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[发明专利]一种抗单粒子瞬态的锁相环-CN201210461650.7有效
发明人：韩本光;郭仲杰;汪西虎;吴龙胜 -专利权人：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H03L7/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗单粒子瞬态的锁相环，包括鉴频鉴相器、电荷泵、滤波器，压控振荡器和分频器，在电荷泵与滤波器之间设有单粒子抑制电路；单粒子抑制电路包括电荷泄放支路、衰减电阻和电荷补偿支路，衰减电阻一端接电荷泵的输出端，另一端接压控振荡器的输入端；当电荷泵的输出端电压降低，需要充电时，滤波器经单粒子抑制电路对电荷泵的输出端充电；当电荷泵的输出端电压升高，需要放电时，电荷泵的输出端经单粒子抑制电路对滤波器充电。在锁相环的电荷泵和滤波电路之间加入单粒子抑制电路，当电荷泵输出端受到单粒子轰击，进而对该点进行电荷泄放或者电荷补偿，从而减小对压控振荡器输入端造成的电压扰动。
一种粒子瞬态锁相环

[发明专利]一种区分纳米MOSFET器件单粒子瞬态不同电荷收集机制的方法-CN202211524138.2在审
发明人：卢超;陈伟;罗尹虹;丁李利;张凤祁;薛院院 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种区分纳米MOSFET器件单粒子瞬态不同电荷收集机制的方法。克服传统电荷收集机制研究方法计算精度较低、无法区分源漏导通和双极放大机制以及无法给出不同电荷收集机制的物理过程的问题。包括器件单粒子瞬态仿真、分析单粒子瞬态漏端接触电荷收集机制以及获得不同电荷收集机制的电荷量以及各个电荷收集机制对单粒子瞬态漏端接触总电荷收集量贡献的步骤。通过分析器件内部电学参数的变化，从微观原理上来区分不同电荷收集机制，使得不仅可以准确的计算各种电荷收集机制对总电荷收集量的贡献，还可以给出电荷收集的微观物理过程，可以为器件抗单粒子瞬态加固提供针对性的理论指导
一种区分纳米 mosfet 器件粒子瞬态不同电荷收集机制方法

[发明专利]光电倍增管单光电子响应刻度方法、装置及探测器-CN202210407382.4在审
发明人：江琨;王岩;唐泽波;查王妹;李澄;沈凯峰 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种光电倍增管单光电子响应刻度方法、装置、设备、介质和探测器。该方法包括：分别在m个光强下获取光电倍增管输出信号的电荷谱，得到m个电荷谱；分别确定m个电荷谱中落于目标电荷区间内的光电子事例数，得到m个第一事例数；依据m个第一事例数与光电子事例数概率分布模型，得到单光电子响应函数在目标电荷区间内的概率；以第一区间宽度为步长，更新目标电荷区间，重复执行获取单光电子响应函数在目标电荷区间内的概率的操作，直至以第一区间宽度遍历电荷谱中所有电荷值，从而得到单光电子的电荷响应分布函数，以及依据单光电子的电荷响应分布函数确定针对光电倍增管的单光电子响应信息
光电倍增管光电子响应刻度方法装置探测器

[发明专利]将金属着色的方法和着色金属-CN202210367783.1在审
发明人： P·维利;J·麦尔;A·布尔梅 -专利权人：柯马杜股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种将金属制成的待处理部件(20)着色的方法，该方法包括步骤：通过将由单电荷或多电荷离子源产生的单电荷或多电荷离子束导向该待处理部件(20)，在待处理部件(20)的表面层中注入单电荷或多电荷离子
金属着色方法

[发明专利]利用单电荷技术测量SONOS存储器中局域电荷分布的方法-CN201410003915.8有效
发明人：纪小丽;朱颖杰;廖轶明;圣迎晓;闫锋 -专利权人：南京大学
申请日： 2014-01-03 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：利用单电荷技术测量SONOS存储器中局域电荷分布的方法，选取未注入过电荷的SONOS存储器，改变源漏电压V_DS的大小，测量不同V_DS下的阈值电压V_TH，得到V_TH随V_DS变化的分布；通过低压电荷注入过程将单电荷注入到SONOS存储器的氮化物存储层中；注入单电荷的SONOS存储器，得到V_TH在V_DS>0时随V_DS的分布；利用DIBL效应得到由于单电荷注入导致的阈值电压变化ΔV_TH与沟道位置X的高斯分布函数；统计出不同沟道位置X处高斯分布的强度A和半峰宽W；测量待测SONOS存储器由于存储电荷引起的阈值电压变化；利用单电子信息，转化为采样点X_i处单电子注入引起的阈值电压变化的函数之和最终得到存储层中电荷沿沟道方向分布。
利用电荷技术测量 sonos 存储器局域电荷分布方法

