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[发明专利]在单个存储单元中存储多值数据的非易失性半导体存储器-CN02106452.0有效
发明人：田中智晴;陈健(音译) -专利权人：株式会社东芝;三因迪斯克公司
申请日： 2002-02-28 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明的非易失性半导体存储器具备可对数据进行电改写的1个非易失性半导体存储单元；以及将数据写入存储单元的写入电路，对存储单元供给写入电压Vpgm和写入控制电压VBL来对存储单元进行写入，如果存储单元达到了第1写入状态，则改变写入控制电压VBL的值来对存储单元进行写入，如果存储单元达到了第2写入状态，则将写入控制电压VBL的值改变为Vdd来禁止对存储单元M的写入。
单个存储单元数据非易失性半导体存储器

[发明专利]一种存储器的写入方法和写入装置-CN202210744261.9在审
发明人：吴华强;李嘉宁;何源;唐建石;高滨;钱鹤 -专利权人：清华大学;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种存储器的写入方法和写入装置，该存储器的写入方法包括：探测存储器的多个存储单元中的第一存储单元的写入操作是否完成，其中，多个存储单元分别用于并行地执行写入数据的多个写入位的写入；响应于探测到第一存储单元的写入操作完成，对于第一存储单元独立地生成写入完成信息；响应于接收到写入完成信息，停止第一存储单元的写入操作。该存储器的写入方法可以探测并行执行写入操作的存储单元的写入操作是否完成，并且在该存储单元的写入操作完成后独立地停止该存储单元的写入操作，从而停止写入驱动电路对该存储单元的继续驱动，降低写入驱动电路的功耗和/或增加了写入数据的写入速度。
一种存储器写入方法装置

[发明专利]调节磁存储单元的写入电流-CN200410100129.6有效
发明人： F·A·佩纳 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2004-12-01 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： G11C7/00 文献下载
摘要：本发明包括调节磁存储单元写入电流的装置和方法。所述方法包括：通过对磁存储单元写入电流的写入电流偏差求和来修正磁存储单元的写入电流；以及确定利用修改后的磁存储单元写入电流写入磁存储单元的操作是否导致写入误差条件。如果出现写入误差条件，那么所述方法包括将磁存储单元写入电流增量或者将磁存储单元写入电流减量，直至消除所述写入误差条件为止。
调节存储单元写入电流

[发明专利]数据的写入方法及相关设备-CN201810550228.6在审
发明人：吕玉彬;戚勇 -专利权人：郑州云海信息技术有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种数据的写入方法及相关设备，其中，数据的写入方法，用于对由多个存储单元组成的存储阵列写入数据，存储阵列包括至少2行存储单元，且每行至少包括2个存储单元，存储单元用于存储至少2位数据；方法包括：对存储阵列中首行的存储单元的低位写入数据；采用预设规则，分别对存储阵列中的除首行的存储单元的低位和尾行的存储单元的高位之外的存储单元的存储位写入数据，其中，预设规则为：对所述存储矩阵中当前行的存储单元的前后存储位的写入中间过程是：对存储矩阵的后一行的存储单元的存储位写入数据；对存储矩阵中尾行的存储单元的高位写入数据。
存储单元写入数据存储阵列存储矩阵写入存储位预设规则低位行存储单元中间过程位数据存储申请

[发明专利]减小存储单元写入扰乱的方法-CN200610147708.5有效
发明人：缪威权;陈良成;钟灿;刘鉴常 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小存储单元写入扰乱的方法，包括以下步骤：寻找能保证存储单元正常写入的初始写入条件；挑选初始写入条件中的一个参数作为写入扰乱测试的变量；至少针对该变量的两个变量值，对存储单元进行写入扰乱测试；根据写入扰乱测试结果，得到使存储单元写入扰乱最小的最小扰乱写入条件；应用得到的最小扰乱写入条件作为存储单元进行写入操作时的写入条件。通过本发明减小存储单元写入扰乱的方法使得存储单元写入操作时的写入扰乱最小，并且操作方便。
减小存储单元写入扰乱方法

[发明专利]减小存储单元写入扰乱的方法-CN200610147709.X有效
发明人：缪威权;陈良成;钟灿;刘鉴常 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小存储单元写入扰乱的方法，包括以下步骤：寻找能保证存储单元正常写入的初始写入条件；挑选初始写入条件中的两个参数作为写入扰乱测试的变量；至少针对该两个参数的两个组合值，对存储单元进行写入扰乱测试；根据写入扰乱测试结果，得到使存储单元写入扰乱最小的最小扰乱写入条件；应用得到的最小扰乱写入条件作为存储单元进行写入操作时的写入条件。通过本发明减小存储单元写入扰乱的方法使得存储单元写入操作时的写入扰乱最小，并且操作方便。
减小存储单元写入扰乱方法

[发明专利]一种存储装置-CN202110221891.3在审
发明人：闫鑫;倪磊滨;吴威;赵俊峰;唐文涛;罗时江 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-02-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本申请提供一种存储装置，包括多个存储单元、写电路和电源反馈电路；其中，存储单元，用于存储数据；写电路，连接多个存储单元，用于在一个写入周期中向多个存储单元中写入多位数据；电源反馈电路，连接写电路和多个存储单元，用于在写电路向多个存储单元执行写操作时，调节多个存储单元的写入电压，使写电路在一个写入周期中将多位数据写入多个存储单元。由于一个写入周期可以写入多位数据，因此提高了写入效率，缩短了存储装置的重配置时间。
一种存储装置

