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[发明专利]半导体纳米晶荧光材料的制备方法以及通过所述方法制备的半导体纳米晶荧光材料及其应用-CN201911055146.5有效
发明人：李良;张庆刚 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体纳米晶荧光材料的制备方法，所述方法包括以下步骤：1)将一种或多于一种半导体纳米晶前驱体与微/介孔材料均匀混合；2)在不低于所述微/介孔材料的坍塌温度条件下煅烧制得半导体纳米晶荧光材料通过本发明的半导体纳米晶荧光材料的制备方法，可以将半导体纳米晶前驱体负载在微/介孔材料中，在常压或高压氛围下，进行高温煅烧，利用材料的微/介孔限域生长半导体纳米晶，同时高温导致孔道坍塌，从而将半导体纳米晶封装在微/介孔材料的孔道中，得到高度稳定的半导体纳米晶荧光材料。该高度稳定的半导体纳米晶荧光材料，能够有效阻挡水分、氧气、光照对半导体纳米晶荧光材料的腐蚀，提高半导体纳米晶荧光材料的操作稳定性，将该半导体纳米晶荧光材料封装在LED芯片上，可做成各种背光源器件。本发明还公开了几种应用该制备方法制得的半导体纳米晶荧光材料，以及所述半导体纳米晶荧光材料的应用。
半导体纳米荧光材料制备方法以及通过及其应用

[发明专利]光敏半导体纳米晶和包含其的光敏组合物及其用途-CN200410102383.X有效
发明人：朴钟辰;张银珠;田信爱;安傣琼;李晟熏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-10-21 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：提供了与包含光敏功能基团表面配位的半导体纳米晶、包括半导体纳米晶的光敏组合物、和一种通过使用光敏的半导体纳米晶或光敏组合物制造膜，曝光所述膜并显影所述曝光膜来形成半导体纳米晶图案的方法。半导体纳米晶图案与半导体纳米晶在图案形成之前相比，显示出发光特性并且可以很有用地应用于有机－无机混合电致发光装置中。
光敏半导体纳米包含组合及其用途

[发明专利]一种蓝光激发的LED用绿色半导体纳米晶及其制备方法-CN201310516740.6无效
发明人：王海波;朱月华;姜青松;苏娟;施丰华;邢海东;刘光熙;卓宁泽;李东志 -专利权人：南京琦光光电科技有限公司;轻工业部南京电光源材料科学研究所
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝光激发的LED用绿色半导体纳米晶，所述的半导体纳米晶采用水相合成技术，(1)将硫氢化物、醋酸锌、六聚偏磷酸钠合成ZnS半导体纳米晶；(2)在ZnS半导体纳米晶中加入醋酸铅溶液，生成ZnS／PbS半导体纳米晶；(3)在ZnS／PbS半导体纳米晶中注入醋酸锌溶液、硫氢化物溶液，制得ZnS／PbS／ZnS半导体纳米晶。本发明制得的半导体纳米晶在450～460nm波长的蓝光激发下发射绿光，发射光谱的波长范围为505nm～550nm，可应用于LED器件。本制备方法简单，操作简便，成本低，适合量产。
一种激发 led 绿色半导体纳米及其制备方法

[发明专利]一种荧光半导体纳米晶防伪纸的制备方法-CN201310717991.0在审
发明人：陈启杰;王萍;晏永祥 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： D21H21/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种荧光半导体纳米晶防伪纸的制备方法。该方法将荧光半导体纳米晶均匀分散在载体溶液中，然后将载体溶液均匀涂布于纸张上，将纳米晶载入纸页中，保留半导体纳米晶独特的荧光防伪性能，制备出纳米晶防伪纸。本发明提供的荧光半导体纳米晶防伪纸，半导体纳米晶具有良好的光化学稳定性，保持了纳米晶良好的荧光特性，具有比常规荧光防伪纸更加稳定的荧光防伪效果，且更加难以仿制。
一种荧光半导体纳米防伪制备方法

