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[发明专利]有机薄膜结构及其制备方法-CN201710866779.9在审
发明人：曹武 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明提供一种有机薄膜结构，有机薄膜制备于玻璃基板表面，有机薄膜经图形化处理形成至少两色阻块，相邻两所述色阻块之间形成一凹谷；色阻块包括下色阻层，以及位于下色阻层表面的上色阻层，上色阻层与下色阻层的边界连接，与玻璃基板表面的夹角角度为10°～60°；有益效果为本发明所提供的有机薄膜，通过将色阻块的底部侧倾角角度减小，使得凹谷外侧开口扩大，改善凹谷地形，以提高覆盖色阻块的遮光层表面的平坦度。
有机薄膜结构及其制备方法

[实用新型]一种十层共挤包装薄膜-CN201220673667.4有效
发明人：杨伟;何斌 -专利权人：江阴升辉包装材料有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： B65D65/40 文献下载
摘要：本实用新型公开一种十层共挤包装薄膜，该薄膜为十层共挤层状结构，其贴合被包装物的最底层为阻水透气层；该十层结构中含有6至9个阻水透气层，阻水透气层间夹有粘接层，粘接层和阻水透气层的总层数为10；或该十层结构中含有2至7个阻水透气层和1至6个阻氧层，阻水透气层和阻氧层的总层数为6至8，至少有一个阻氧层被夹在两个阻水透气层之间，且相邻的阻氧层和阻水透气层之间均夹有一个粘接层，粘接层、阻水透气层和阻氧层的总层数为10本实用新型包装薄膜比传统薄膜在薄膜各层功能设计上具有更大的灵活性，且具有更优化的薄膜结构设计，综合性能突出。
一种十层共挤包装薄膜

[实用新型]薄膜晶体管液晶显示装置-CN201720319492.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：肇庆高新区虎鲨电子技术有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜晶体管液晶显示装置。薄膜晶体管液晶显示装置包括彩膜基板、液晶层、薄膜晶体管阵列基板和背光模组；彩膜基板、薄膜晶体管阵列基板和背光模组叠加组合为一体；彩膜基板包括第一基板、彩膜层、黑色矩阵层、共通电极层、间隔子组合层、第一配向膜层，彩膜层包括红色色阻块、绿色色阻块、蓝色色阻块、白色色阻块；红色色阻块、绿色色阻块、蓝色色阻块和白色色阻块中均嵌套有网状夹层，网状夹层用于提高红色色阻块、绿色色阻块、蓝色色阻块、白色色阻块的结构强度。本实用新型能提高薄膜晶体管液晶显示装置中的色阻块的结构强度，避免色阻块因薄膜晶体管液晶显示装置受到外力的挤压作用而部分剥落。
薄膜晶体管液晶显示装置

[实用新型]一种中压预制分支电力电缆-CN202022488193.3有效
发明人：常鑫;柳长春;金鑫;李松林;冯迎雪 -专利权人：上海起帆电线电缆技术有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种中压预制分支电力电缆，包括铜导体、半导电导体屏蔽层、交联聚乙烯绝缘层、铜制C形夹、电场均化层、阻水层及外护套。所述电场均化层由半导电自粘胶带缠绕而成，阻水层由辐射交联聚乙烯薄膜绕包而成。
一种预制分支电力电缆

[发明专利]一种多功能忆阻器及其调控方法-CN202111287968.3在审
发明人：杨蕊;夏剑;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多功能忆阻器及其调控方法，其调控方法包括：在底电极上形成原始薄膜，所述原始薄膜为包括含In和Se的化合物薄膜；通过氧等离子体工艺对所述原始薄膜进行处理，将原始薄膜表层氧化为氧化层，形成阻变层，所述阻变层包括氧化层和剩余的原始薄膜；在所述阻变层上制备顶电极，形成忆阻器；其中，在形成阻变层期间，通过调控氧等离子体工艺的处理参数，调控阻变层内导电细丝的形态，改变忆阻器的易失性或非易失性。本申请可以基于一种材料，通过改变器件制备期间的工艺参数，得到不同性能的忆阻器，基于同一种材料实现忆阻器的多功能调控，有利于简化大规模集成电路的工艺与结构。
一种多功能忆阻器及其调控方法

