H02B3/00 文献下载
摘要：一种由通过增材制造技术后续制造的部件生产电力器件(100；450)的方法包括：确定所述电力器件的物理特性的目标空间分布，所述物理特性是电气特性和/或机械特性；形成所述电力器件的部件(50)；选择所述电力器件的后续部件(51)的物理特性，所述后续部件(51)的所述物理特性与所确定的所述物理特性的空间分布相对应，以使其不同于所述部件(50)的相应物理特性；以及通过所述增材制造技术，形成所述后续部件(51)，使得所述后续部件通过所述方法能够获得电力器件(100)，并且所述电力器件可以在HVAC或HVDC设备中用作AC或DC绝缘体。
通过制造技术生产电力器件方法

[发明专利]芯片制造方法-CN201510859735.4在审
发明人：王钊 -专利权人：无锡中感微电子股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片制造方法，其包括：在晶圆上制造形成多个器件，器件中包括有测试器件和与测试器件对应的目标器件。在该测试器件属于典型工艺角时，采用具有第一图样的第一光刻板形成器件上方的金属层，使与测试器件对应的目标器件的特性参数值不变化；在该测试器件属于快工艺角时，采用具有第二图样的第二光刻板形成器件上方的金属层，使与测试器件对应的目标器件的特性参数值增加；在该测试器件属于慢工艺角时，采用具有第三图样的第三光刻板形成器件上方的金属层，使与测试器件对应的目标器件的物理特性参数值减少。与现有技术相比，本发明可以在制造过程中对所述器件的物理特性参数值进行调整，从而获得更高精度的物理特性参数。
芯片制造方法

[发明专利]一种半导体器件高温电特性测试装置及方法-CN201810906443.5有效
发明人：查祎英;金锐;李玲;董少华;吴鹏飞;张璧君;杨霏;潘艳 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件高温电特性测试装置及方法，该装置包括：脉冲电源、恒温加热设备、电特性测试设备，在第一预设时间内，脉冲电源向待测器件提供电流脉冲，恒温加热设备对待测器件进行加热；在第一预设时间后，脉冲电源与待测器件的连接断开，恒温加热设备对待测器件进行调温，使待测器件的结温达到并保持目标温度；电特性测试设备对待测器件进行高温电特性测试。通过实施本发明，使待测器件在自身损耗和恒温加热装置的共同作用下加热，升温速度快；电特性测试设备在器件升温过程中不与器件接触，避免受高温影响；脉冲电源与电特性测试设备在测试期间断开，避免两个设备相互影响，
一种半导体器件高温特性测试装置方法

[发明专利]一种采用温度模型进行曲线拟合的方法-CN201410164079.1有效
发明人：商干兵;俞柳江;范茂成;程嘉 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用温度模型进行曲线拟合的方法，涉及半导体特性表征或建模领域。该方法为分别测量器件在预设温度范围内的各种特性曲线；根据所述特性曲线，计算各种特性指标的温度系数；根据所述温度系数建立温度效应模型；根据所述温度效应模型对所述器件的特性曲线进行曲线拟合，获得曲线拟合精度；判断拟合后的曲线拟合精度是否在所述器件的测试特性曲线预设精度范围内，若是，结束；若否，则调整所述温度系数建立温度效应模型。本发明通过对测量器件在预设温度范围内的特性曲线，使得器件在温度为‑40℃～125℃下的器件曲线拟合更为准确,大幅度提高器件模型在高低温条件下工作的精度。
一种采用温度模型进行曲线拟合方法

[发明专利]一种电压域振荡量子器件伏安特性的建模方法-CN201810240525.0有效
发明人：张海鹏;白建玲;林弥;张忠海;王晶;吕伟锋;王晓媛;张强 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种电压域振荡量子器件伏安特性的建模方法。根据电压域振荡量子器件的电流疏运机理，对同类器件结构伏安特性的仿真测试曲线进行类比分析,进行曲线分解；对分解后的曲线分量建立数学模型。将分量数学模型进行叠加，得到初始完整伏安特性曲线模型，采用仿真拟合模型参数；将模型结果曲线与数值仿真测试曲线对比分析，根据存在误差的规律性优化拟合参数；采用误差消减方法得到精确的伏安特性模型结果。本发明解决了电压域振荡量子器件伏安特性难以直接解析求解及仿真测试曲线难以直接解析表述的问题。所得电压域振荡量子器件伏安特性精确模型为电压域电流振荡量子阱器件的伏安特性、器件结构与制造工艺设计奠定解析理论基础。
一种电压振荡量子器件伏安特性建模方法

[发明专利]功率半导体器件热流特性的频域建模方法及应用-CN202210086682.7在审
发明人：马柯;徐梦琦;蔡旭 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件热流特性的频域建模方法及应用，基于功率半导体器件流出热流在频域下所呈现的幅频特性，建立包含3个特征频率的多阶低通滤波器模型，并利用该低通滤波器模型，构建功率半导体器件输出热流频域模型，实现对功率半导体器件热流特性的仿真和应用。其中，所述低通滤波器的幅频特性应尽可能与器件流出热流的幅频特性保持一致，且该低通滤波器的特征频率为3个。通滤波器的总阶数与功率半导体器件内部材料层数一致。同时提供了一种相应的终端及介质。本发明可以准确地对功率半导体器件热流特性进行刻画，提高功率半导体器件工况下热特性及老化状态的预测精度。
功率半导体器件热流特性建模方法应用

[发明专利]参数优化方法及装置、服务器和存储介质-CN202011558490.9在审
发明人：李翡;高云锋 -专利权人：南京华大九天科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本公开涉及微电子器件建模领域，提供了一种用于器件建模工具的参数优化方法及装置、服务器和存储介质，通过提取半导体器件模型的仿真参数，该仿真参数为该半导体器件模型在所述器件建模工具中与实际半导体器件获得量测参数的相同设定条件下获得的电学特性曲线；而后选定前述仿真参数中待优化的特性数据点集合，该特性数据点为同一坐标系下前述仿真参数偏离前述量测参数的离散点；以及基于前述量测参数利用优化算法确定目标特性数据点集合，该目标特性数据点的特性值即为前述待优化的特性数据点优化后的目标特性值
参数优化方法装置服务器存储介质

[发明专利]一种三极管中子辐射效应的建模方法及系统-CN202211163746.5在审
发明人：刘锦辉;梁博;张晓鹏;谭雯丹;张馨丹 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明属于微电子器件辐照效应模型的建模技术领域，公开了一种三极管中子辐射效应的建模方法及系统，建模方法包括：选择或设计原始器件；获得原始三极管器件的模型数据；提取基极端口的输入V‑I特性曲线和集电极、发射极端口的输出V‑I特性曲线；根据基极特性曲线提取基极输入阻抗模型参数，根据输出特性曲线提取三极管输出模型参数；结合输入输出特性曲线得到三极管电流放大系数等基本器件参数；根据模型参数建立三极管器件物理模型；根据中子辐射效应造成的器件电特性退化，建立三极管器件基极、集电极、发射极端口中子辐射效应模型；本发明建立的模型能反映三极管器件的基本器件特性，为在辐照条件下进行系统仿真提供模型支持。
一种三极管中子辐射效应建模方法系统

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