[发明专利]一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法-CN201110303838.4无效
发明人：栾伟玲;付红红;袁斌霞;侯晓卿;涂善东 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法，借助电化学工作站三电极体系，通过将半导体纳米晶分散在溶剂中然后滴覆在工作电极(6)表面形成薄膜，在惰性气体保护下对半导体纳米晶的电化学性能进行测试，并提取纳米晶发生氧化还原反应起始位置的电势值，进而计算半导体纳米晶的LUMO值、HOMO值以及禁带宽度值，实现半导体纳米晶能带结构的准确测定，所得测试结果与吸收光谱法比较偏差小。本发明所提供的方法中的滴覆方式使半导体纳米晶在工作电极表面形成薄膜，减少了实验用料；并通过惰性气体的保护，避免了半导体纳米晶的不稳定，可以实现多种半导体纳米晶的能带结构测定。
一种利用循环伏安测定半导体纳米 lumo homo 方法

[发明专利]纳米片、应用及其制备方法-CN202111196162.3在审
发明人：彭笑刚;陈栋栋 -专利权人：浙江大学;纳晶科技股份有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种纳米片及其制备方法，包含其的光电器件，纳米片分散液。纳米片包括多颗间隔分布的半导体纳米晶和分散多颗半导体纳米晶的基质，半导体纳米晶的材料为第一半导体化合物，基质的材料为第二半导体化合物，基质为连续的单晶材料。半导体纳米晶间隔分散在二维的基质中，外延形成的第二半导体化合物不仅连续完整，没有空洞，而且结晶质量好，为单晶的状态，这样的基质晶体一方面对半导体纳米晶的电子和空穴在空间分布进行了限域，同时也为半导体纳米晶之间发生量子耦合提供了基础且新形成的纳米片实现了光学性质均一的特点。
纳米应用及其制备方法

[发明专利]一种无机半导体纳米晶与共轭聚合物杂化材料及其制备方法-CN200510029878.9无效
发明人：黄维;戚筱瑛;温贵安;汪联辉;范曲立 -专利权人：复旦大学
申请日： 2005-09-22 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： C08K3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一类新型无机半导体纳米晶与聚合物杂化材料。通过在有机相或水相中合成无机半导体纳米晶，得到单分散性好，性能稳定，且在一定的粒径范围内可控的无机半导体纳米晶。将无机半导体纳米晶同聚合物通过键接的形式以达到无机半导体纳米晶同聚合物相互之间的能量传递。无机半导体纳米晶/共轭聚合物杂化材料可应用于太阳能电池、电致发光器件，生物传感、信息存储、通信、激光器件等领域。
一种无机半导体纳米共轭聚合物材料及其制备方法

[发明专利]一种构建油溶性手性胶体半导体纳米晶的方法-CN201911088843.0在审
发明人：高小青;张秀文 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种构建油溶性手性胶体半导体纳米晶的方法，包括以下步骤：选择一个半导体纳米晶材料，在有机溶剂中保持；选择与半导体纳米晶材料表面配体成键形式类似，能溶解在该有机溶剂中的手性配体作为表面配体；将反应溶液滴加到胶体溶液中；本发明通过选择与半导体纳米晶材料表面配体成键形式类似的手性配体作为表面配体，并通过动态的方式，将其连接到半导体纳米晶材料表面，从而诱导出纳米晶的光学活性，能够构建出具有高光学活性的油溶性手性胶体半导体纳米晶材料
一种构建油溶性手性胶体半导体纳米方法

[发明专利]一种半导体纳米晶及其制备方法与应用-CN201710263452.2在审
发明人：黄啸谷;张云柯;张英杰;泽仁翁姆;崔浩南;闫子寒 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体纳米晶，该半导体纳米晶为铜铟硫三元半导体纳米晶，其中铜、铟、硫三种元素的摩尔比为0.7‑10.8‑11.8‑2.2；所述半导体纳米晶相态单一，晶型结构为六方纤锌矿结构，阴离子硫处于晶胞中心的位置本发明半导体纳米晶能很好地用于薄膜太阳能电池，且制备方法简单，操作便捷，适合一定规模和工业化生产。
一种半导体纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种CdTe半导体纳米晶制备方法-CN201510850551.1在审
发明人：王耀斌 -专利权人：陕西高新能源发展有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：一种CdTe半导体纳米晶制备方法，属于半导体材料制备领域，尤其涉及CdTe半导体纳米晶制备方法。目的在于提供一种成本低廉，且制备过程绿色的CdTe半导体纳米晶制备方法。该方法通过（1）Na₂Te前驱体的制备，（2）CdCl₂前驱体的制备，（3）CdTe纳米晶的合成三步骤得到CdTe纳米晶。该方法制得的CdTe半导体纳米晶具有颗粒分散均匀、较宽吸收波长，发光强度大，且相比较目前其他的合成方法，这种方法更加绿色和廉价。
一种 cdte 半导体纳米制备方法