[发明专利]微机械压力传感器及其圆片级封装方法-CN200510026035.3无效
发明人：刘胜;密歇根;陈君杰 -专利权人：上海飞恩微电子有限公司
申请日： 2005-05-20 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： G01L19/06 文献下载
摘要：一种微机械压力传感器及其圆片级封装方法，主要包括压力传感器、压力传感器圆片、压力传感器的应变薄膜、硅底座圆片、带过孔的盖帽玻璃圆片，其特征在于所述微机械加工的压阻压力传感器通过圆片级封装，圆片级封装采用差压封装方式或绝压封装方式本发明的优点是应变薄膜采用氮化硅薄膜或炭化硅薄膜，提高了杨氏模量，取消了引线键合和硅凝胶的使用，提高了传感器的可靠性与准确性，减小了芯片尺寸，节省了成本。
微机压力传感器及其圆片级封装方法

[发明专利]采油用覆膜颗粒及采油方法-CN201080012215.5有效
发明人：秦升益 -专利权人：北京仁创科技集团有限公司
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C09K8/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种采油用覆膜颗粒、具有该覆膜颗粒的压裂支撑剂及使用该压裂支撑剂的采油方法。该覆膜颗粒包含骨料颗粒及包覆于骨料颗粒的表面的透油阻水薄膜。本发明的覆膜石英砂及其压裂支撑剂在常规大气压下透油阻水，在加压情况下透油阻力明显小于透水阻力，从而，在采油工业中，有效的降低了出水量，提高了油产量。
采油用覆膜颗粒方法

[发明专利]双应力薄膜的制造方法以及半导体器件-CN201210451741.2无效
发明人：张文广;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种双应力薄膜的制造方法以及半导体器件，采用含氮气体沉积碳化硅薄膜，所述碳化硅薄膜为压应力薄膜，并采用碳氢化合物对所述碳化硅薄膜进行远程等离子体处理，减少了碳化硅薄膜中的氮的含量，避免后续光刻工艺中光阻失效而导致曝光效率的下降，从而影响最终应力目标值和均匀性的风险；同时，利用UV光照射碳化硅薄膜，经过UV光照射的碳化硅薄膜从压应力薄膜转变成拉应力薄膜，解决了氮化硅薄膜双应力薄膜不能满足一些先进器件RC delay的要求的问题，并且避免传统双应力薄膜工艺存在的交叠区域问题，从而防止因为交叠区域而造成良率的损失，工艺简单易实施。
应力薄膜制造方法以及半导体器件

[发明专利]双应力薄膜的制造方法以及半导体器件-CN201210451798.2无效
发明人：张文广;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种双应力薄膜的制造方法以及半导体器件，采用含氮气体沉积碳化硅薄膜，所述碳化硅薄膜为压应力薄膜，并采用碳氢化合物对所述碳化硅薄膜进行原位等离子体处理，减少了碳化硅薄膜中的氮的含量，避免后续光刻工艺中光阻失效而导致曝光效率的下降，从而影响最终应力目标值和均匀性的风险；同时，利用UV光照射碳化硅薄膜，经过UV光照射的碳化硅薄膜从压应力薄膜转变成拉应力薄膜，解决了氮化硅薄膜双应力薄膜不能满足一些先进器件RC delay的要求的问题，并且避免传统双应力薄膜工艺存在的交叠区域问题，从而防止因为交叠区域而造成良率的损失，工艺简单易实施。
应力薄膜制造方法以及半导体器件

