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[发明专利]一种脉搏波压力及血压测量用压力传感器-CN201710893227.7在审
发明人：宋家骐;郑昕;徐圣杰 -专利权人：宋家骐;郑昕;徐圣杰
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： A61B5/022 文献下载
摘要：本发明公开了一种脉搏波压力及血压测量用压力传感器，包括第一组件层和第二组件层，第一组件层包括第一柔性薄膜基板和阵列式压阻电路，阵列式压阻电路设置于第一柔性薄膜基板上，阵列式压阻电路为多个压力传感单元，阵列式压阻电路形成一压力传感区域；第二组件层包括第二柔性薄膜基板和感应层，感应层设置于第二柔性薄膜基板上；第一组件层和第二组件层相对叠加设置为一体。本发明采用阵列式压阻电路形成一压力传感区域，可在传感区域内的任何位置对脉搏波压力进行精密测量，具有传感区域大、精度高、抗干扰性强、性能稳定等优点，适用于人体的脉搏波压力信号采集和血压测量。
压阻电路阵列式柔性薄膜基板脉搏波第二组件第一组件血压测量压力传感器传感区域压力传感感应层压力传感单元压力信号采集叠加设置精密测量任何位置

[实用新型]一种脉搏波压力及血压测量用压力传感器-CN201721253078.X有效
发明人：宋家骐;郑昕;徐圣杰 -专利权人：宋家骐;郑昕;徐圣杰
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： A61B5/022 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种脉搏波压力及血压测量用压力传感器，包括第一组件层和第二组件层，第一组件层包括第一柔性薄膜基板和阵列式压阻电路，阵列式压阻电路设置于第一柔性薄膜基板上，阵列式压阻电路为多个压力传感单元，阵列式压阻电路形成一压力传感区域；第二组件层包括第二柔性薄膜基板和感应层，感应层设置于第二柔性薄膜基板上；第一组件层和第二组件层相对叠加设置为一体。本实用新型采用阵列式压阻电路形成一压力传感区域，可在传感区域内的任何位置对脉搏波压力进行精密测量，具有传感区域大、精度高、抗干扰性强、性能稳定等优点，适用于人体的脉搏波压力信号采集和血压测量。
压阻电路阵列式柔性薄膜基板脉搏波第二组件第一组件血压测量本实用新型压力传感器传感区域压力传感感应层压力传感单元压力信号采集叠加设置精密测量任何位置

[发明专利]一种高压电缆附件界面压力的实时测量装置及方法-CN201910419689.4在审
发明人：崔江静;仇炜;黄顺涛;裴星宇;李莹;吴宏晓;王升;韦亦龙;李迪;韩卓展;刘刚;包淑珍 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司珠海供电局
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G01L5/00 文献下载
摘要：包括压阻薄膜传感器、压力采集系统、计算机和径向扩张装置，若干所述的压阻薄膜传感器设置在径向扩张装置作用表面上，所述的压力采集系统分别与压阻薄膜传感器和计算机电连接。
界面压力高压电缆附件压阻薄膜径向扩张装置实时测量装置压力采集系统传感器测量技术领域传感器设置电缆附件作用表面电连接计算机扩径测量

[实用新型]一种高压电缆附件界面压力的实时测量装置-CN201920728365.4有效
发明人：崔江静;仇炜;黄顺涛;裴星宇;李莹;吴宏晓;王升;韦亦龙;李迪;韩卓展;刘刚;包淑珍 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司珠海供电局
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G01L5/00 文献下载
摘要：包括压阻薄膜传感器、压力采集系统、计算机和径向扩张装置，若干所述的压阻薄膜传感器设置在径向扩张装置作用表面上，所述的压力采集系统分别与压阻薄膜传感器和计算机电连接。
一种高压电缆附件界面压力实时测量装置

[发明专利]一种薄膜压力传感器及其制备方法与应用-CN202110818290.0在审
发明人：王启民;曹彧;吴正涛;郇静;张银团;曾瑞凯 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L41/113 文献下载
摘要：本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种薄膜压力传感器及其制备方法与应用。本发明公开了一种薄膜压力传感器，包括：由下至上设置的金属基体、第一绝缘层、压阻敏感层、第二绝缘层和耐磨防护层；第一绝缘层和第二绝缘层之间还设置有电极层，电极层与压阻敏感层连接；本发明将电极层和压阻敏感层封装在第一绝缘层和第二绝缘层之间压阻敏感层为Cu84Mn12Ni4。该薄膜压力传感器中Cu84Mn12Ni4压阻效应好，响应快，线性好，使得薄膜传感器压阻系数大
一种薄膜压力传感器及其制备方法应用

