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[发明专利]共源共栅放大器-CN202211267936.1在审
发明人：王勇;蔡化;陈飞 -专利权人：成都微光集电科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供了一种共源共栅放大器，包括信号输入模块，用于根据电源电压产生输入信号；交叉耦合模块，与信号输入模块电连接，用于根据输出信号形成内部正反馈；第一偏置模块，与交叉耦合模块电连接；第一支路模块，与第一偏置模块电连接；第二偏置模块，与交叉耦合模块电连接；第二支路模块，与第二偏置模块电连接；其中，第一偏置模块和第二偏置模块用于在输入共模反馈电压之后提供偏置，第一支路模块和第二支路模块用于提供大摆幅输出偏置，且第一支路模块和第二支路模块分别与信号输入模块电连接本发明在单级放大器结构下，提高了电路的压摆率、增益和带宽。
共源共栅放大器

[发明专利]共源共栅放大器-CN201280076909.4在审
发明人：嘉藤胜也;宫下美代;冈俊英;堀口健一;森一富;向井谦治;藤原孝信 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：多个源极接地晶体管(3)相互并联连接，多个栅极接地晶体管(4)相互并联连接。多个栅极接地晶体管(4)的源极(4s)分别与多个源极接地晶体管(3)的漏极(3d)连接。多个接地焊盘(5)与多个源极接地晶体管(3)的源极(3s)连接。多个接地电容(6)连接在多个栅极接地晶体管(4)的栅极(4g)和接地焊盘(5)之间。在接地焊盘(5)与多个栅极接地晶体管(4)之间交替配置有多个源极接地晶体管(3)和多个接地电容(6)。
共源共栅放大器

[实用新型]一种增益增强的共源共栅放大器系统-CN201821467635.2有效
发明人：李新月 -专利权人：石家庄铁道大学
申请日： 2018-09-09 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种增益增强的共源共栅放大器系统，放大器系统用于模数转换器，该系统采用多个单端电流镜共源共栅放大器作为增益提高放大器，分成两组分别用于提高从共栅管处的等效电阻和共源共栅电流镜的等效电阻；共源共栅放大器系统由主运放电路、开关电容共模负反馈电路、用于增益提高的辅助放大器电路和偏置电路组成；放大器包括差分输入对管、差分对管恒流源、共栅管、共源共栅电流源负载，差分输入对管为NMOS管。
共源共栅放大器放大器等效电阻输入对管共栅辅助放大器电路共模负反馈电路共源共栅电流镜共源共栅电流源本实用新型放大器系统模数转换器差分对管开关电容偏置电路电流镜恒流源放电单端两组主运

[发明专利]共源共栅放大器偏置电路-CN202310610411.1在审
发明人：乔纳森·克拉伦;普贾·韦格;大卫·科瓦克;埃里克·S·夏皮罗;内尔·卡兰卡;丹·威廉·诺贝;克里斯多佛·墨菲;罗伯特·马克·恩格尔基尔克;埃姆雷·艾兰哲;凯特·巴尔格罗夫;泰罗·塔皮奥·兰塔 -专利权人：派赛公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：本公开涉及共源共栅放大器偏置电路。用于硅基放大器架构的偏置电路和方法，其对电源电压变化和偏置电压变化、偏置电流变化以及晶体管堆叠高度具有耐性并且补偿不良输出电阻特性。实施方式包括利用共源共栅基准电路以在闭环偏置控制电路的控制下偏置共源共栅放大器的最终级的功率放大器和低噪声放大器。闭环偏置控制电路通过调整共源共栅放大器的最终级的栅极偏置电压来确保共源共栅基准电路中的电流近似等于已知电流值的选定倍数。基于表示共源共栅放大器和共源共栅基准电路中的晶体管器件的相对尺寸的器件比例因子，通过共源共栅放大器的最终电流是共源共栅基准电路中的电流的倍数。
共源共栅放大器偏置电路

[发明专利]共源共栅放大器偏置电路-CN201780056627.0有效
发明人：乔纳森·克拉伦;普贾·韦格;大卫·科瓦克;埃里克·S·夏皮罗;内尔·卡兰卡;丹·威廉·诺贝;克里斯多佛·墨菲;罗伯特·马克·恩格尔基尔克;埃姆雷·艾兰哲;凯特·巴尔格罗夫;泰罗·塔皮奥·兰塔 -专利权人：派赛公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：用于硅基放大器架构的偏置电路和方法，其对电源电压变化和偏置电压变化、偏置电流变化以及晶体管堆叠高度具有耐性并且补偿不良输出电阻特性。实施方式包括利用共源共栅基准电路以在闭环偏置控制电路的控制下偏置共源共栅放大器的最终级的功率放大器和低噪声放大器。闭环偏置控制电路通过调整共源共栅放大器的最终级的栅极偏置电压来确保共源共栅基准电路中的电流近似等于已知电流值的选定倍数。基于表示共源共栅放大器和共源共栅基准电路中的晶体管器件的相对尺寸的器件比例因子，通过共源共栅放大器的最终电流是共源共栅基准电路中的电流的倍数。
共源共栅放大器偏置电路