[发明专利]一种复合非晶碳薄膜压敏材料及其制备方法-CN202310953886.0在审
发明人：郭鹏;刘山泽;闫春良;汪爱英;王丽 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合非晶碳薄膜压敏材料及其制备方法，复合非晶碳薄膜压敏材料包括在绝缘刚性基体的表面由上到下设置的非晶碳薄膜层和金属微纳颗粒层，金属微纳颗粒层由金属薄膜层经过退火处理后制得，金属薄膜层的厚度为10‑100nm，且金属微纳颗粒层的颗粒密度为150/mm2‑15000/mm2，非晶碳薄膜层的厚度为50‑400nm，本发明还提供了复合非晶碳薄膜压敏材料的制备方法；与现有技术相比，本发明通过调控金属微纳颗粒的密度能够在保持非晶碳优异防护性能的基础上提升其灵敏度，压阻系数可达36.9，并且非晶结构决定了其具有各向同性
一种复合非晶碳薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种双层薄膜结构的柔性阻变存储器及其制备方法-CN201510506263.4在审
发明人：朱俊;房丽彬;吴智鹏;刘兴鹏;罗文博;张万里;李言荣 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种双层薄膜结构的柔性阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器领域。所述柔性阻变存储器从下往上依次为柔性衬底、底电极、ZnO薄膜层、Al₂O₃薄膜层和顶电极，所述ZnO薄膜层和Al₂O₃薄膜层共同组成了阻变存储器的阻变存储介质层。本发明阻变存储器具有优异的阻变效应：稳定的高低阻态分布，较高的开关比，较长的保存时间，实现了器件在经过一定次数的弯曲后仍保持良好的阻变特性；且本发明柔性阻变存储器在柔性存储和电路领域具有潜在的应用。
一种双层薄膜结构柔性存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法-CN201810931359.9有效
发明人：宋宇浩;次会聚;陈奕丞;刘诚;李东阳;李伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“a‑TSC:O薄膜/a‑TiOx薄膜”的介质层结构，拓宽了忆阻开关器件介质层材料的选择范围。由于a‑TSC:O薄膜的阻变性能大范围可调节，并且a‑TiOx薄膜透明且可提供氧缺位电迁移通道，因此使得a‑TSC:O薄膜具备良好的阻变性能，可用作忆阻开关器件的介质层同时，由于本征a‑TSC陶瓷薄膜具有非常好的导电性以及近红外透过率，因此也可将其作为顶电极材料，与透明导电薄膜形成的顶电极共同构建近红外全透明忆阻开关器件。此外，本发明提出忆阻开关器件的制备工艺简单、成本低廉、可靠性高，有利于实现大规模生产。
一种基于 tsc 陶瓷薄膜开关器件及其制备方法

[实用新型]鼻氧管-CN201420872634.1有效
发明人：任玺青;孙来宝;陈震 -专利权人：武汉西热富医疗有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： A61M16/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种鼻氧管，该鼻氧管包括输氧管道和阻菌薄膜；阻菌薄膜上具有若干微孔，每个微孔用于阻挡病菌，阻菌薄膜的微孔的孔径小于等于0.22微米，阻菌薄膜横贯阻菌薄膜所设置的输氧管道的横截面。
鼻氧管

[发明专利]阻气性薄膜-CN99805090.3无效
发明人：大场弘行;田中英明;佐藤智明;长谷川智久;杂贺彻 -专利权人：吴羽化学工业株式会社
申请日： 1999-04-13 - 公布日： 2001-05-30 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明提供了在选自聚(甲基)丙烯酸及聚(甲基)丙烯酸的部分中和产物的至少一种聚(甲基)丙烯酸系聚合物和聚醇类的混合物形成的成型物层表面涂布含有金属化合物的层而形成的阻气性薄膜及在前述阻气性薄膜的任一表面层叠了塑料薄膜的阻气性层叠薄膜,即,用简便的方法获得的阻气性有所提高的阻气性薄膜。
气性薄膜

[实用新型]阻焊剂层的薄膜化装置-CN202121236368.X有效
发明人：丰田裕二;田边昌大 -专利权人：三菱制纸株式会社
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本实用新型的课题在于，提供一种阻焊剂层的薄膜化装置，在阻焊剂层的薄膜化装置中，即使在将胶束的溶解除去速度极慢的阻焊剂层薄膜化的情况下，也不会残留无法利用胶束除去液完全除去的阻焊剂层，薄膜化面变得平滑。本发明的阻焊剂层的薄膜化装置的特征在于，是具备利用薄膜化处理液使没有固化的阻焊剂层的成分胶束化的薄膜化处理组件、和利用胶束除去液除去胶束的胶束除去处理组件而成的阻焊剂层的薄膜化装置，胶束除去处理组件具有胶束除去液供给用喷雾喷嘴
焊剂薄膜化装