[发明专利]一种高灵敏度压阻式压力传感器及其制备方法-CN201510580358.0有效
发明人：聂萌;包宏权;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开一种高灵敏度压阻式压力传感器，包括硅衬底层、二氧化硅层和单晶硅层；硅衬底层设有第一空腔；二氧化硅层设有单晶硅支撑层和第二空腔；单晶硅层包括可动敏感薄膜、两根连接杆、四个单边紧固薄膜、锚区、压阻条、重掺杂区和金属引线,可动敏感薄膜位于单晶硅层中部，锚区固定连接在单晶硅支撑层上；每个单边紧固薄膜一边与锚区固定连接；两个相对的单边紧固薄膜朝向可动敏感薄膜的一边分别通过连接杆与可动敏感薄膜固定连接；压阻条和重掺杂区位于每个单边紧固薄膜靠近可动敏感薄膜的边缘中心处；金属引线与重掺杂区相连，四个压阻条相连，构成惠斯通电桥。
一种灵敏度压阻式压力传感器及其制备方法

[发明专利]一种基于MEMS的双梁式微压感测芯体及其制备工艺-CN202111560497.9在审
发明人：高峰;卜献宝;赵恺;曹凯聪;胡振朋 -专利权人：明石创新（烟台）微纳传感技术研究院有限公司;明石创新产业技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS的双梁式微压感测芯体，包括压力感测芯体和金属焊盘、互联引线、压阻条、敏感薄膜、钝化层、绝缘层、背腔、支撑基底支撑，压力感测芯体上除了用于后续引线键合的金属焊盘区域外，其余均被表面钝化层覆盖，金属焊盘与互联引线将四个压阻条以开环的惠斯通形式连接起来，压阻条包括横向压阻条与纵向压阻条，被布置在敏感薄膜的应力集中区域，敏感薄膜悬空于背腔之上且通过支撑基底支撑。本发明涉及一种基于MEMS的双梁式微压感测芯体及其制备工艺，所述的凸起梁和中心块结构避免了在微压领域灵敏度和线性度不可兼顾不足，而且所述的制备工艺可以提高晶圆的利用率。
一种基于 mems 式微压感测芯体及其制备工艺

[发明专利]薄膜电阻和薄膜传感器-CN201880026319.8有效
发明人： B.米尔克;B.奥施特里克 -专利权人： TDK电子股份有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01C10/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜电阻（2）以及一种具有薄膜电阻（2）的薄膜传感器（1）。薄膜电阻（2）具有压阻层（3），其中所述压阻层（3）具有M1+nAXn相，其中M具有至少一种过渡金属，A具有主族元素，
薄膜电阻传感器

[发明专利]一种足底压力传感器及其制备方法-CN202310382462.3在审
发明人：许述财;王可军;宋家锋;马贤骅;马帅;刘德春 -专利权人：清华大学苏州汽车研究院（相城）
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： A61B5/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种足底压力传感器及其制备方法，足底压力传感器包括：压阻薄膜层、多个第一导线、多个第二导线、两层绝缘胶粘剂层和两层绝缘层；压阻薄膜层包括第一表面、第二表面，第一表面和第二表面相对设置；多个第一导线设置在压阻薄膜层的第一表面，第一导线沿第一方向延伸，并且多个第一导线以第一预设间距沿第二方向排列，第一方向和第二方向交叉设置；多个第二导线设置在压阻薄膜层的第二表面，第二导线沿第二方向延伸，并且多个第二导线以第二预设间距沿第一方向排列，在第一导线和第二导线的交叉点处，第一导线、压阻薄膜层和第二导线形成一个压力敏感单元。
一种足底压力传感器及其制备方法

[发明专利]一种压阻式角度传感器的制备方法及应用-CN202310947414.4在审
发明人：奚庆新 -专利权人：上海科恒特科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种压阻式角度传感器的制备方法及应用：包括如下步骤：对硅片表面进行热氧处理，使硅片表面生长氧化层；根据产品结构，对硅片中所需形成压阻条的区域进行光刻加氧化层体刻蚀，刻蚀至硅基底；对硅片进行离子注入，使未被氧化硅保护的区域形成具有压阻效应的压阻条；去除氧化硅薄膜，快速退火；在硅片进行金属化镀膜；对金属薄膜进行光刻加刻蚀，形成金属引线；金属引线将具有相同阻值的压阻条连接，形成惠斯通电桥，得到成品。其应用是将所述压阻式角度传感器安装于车载激光雷达微镜中，用于读取微镜的角度变化。本发明制备的压阻式角度传感器具有结构简单，成本低廉，测量精度高的优点。
一种压阻式角度传感器制备方法应用