[发明专利]利用中低压器件在低压下产生高压的多级多相高压电荷泵-CN201710852847.6在审
发明人：陈思伟;余佳;余海波 -专利权人：深圳贝特莱电子科技股份有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用中低压器件在低压下产生高压的多级多相高压电荷泵，其包括有多个两相单级电荷泵电路，两相单级电荷泵电路包括有第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一电容、第二电容和第三电容，第三NMOS管的源极和第四NMOS管的源极相互连接后作为两相单级电荷泵电路的前端，第三PMOS管的源极和第四PMOS管的源极相互连接后作为两相单级电荷泵电路的后端，多个两相单级电荷泵电路前后依次串联或相互并联，串联时，位于最前的两相单级电荷泵电路的前端接入高电平信号，并联时，多个两相单级电荷泵电路的前端均接入高电平信号。
利用低压器件压下产生高压多级多相电荷

[实用新型]利用中低压器件在低压下产生高压的多级多相高压电荷泵-CN201721206109.6有效
发明人：陈思伟;余佳 -专利权人：深圳贝特莱电子科技股份有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用中低压器件在低压下产生高压的多级多相高压电荷泵，其包括有多个两相单级电荷泵电路，两相单级电荷泵电路包括有第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一电容、第二电容和第三电容，第三NMOS管的源极和第四NMOS管的源极相互连接后作为两相单级电荷泵电路的前端，第三PMOS管的源极和第四PMOS管的源极相互连接后作为两相单级电荷泵电路的后端，多个两相单级电荷泵电路前后依次串联或相互并联，串联时，位于最前的两相单级电荷泵电路的前端接入高电平信号，并联时，多个两相单级电荷泵电路的前端均接入高电平信号。
利用低压器件压下产生高压多级多相电荷

[发明专利]多灵敏区单粒子效应预计的方法和系统-CN201610188384.3有效
发明人：张战刚;雷志锋;恩云飞;黄云 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种多灵敏区单粒子效应预计的方法和系统，其中，多灵敏区单粒子效应预计的方法，包括以下步骤：确定半导体器件各灵敏区的临界电荷值，获取触发半导体器件一次单粒子效应所需的灵敏区的数量；在有效灵敏区的数量等于所需的灵敏区的数量时，确定在半导体器件中触发了一次单粒子效应；有效灵敏区为收集的电荷量大于临界电荷值的灵敏区。本发明提供了单粒子效应的触发需多个灵敏区的收集电荷均大于其临界电荷的模型，可以从根本上解决传统RPP/IRPP模型无法计算多位翻转的问题，为TMR、DICE、ADE等加固电路提供单粒子效应预计模型，实现抗辐射加固器件在轨单粒子效应的准确预计
灵敏区单粒子效应半导体器件临界电荷触发电路提供电荷电荷量抗辐射翻转多位

[发明专利]一种抗单粒子辐射的频率产生单元-CN201410231876.7有效
发明人：张倩 -专利权人：张倩
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H03L7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗单粒子辐射的频率产生单元，主要包括一个鉴频鉴相器、一个电荷泵、一个低通滤波器、一个压控振荡器与一个分频器。其中，外部输入的基准频率接到鉴频鉴相器的一个输入端，鉴频鉴相器的另外一个输入端接到分频器的输出端，鉴频鉴相器的输出端接控制电荷泵的充放电。电荷泵采用抗单粒子瞬态的结构，消除了单粒子效应引入的瞬态跳变，实现对敏感点电荷泵输出节点的抗辐射加固效果。电荷泵的输出与低通滤波器、压控振荡器、分频器依次相连。通过对电荷泵结构的改进，使得电荷泵输出节点对单粒子辐射不敏感，此发明可以有效提高电荷泵频率产生单元的抗单粒子辐射能力。
一种粒子辐射频率产生单元

[发明专利]一种垂直单分子隧穿器件及其制备方法-CN202211590579.2在审
发明人：郭雪峰;赵璁;贾传成 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10K99/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种垂直单分子隧穿器件及其制备方法，垂直单分子隧穿器件包括衬底、依次设置在衬底上的源极、带电荷自组装单分子膜、导电二维材料电极层，以及设置在衬底上的栅极和漏极；带电荷自组装单分子膜包括带电荷有机分子，带电荷有机分子具有式(I)所示结构；带电荷有机分子中的R1与源极之间通过化学键连接，带电荷有机分子中的R2与导电二维材料电极层之间存在非共价键的范德华作用；垂直单分子隧穿器件还包括分布于导电二维材料电极层、栅极和漏极上的碱性液体电介质溶液。本申请提供的垂直单分子隧穿器件具有高的开/关整流比。
一种垂直分子器件及其制备方法