[发明专利]一种非易失性存储器控制方法-CN201510822022.0在审
发明人：王晓伟 -专利权人：王晓伟
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供非易失性存储器控制方法，包括写入控制单元，按顺序地指定多个存储单元中作为数据写入单元的存储块；写入处理单元，将写入数据写入指定的存储块中；检验单元，从写入了写入数据的存储块中读出读取数据，并且针对多个存储单元中的每一个检验读取数据是否与写入数据一致；重试阻止单元，阻止对多个存储单元中读取数据与写入数据一致的存储单元再次执行写入写入数据的重试处理；以及重试控制单元，当写入所有写入数据的多个存储单元中的任一存储单元中读取数据与写入数据不一致时，指定多个存储块中的至少一些存储块
一种非易失性存储器控制方法

[发明专利]存储器控制设备、非易失性存储器及存储器控制方法-CN201310359855.9在审
发明人：足立直大;筒井敬一;石井健;大久保英明;中西健一;藤波靖;新桥龙男;阪井塁;池谷亮志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：发明提供存储器控制设备、非易失性存储器及存储器控制方法一种存储控制设备，该存储控制设备包括写入控制单元，按顺序地指定多个存储单元中作为数据写入单元的存储块；写入处理单元，将写入数据写入指定的存储块中；检验单元，从写入了写入数据的存储块中读出读取数据，并且针对多个存储单元中的每一个检验读取数据是否与写入数据一致；重试阻止单元，阻止对多个存储单元中读取数据与写入数据一致的存储单元再次执行写入写入数据的重试处理；以及重试控制单元，当写入所有写入数据的多个存储单元中的任一存储单元中读取数据与写入数据不一致时，指定多个存储块中的至少一些存储块，并且同时执行重试处理。
存储器控制设备非易失性存储器方法

[发明专利]文件系统的数据处理方法、装置、设备及介质-CN202011566249.0在审
发明人：肖丹;周良 -专利权人：北京科银京成技术有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：该方法包括：获取待写入数据，确定与所述待写入数据对应的待写入的源数据存储单元，以及目标数据存储单元，并记录所述源数据存储单元的索引以及所述目标数据存储单元的索引；将所述待写入数据写入所述目标数据存储单元；若所述待写入数据写入成功，则将与所述待写入数据对应的数据存储单元由所述源数据存储单元更新为所述目标数据存储单元。上述技术方案克服了采用日志文件进行文件系统跟踪时文件数据写入量过大的问题，提高了文件数据的写入速度及效率。
文件系统数据处理方法装置设备介质

[发明专利]静态随机存取存储电路及存储器-CN201710422183.X在审
发明人：王颖倩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：一种静态随机存取存储电路及存储器，所述静态随机存取存储电路包括：存储单元，适于存储对应的数据信息；写入单元，适于在所述存储单元处于写入选中状态时，将相应的数据信息写入所述存储单元；在所述存储单元处于写入半选中状态时，禁止向所述存储单元中写入数据；读取单元，适于读取所述存储单元中存储的数据信息。
存储单元随机存取存储电路数据信息写入选中状态存储器存储读取读取单元写入单元写入数据

[发明专利]存储器件以及操作存储器件的方法-CN202210383518.2在审
发明人：金大植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：提供了存储器件以及操作存储器件的方法。所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括第一存储单元区域和第二存储单元区域；电压发生器，所述电压发生器被配置为产生对应于写入电压的代码；以及写入驱动器，所述写入驱动器被配置为响应于所述代码而将数据存储在所述第一存储单元区域中所述第二存储单元区域存储限定所述写入电压的值，并且所述写入电压是关于区分所述存储单元阵列中的存储单元的平行状态和反平行状态的参考电阻被确定的，并且还是关于施加到所述存储单元中的至少一个存储单元的磁隧道结元件的初始写入电压被确定的
存储器件以及操作方法

[发明专利]写入并同时验证非易失性存储单元的方法-CN201010179606.8无效
发明人：柏正豪 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2010-05-17 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种写入并同时验证非易失性存储单元的方法，其步骤包括，施加一写入电压于非易失性存储单元上以将一储存数据储存至非易失性存储单元，并于施加写入电压于非易失性存储单元上的同时，藉由检测该非易失性存储单元的一写入电流来验证写入非易失性存储单元的结果本发明利用同时进行写入非易失性存储单元与写入结果的验证，可节省大量的电源消耗以及数据储存时间。
写入同时验证非易失性存储单元方法

[发明专利]存储单元写入方法及其应用-CN201610153509.9有效
发明人：李亚睿;陈冠复 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种存储单元写入方法及其应用，此方法包括下述步骤：获取存储阵列中至少一个存储单元的第一临界电压。识别存储单元的目标临界电压，并根据第一临界电压来决定用来使存储单元达到目标临界电压所需要的写入射击的数目。将存储单元所需数目的写入射击施加至存储单元。验证存储单元被施予此数目的写入射击之后是否达到存储单元的目标临界电压。
存储单元写入方法及其应用

[实用新型]一种用于耗材盒的耗材芯片-CN201521031441.4有效
发明人：孙万里;王雄伟 -专利权人：珠海艾派克微电子有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： B41J2/175 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于耗材盒的耗材芯片，该芯片包括设置有主存储单元和配置存储单元的存储器，其中配置存储单元用于存储主存储单元的每个地址的写入属性，所述写入属性包括允许写入和禁止写入；还包括与存储器电性连接的读写控制单元，用于根据配置存储单元中存储的写入属性信息，判断是否能够向主存储单元中相应的地址写入数据。本实用新型通过增设配置存储单元，用于记录主存储单元内的数据是否可以被改写的相关信息，可以有效避免耗材芯片的数据被错误地改写。
一种用于耗材芯片

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