专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]半导体封装改善装置-CN201220425963.2有效
  • 杨晓刚;刘建秋 - 无锡世成晶电柔性线路板有限公司
  • 2012-08-27 - 2013-04-10 - H01L21/67
  • 本实用新型公开了一种半导体封装改善装置用于将集成电路封装至液晶,包括提供压迫力的压板、与压板配合的底座及设置于底座并位于压板及底座之间的厚度补偿元件,厚度补偿元件上设置液晶,用于对液晶的厚度进行补偿。本实用新型液晶半导体封装半导体封装改善装置通过在底座上设置厚度补偿元件,在压力的作用下,厚度补偿元件进入液晶厚度薄的地方,以对液晶的厚度形成补偿,使液晶受力均匀,降低液晶的报废率。
  • 半导体封装改善装置
  • [发明专利]改善OTP性能的方法-CN201911325809.0在审
  • 王乐平 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2019-12-20 - 2020-05-12 - H01L21/8234
  • 本发明公开了一种改善OTP性能的方法,在形成PMOS的P型轻掺杂漏区或者重掺杂P型区时,降低倾斜注入的注入能量及注入剂量。所述方法还包括,在形成PMOS的P型轻掺杂漏区之前做栅极侧墙时,降低栅极介质层的厚度,即降低栅极侧墙的厚度。本发明所述的改善OTP性能的方法,通过降低P型轻掺杂漏区的注入能量和注入剂量,能改善OTP性能失效;通过降低栅极侧墙的厚度,能改善弱编程性能。同时在CMOS中的NMOS管,其N型轻掺杂漏区的注入剂量降低,以调整NMOS管的饱和漏电流,减小热载流子效应。所述方法还包括通过阈值电压调节注入来将器件的阈值电压调节到目标值。
  • 改善otp性能方法
  • [发明专利]金属与N型锗接触的制备方法与应用-CN201410077067.5在审
  • 周志文;沈晓霞;李世国 - 深圳信息职业技术学院
  • 2014-03-04 - 2014-06-25 - H01L21/768
  • 该方法包括:对N型锗衬底进行表面清洗;后在N型锗衬底表面沉积一层厚度为0.3~10nm的N型掺杂的半导体层;再在N型掺杂的半导体层外表面沉积一层金属层。上述金属与N型锗接触的制备方法通过插入特定厚度的N型掺杂的半导体层,不仅有利于削弱费米能级钉扎,降低电子势垒,减小肖特基势垒电阻,且有利于降低隧穿电阻。同时,本发明的N型掺杂的半导体层在降低隧穿电阻的同时,也使隧穿电阻与N型掺杂的半导体层厚度的相关性减弱,降低了在N型掺杂的半导体层的制备工艺中对N型掺杂的半导体层厚度均匀性的限制。
  • 金属接触制备方法应用
  • [发明专利]一种终端-CN201610898789.6有效
  • 武乐强 - 西安易朴通讯技术有限公司
  • 2016-10-14 - 2022-09-09 - H04M1/23
  • 缓冲层的另一面与按键层相接触;在非按键单元对应的区域中,缓冲层与柔性线路板不接触且缓冲层与按键层不接触;缓冲层中设置有用于支撑缓冲层的第一钢片,由于在缓冲层中设置有第一钢片,因此,可在第一钢片保证终端的强度的前提下,通过降低缓冲层的厚度降低终端的按键区域的厚度降低终端的厚度,从而实现在保证终端强度不变的情况下降低终端的厚度,使得终端的外观具有美学特性。
  • 一种终端
  • [实用新型]厚度测量探头及厚度测量装置-CN201721089098.8有效
  • 李红涛;俞翔 - 西门子公司
  • 2017-08-28 - 2018-05-08 - G01B17/02
  • 本实用新型提供一种厚度测量探头,包括一个安装座、一个超声波触头、一个距离传感器和一个控制装置。安装座能够沿测量方向相对于被测物移动;超声波触头滑动地设置于安装座,且能够被被测物推动相对于安装座滑动,超声波触头在接收到测量信号时测量厚度;距离传感器固设于安装座且能够感测与超声波触头之间的距离并生成距离数据本实用新型的厚度测量探头,能够在测量厚度时与被测物更好的接触,使测量结果更准确。本实用新型还了提供具有上述厚度测量探头的厚度测量装置。
  • 厚度测量探头装置
  • [发明专利]检测厚度厚度变化的设备-CN200680012740.0有效
  • R·施莱特;J·曼哈特 - BEB工业电子股份公司
  • 2006-05-05 - 2008-05-14 - G01B7/06
  • 本发明涉及一种设备,该设备的基本特征在于:当通过导向元件(1,2)输送平面物体、尤其是有价票据时,由具有导电元件(7)的一个或者多个平面空心线圈(6)对一个或者多个第二导向元件(2)相对于第一导向元件(1)的偏移进行检测。由此产生磁交变场,该磁交变场受到导电元件(7)的位置变化的影响。所述交变场在导电元件(7)中产生涡流,该涡流又反过来影响交变场。当平面线圈作为LC振荡电路的组成元件时,该振荡电路的共振频率和衰减特性受到影响。在激励频率恒定不变时,振荡振幅发生变化。
  • 检测厚度变化设备

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