[发明专利]一种耐磨防护一体化集成式多功能薄膜传感器及其制备方法-CN202011362502.0在审
发明人：曾瑞锴;吴正涛;王启民 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明属于传感领域，公开了一种耐磨防护一体化集成式多功能薄膜传感器及其制备方法。该方法包括以下步骤：在经过研磨抛光后的基体表面上制备一层绝缘膜；在绝缘膜基础上，采用掩膜法在一半绝缘膜上制备压阻传感薄膜；在压阻传感薄膜的绝缘膜基础上，采用掩膜法在另一半绝缘膜上制备热阻传感薄膜；压阻传感薄膜和热阻传感薄膜统称为传感层
一种耐磨防护一体化集成多功能薄膜传感器及其制备方法

[发明专利]采油用覆膜颗粒、压裂支撑剂及采油方法-CN200910203464.1无效
发明人：秦升益 -专利权人：北京仁创科技集团有限公司
申请日： 2009-05-21 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： C09K8/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种采油用覆膜颗粒、具有该覆膜颗粒的压裂支撑剂及使用该压裂支撑剂的采油方法。该覆膜颗粒包含骨料颗粒及包覆于骨料颗粒表面的透油阻水薄膜，所述透油阻水薄膜包含树脂，所述树脂与石英砂的重量比为0.2-15∶100，所述覆膜颗粒为透油阻水的颗粒。所述透油阻水的薄膜为由亲油疏水性环氧树脂、酚醛树脂、聚氨酯树脂及硅树脂中的一种或多种形成的薄膜。本发明的覆膜石英砂及其压裂支撑剂在常规大气压下透油阻水，在加压情况下透油阻力明显小于透水阻力，从而，在采油工业中，有效的降低了出水量，提高了油产量。
采油用覆膜颗粒支撑方法

[实用新型]一种跨膈压测量装置-CN202123373182.1有效
发明人：白海良;柴家科;曲毅睿;胡方超;段红杰;迟云飞 -专利权人：中国人民解放军总医院第四医学中心
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： A61B5/03 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种跨膈压测量装置，包括惠斯通电桥，还包括跨膈压测量体，所述跨膈压测量体内设有空腔，空腔中间设置有薄膜变阻压力传感器，所述惠斯通电桥的两个测量端连接薄膜变阻压力传感器，所述薄膜变阻压力传感器将空腔隔开形成两个密封压仓，至少一个密封压仓设置有连接通道至所述跨膈压测量体外端面并通过所述连接通道连接有一个导管，所述导管用于与胃或食管连通测量胃压或食管压。本实用新型结构简单、操作方便，通过薄膜变阻压力传感器可以直接测量胃和食管的压力，灵敏度高，大大提高了测量精确度，并且体积小重量轻，减轻了置于胃中或食管中的不适感，同时安全防爆，提高了使用过程中的安全性和稳定性
一种跨膈压测量装置

[发明专利]基于压电效应和压阻效应多模态耦合的微型电场传感器件-CN201811243886.7有效
发明人：何金良;胡军;韩志飞;薛芬;王善祥;张波;曾嵘 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G01R29/08 文献下载
摘要：一种基于压电效应和压阻效应多模态耦合的微型电场传感器件，包括沿水平方向放置的半导体薄膜，所述半导体薄膜的下方设有水平方向放置的衬底，所述半导体薄膜与衬底之间通过中间夹层支撑形成腔体结构，所述半导体薄膜的上表面均设有压阻材料，所述压阻材料包括横向‑横向模态的压电膜、横向‑纵向模态的压电块，横向‑横向模态中，所述半导体薄膜的顶面设有压电膜；横向‑纵向模态中，所述半导体薄膜的底面设有压电块。
基于压电效应效应多模态耦合微型电场传感器件

[发明专利]基于硅硅直接键合的压力传感器及其制造方法-CN200910031012.X有效
发明人：沈广平;何野;徐波 -专利权人：江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2009-04-22 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅硅直接键合的压力传感器，包括一个具有浅槽(8)的硅衬底(1)，硅衬底(1)上为单晶硅应力薄膜(2)，硅衬底(1)与应力薄膜(2)间为二氧化硅层(3)；在应力薄膜(2)上为四个P型单晶硅压阻(4)，应力薄膜(2)与压阻(4)间为绝缘介质二氧化硅层(7)；压阻(4)之间利用浓硼掺杂硅(9)和金引线(6)形成惠斯通电桥。本发明的压力传感器采用硅硅直接键合技术形成应力薄膜和密封腔，其压阻采用二氧化硅作为绝缘层，工作温度可高达300℃；结构牢固，性能优良，可以满足汽车、航空航天等领域对高温压力传感器的需求。
基于直接压力传感器及其制造方法