[发明专利]一种高保真音频前置功率放大器-CN201410465605.8在审
发明人：严国辉 -专利权人：严国辉
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明涉及功率放大器电路技术领域，特别涉及一种音频前置功率放大器。其包括依次连接的第一共源共栅放大器、第一PMOSFET管、第一源极跟随器、第二共源共栅放大器、第二PMOSFET管、第二源极跟随器、第三共源共栅放大器、第三源极跟随器；其中，第一共源共栅放大器连接信号输入端，对输入的信号进行第一级放大；第一PMOSFET管、第二共源共栅放大器、第二PMOSFET管、第三共源共栅放大器共对信号五级放大，且各级放大电路之间有源极跟随器对电路隔离和增加带负载能力。本发明提供了一种高保真音频前置功率放大器，具有高保真和动态范围大的优点。
一种高保真音频前置功率放大器

[实用新型]一种高保真音频前置功率放大器-CN201420526312.1有效
发明人：严国辉 -专利权人：严国辉
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率放大器电路技术领域，特别涉及一种音频前置功率放大器。其包括依次连接的第一共源共栅放大器、第一PMOSFET管、第一源极跟随器、第二共源共栅放大器、第二PMOSFET管、第二源极跟随器、第三共源共栅放大器、第三源极跟随器；其中，第一共源共栅放大器连接信号输入端，对输入的信号进行第一级放大；第一PMOSFET管、第二共源共栅放大器、第二PMOSFET管、第三共源共栅放大器共对信号五级放大，且各级放大电路之间有源极跟随器对电路隔离和增加带负载能力。本实用新型提供了一种高保真音频前置功率放大器，具有高保真和动态范围大的优点。
一种高保真音频前置功率放大器

[发明专利]一种基于前馈共栅的高带宽高增益跨阻放大器-CN202211304475.0在审
发明人：张家洪;王卓;赵振刚;李英娜;张晶 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于前馈共栅的高带宽高增益跨阻放大器，包括：输入级前馈共栅放大器、增益级电容退化共源放大器和米勒电容；所述输入级前馈共栅放大器的输入端接入电流信号，所述输入级前馈共栅放大器的输出端与所述增益级电容退化共源放大器的输入端连接，所述增益级电容退化共源放大器的输出端输出电压信号；所述米勒电容分别与所述输入级前馈共栅放大器和所述增益级电容退化共源放大器连接。本发明在提升放大器跨阻增益的同时，大幅地拓展了带宽，且拥有高增益平坦度以及小版图面积的优点。
一种基于前馈共栅带宽增益放大器

[发明专利]多共源共栅放大器偏置技术-CN201380042002.0有效
发明人： W·苏;C·纳拉斯隆;G·尹;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：用于生成多共源共栅放大器的偏置电压的技术。在一个方面，提供了多共源共栅偏置网络，该偏置网络中的每一个晶体管都是多共源共栅放大器中的相应晶体管的复制，这实现了对多共源共栅放大器中的晶体管的准确偏置。在又一方面，多共源共栅放大器的供电电压是与复制偏置网络的供电电压分开提供的，以有利地将放大器供电电压的变化与偏置网络供电电压解耦。在又一方面，多共源共栅放大器中的晶体管的偏置电压可通过调整耦合至晶体管栅极偏置的电阻性分压器的阻抗来配置。由于放大器的增益取决于共源共栅放大器的偏置电压，因而放大器的增益可有利地以此方式调整而无需将可变增益元件直接引入到放大器信号路径中。
多共源共栅放大器偏置技术

[实用新型]一种超宽带MMIC低噪声放大器-CN201620174339.8有效
发明人：王玉军 -专利权人：成都泰格微电子研究所有限责任公司
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超宽带MMIC低噪声放大器，其特征在于：它包括输入匹配电路、输出匹配电路，反馈电路、电源电路、共源放大器和共栅放大器；所述的输入匹配电路的输入端与输入接口连接，输出端与反馈电路和共源放大器连接；所述的共源放大器与共栅放大器连接，共栅放大器与输出匹配电路连接；输出匹配电路的输出端与输出接口连接，输入端与反馈电路连接；所述的电源电路与输出匹配电路和共栅放大器连接。该放大器兼顾共源反馈放大器增益高和与共栅放大器频带宽的特点，适用于超宽带系统的低噪声放大。
一种宽带 mmic 低噪声放大器