[发明专利]一种升压时钟电路和带该升压时钟电路的电荷泵-CN201010121431.5有效
发明人：杨光军 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种升压时钟电路，由至少一级单级升压时钟电路级联而成，其特征在于，所述升压时钟电路中至少有一级单级升压时钟电路与比较选择电路相连，所述比较选择电路根据与之相连的所述单级升压时钟电路的供电电压调控所述与之相连的单级升压时钟电路的电容大小一种电荷泵电路，包括电荷泵和上述升压时钟电路，所述升压时钟电路对所述电荷泵进行充电。本发明提供的升压时钟电路和电荷泵电路用比较选择电路根据单级升压时钟信号的供电电压的变化情况调整对应各个单级升压时钟电路所用到的充电电容的大小，以限制升压时钟电路的放大倍数，保证整个升压时钟电路总的积累电荷相对稳定克服了传统的升压时钟电路和电荷泵电路容易产生大的放电电流等缺陷。
一种升压时钟电路电荷

[发明专利]一种锁相环中的单粒子辐射加固电荷泵电路-CN201610914839.5有效
发明人：周前能;朱令;李红娟;谭金益;林金朝;庞宇;李国权;王伟 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明请求保护一种锁相环中的单粒子辐射加固电荷泵电路，包括基本电荷泵电路，其还包括辐射加固电路以及偏置电路，所述基本电荷泵电路的信号输出端电连接所述辐射加固电路的信号输入端，所述辐射加固电路的信号输出端电连接所述基本电荷泵电路的单粒子辐射敏感结点端，所述偏置电路的输出端电连接所述辐射加固电路的电压输入端；所述辐射加固电路用于对基本电荷泵电路的相应结点受到高能单粒子轰击时产生补偿电流以补偿单粒子瞬态脉冲电流；所述偏置电路用于为所述辐射加固电路提供偏置，使得所述辐射加固电路中的辐射补偿电流管在基本电荷泵电路的相应结点未受到单粒子瞬态轰击时不工作。本电路提高锁相环的抗单粒子辐射能力。
一种环中粒子辐射加固电荷电路

[发明专利]蓄电池单格电池的电荷状态的平衡-CN201210098908.1有效
发明人： A.C.鲍曼 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明涉及蓄电池单格电池的电荷状态的平衡。提供了用于平衡车辆的蓄电池组的单格电池单元的电荷状态的方法和系统。电压传感器每一个都在第一时间测量相应的单格电池单元的第一电荷状态值，和在第一时间之后的第二时间测量相应单格电池单元的第二电荷状态值。电流传感器测量蓄电池组的电流。控制器联接到电压传感器和电流传感器。控制器使用第一电荷状态值、第二电荷状态值、和电流将电荷状态平衡在预定的标定值附近。
蓄电池电池电荷状态平衡

[实用新型]并排式面电子流横向碰撞高电荷离子高能双束激光器-CN201621065724.5有效
发明人：姜仁滨;王宛珏;王晓东;姜汴婴;姜晓凤;巴丹;冯遂涛;任源 -专利权人：姜仁滨
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01S3/0955 文献下载
摘要：并排式面电子流横向碰撞高电荷离子高能双束激光器，它由一个包含有未电离原子返回通道(1’、1”)的较低速并排式面电子流横向碰撞单电荷离子束注入段(A)、一个通过较低速并排式面电子流横向碰撞单电荷离子束注入段(A)的单电荷离子束输出输入通道(6、7、7’)和较低速并排式面电子流横向碰撞单电荷离子束注入段(A)相连接的包含有低电荷离子返回通道(21)的扁跑道形较高速并排式面电子流横向碰撞高电荷离子电离环(B)，提供了一套能产生高强度高速面电子流和高强度高电荷离子束，并通过高强度高速面电子流横向来回反复碰撞激发高强度高电荷离子束，来获得单色亮度大、功率高、波长更短的高电荷离子双束高强度激光的实用发射装置。
并排电子流横向碰撞电荷离子高能激光器

[发明专利]陶瓷粉末的颗粒表面处理方法和通过所述方法得到的陶瓷粉末颗粒-CN201811128433.X有效
发明人： C·米克;J-L·巴赞 -专利权人：斯沃奇集团研究和开发有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明涉及粉末形式的陶瓷材料的表面处理方法，所述方法包括步骤：提供由多个待处理陶瓷材料颗粒形成的粉末，和通过将通过单电荷或多电荷离子源，例如电子回旋共振ECR类型的单电荷或多电荷离子源产生的单电荷或多电荷离子束
陶瓷粉末颗粒表面处理方法通过得到

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