[发明专利]一种构建油相手性胶体半导体纳米晶的方法-CN201911088856.8有效
发明人：高小青;张秀文 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提出一种构建油相手性胶体半导体纳米晶的方法，包括以下步骤：将半导体纳米晶材料分散在非极性溶剂内，得到高浓度的胶体溶液；并将手性分子分散在非极性溶剂中，得到高浓度手性溶液；将高浓度的胶体溶液滴加到高浓度手性溶液中，得到油相手性半导体胶体溶液；本发明通过选择手性非极性溶剂，将半导体纳米晶分散到该溶剂中，再通过非极性溶剂诱导，产生手性胶体半导体纳米晶，构建出了具有高光学活性的油溶性手性胶体半导体纳米晶材料。
一种构建手性胶体半导体纳米方法

[发明专利]利用氨类化合物催化制备水相半导体纳米晶的方法-CN200910067511.4无效
发明人：张皓;韩吉姝;周鼎;杨柏 -专利权人：吉林大学
申请日： 2009-09-09 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体纳米晶制备技术领域，具体涉及一种通过加入氨类化合物制备水相半导体纳米晶的方法，特别是涉及一种由巯基小分子作稳定剂制备水溶性II-VI族半导体纳米晶前驱体、纳米晶前驱体加入简单氨类化合物在加热或室温放置的条件下生长，从而快速有效的制备出水相半导体纳米晶的方法。水溶性II-VI族纳米晶前驱体溶液合成阶段所用原料为镉盐、锌盐、汞盐、离子型碲源、离子型硒源、离子型硫源和巯基小分子。纳米晶前驱体溶液加入氨类化合物后在加热或室温避光放置的条件下生长，不同的生长时间可以得到不同发光颜色的半导体纳米晶。本发明方法可以快速、低能耗的制备出澄清、透明、发光效率较高的II-VI族半导体纳米晶。
利用化合物催化制备半导体纳米方法

[发明专利]一种测定半导体纳米晶单电荷自旋弛豫寿命的方法-CN202111495120.X在审
发明人：吴凯丰;韩瑶瑶 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明涉及一种测定半导体纳米晶单电荷自旋弛豫寿命的方法。该半导体纳米晶主要作为吸光材料，有机分子作为电荷受体，利用圆偏振瞬态吸收光谱(TA)技术进行测试。利用圆偏振光选择性激发半导体纳米晶，产生激子，并且在电荷自旋没有完全翻转之前，用电荷受体快速的将半导体纳米晶的电子或空穴转移走，实现激子解离，产生长寿命的电荷分离态。在此基础上，可测定半导体纳米晶单电荷(电子或空穴)自旋弛豫的寿命。
一种测定半导体纳米电荷自旋寿命方法

[发明专利]染料敏化太阳能电池及其电极-CN200310112518.6有效
发明人：黄文正;黄全德 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种染料敏化太阳能电池电极，包括一导电基片、一形成于该导电基片的半导体纳米晶膜以及一形成于该半导体纳米晶膜的染料层。其中，该半导体纳米晶膜包含若干导电微粒。本发明在染料敏化太阳能电池电极的半导体纳米晶膜中加入若干导电微粒，如金属粒子、碳纳米材料等，解决现有的染料敏化太阳能电池的半导体纳米晶膜的导电率低的问题。
染料太阳能电池及其电极

[发明专利]一种高光溢出效果半导体纳米晶器件微结构的构筑方法-CN202111294316.2在审
发明人：张加涛;乔辰 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B29C64/112 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效光溢出效果半导体纳米晶光学器件微结构构筑的3D打印方法，属于荧光发光，荧光成像，光电探测领域。本发明的一种高效光溢出效果半导体纳米晶光学器件微结构构筑的3D打印方法，通过将半导体纳米晶溶液与高光学聚合物材料充分混合进行3D打印技术成型，可以得到传统技术难以实现的高精密度可控微结构半导体纳米晶器件，并且可以得到传统技术难以实现的各向异性器件，可以通过器件内部微结构的控制实现内部纳米晶材料荧光的高效光溢出，大大提高了半导体纳米晶器件的发光性能，并且通过增材制造的方式可以大量节约原材料，使用少量的半导体纳米晶就可以保证器件性能
一种溢出效果半导体纳米器件微结构构筑方法

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