[发明专利]一种可重构的运算放大器-CN202110129617.3有效
发明人：幸新鹏;刘森基;尚雪倩;冯海刚;王志华;李冬梅 -专利权人：清华大学深圳国际研究生院
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种可重构的运算放大器，包括套筒式共源共栅运算放大器结构，套筒式共源共栅运算放大器结构中部分MOS管各自的漏极和源极之间分别连接有开关，通过控制开关的闭合和断开切换于共源共栅运算放大器、差分单管放大器两种工作状态本发明大大提高了运算放大器的可复用性，减少了额外的设计开销，由于设计是在共源共栅运算放大器的基础上设计的，不会增加额外的功耗。
一种可重构运算放大器

[发明专利]一种低漏电放大器偏置电路-CN202111464366.0有效
发明人：马昊泽;李南;陆建华 -专利权人：南京燧锐科技有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：一种低漏电放大器偏置电路，包括，共源极偏置电路和多个共栅极偏置电路，其中，所述共源极偏置电路，为放大器的共源极晶体管提供共源偏置电压；所述共栅极偏置电路，为放大器的共栅晶体管提供偏置电压；在放大器关断状态下，所述共源极偏置电路将所述共源偏置电压拉低到地，所述共栅极偏置电路将所述偏置电压拉低至关断电压；在放大器关断开启状态下，所述共源极偏置电路将所述共源偏置电压与地之间断开，所述共栅极偏置电路将所述偏置电压拉至开启栅压本发明的低漏电放大器偏置电路，通过拉低放大器的共栅晶体管的栅极电压，使共源晶体管的漏极电压跟随降低，从而最大限度的控制漏电流，降低放大器的静态功耗。
一种漏电放大器偏置电路

[发明专利]用于多堆叠放大器的可调整增益-CN201380059575.4在审
发明人： J·查;C-H·李;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：用于提供放大器中的可调整增益的技术。在一方面，具有可调整增益的合成放大器包括并联地耦合的多个放大器，其中每一个放大器可被接通或关断以调整合成放大器的总增益。每一个放大器可包括输入晶体管以及至少两个共源共栅晶体管。为了关断每一个放大器，耦合到输入晶体管的第二或最低共源共栅晶体管的栅电压可被接地，并且耦合到输出电压的第一共源共栅晶体管的栅电压可以耦合到第一截止电压，以减少跨第一共源共栅晶体管的栅-漏压降。进一步方面允许在放大器被关断时将耦合到共源共栅晶体管的栅极的电容器与AC接地解耦。
用于堆叠放大器可调整增益

[发明专利]具有共源共栅级和DC偏置调节器的多级放大器-CN201680054741.5有效
发明人： V·S·卡佩尔 -专利权人：雷声公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：具有第一放大器级(12)的多级放大器(10”)包括：布置在共源共栅放大器布置中的一对晶体管以及隔离电路；以及耦合到第一放大器级的输出的第二放大器级(13)；以及具有参考晶体管的偏置调节器(14)。共源共栅放大器布置包括布置在共源共栅放大器布置中的一对晶体管。偏置调节器(14)产生通过参考晶体管的参考电流和作为通过参考晶体管的参考电流的函数的在共源共栅放大器布置中的该对晶体管中的每个晶体管的控制电极的DC偏置电压。
具有共源共栅级 dc 偏置调节器多级放大器

[发明专利]超宽带可变增益放大器及无线通信设备、增益调节方法-CN202210677813.9有效
发明人：章秀银;孙宁政;张思玮;徐金旭 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽带可变增益放大器及无线通信设备、增益调节方法，所述超宽带可变增益放大器包括：宽带输入匹配电路、共源‑共栅‑共栅结构的放大电路、数字交叉互联式增益控制单元和宽带输出匹配电路；宽带输入匹配电路、共源‑共栅‑共栅结构的放大电路、宽带输出匹配电路依次连接，共源‑共栅‑共栅结构的放大电路与数字交叉互联式增益控制单元连接。两层共栅极放大器与共源极放大器堆叠结构，不仅可以补偿高频时的极点滚降，拓展放大器的工作频段带宽，还能提高输入输出隔离度；此外，增益控制单元采用数字可控的交叉互联式晶体管阵列，实现了可变增益放大器在不同增益状态下的低相位变化
宽带可变增益放大器无线通信设备调节方法

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