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[发明专利]偏置电路-CN202210459974.0在审
发明人：饶雪琴;陈炉星;李铖;方建;赖晓蕾;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种偏置电路，该偏置电路包括偏置电源端、第一偏置晶体管和保护电路；第一偏置晶体管的第一节点耦合至偏置电源端，被配置为接收偏置电源端输出的第一偏置信号，第一偏置晶体管的第二节点，被配置为输出第二偏置信号至功率放大器，第一偏置晶体管的第三节点耦合至第一供电电源端；保护电路，与偏置电源端相连，被配置为阻隔交流信号流向至偏置电源端中。本发明通过在偏置电源端接入保护电路，该保护电路能够在不影响偏置电源端输出第一偏置信号至第一偏置晶体管的前提下，阻隔偏置电路中回流的交流信号流向偏置电源端中，避免交流信号对偏置电源端造成影响，进而提高偏置电路的线性度
偏置电路

[发明专利]一种高电源抑制比的线性电源电路-CN201210459930.4有效
发明人：蒋仁杰 -专利权人：长沙景嘉微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电源抑制比的线性电源电路。本电路用过采用两个偏置电路，即偏置电路a，偏置电路b，上电时用偏置电路b给误差放大器提供基准电压和基准电流，偏置电路b的电源是系统电源VBAT，当电源稳定后，用线性电源的输出VLDO给偏置电路a供电，此时偏置电路b已停止工作，由偏置电路a给误差放大器提供基准电压和基准电流，由于VLDO的稳定性远大于电源VBAT，所以偏置电路a产生的基准电压和基准电流的稳定性远高于偏置电路b产生的基准电压和基准电流的稳定性，从而实现了一种高电源抑制比的线性电源电路
一种电源抑制线性电路

[发明专利]用于功率芯片的基准电压和偏置电流产生电路-CN201010101602.8有效
发明人：李应天 -专利权人：灿芯半导体(上海)有限公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：一种用于功率芯片的基准电压和偏置电流产生电路，该电路中，偏置电流产生电路产生偏置电流，基准电压产生电路产生基准电压，电流镜电路将偏置电流复制给低压偏置电源电路和偏置电流输出电路，由低压偏置电源电路给偏置电流产生电路、基准电压产生电路和电流镜电路提供电流，偏置电流输出电路则将偏置电流传输给功率芯片的内部电路和其他电路，启动截止电路产生启动电流传输给偏置电流产生电路，偏置电流产生电路导通并产生偏置电流，偏置电流又经过电流镜电路使低压偏置电源电路导通，一旦低压偏置电源电路导通，启动截止电路产生截止信号，启动结束。本发明可耐高压，且具有较高的抗扰动能力，所产生的基准电压受外部电源变化的影响很小。
用于功率芯片基准电压偏置电流产生电路

[实用新型]一种基准电压和偏置电流产生电路-CN201020102393.4在审
发明人：职春星;胡永华;徐滔;惠国瑜 -专利权人：灿芯半导体(上海)有限公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：一种基准电压和偏置电流产生电路，该电路中，偏置电流产生电路产生偏置电流，基准电压产生电路产生基准电压，电流镜电路将偏置电流复制给低压偏置电源电路和偏置电流输出电路，由低压偏置电源电路给偏置电流产生电路、基准电压产生电路和电流镜电路提供电流，偏置电流输出电路则将偏置电流传输给功率芯片的内部电路和其他电路，启动截止电路产生启动电流传输给偏置电流产生电路，偏置电流产生电路导通并产生偏置电流，偏置电流又经过电流镜电路使低压偏置电源电路导通，一旦低压偏置电源电路导通，启动截止电路产生截止信号，启动结束。本实用新型可耐高压，且具有较高的抗扰动能力，所产生的基准电压受外部电源变化的影响很小。
一种基准电压偏置电流产生电路

[实用新型]遥感CCD相机偏置电源电路-CN200920246770.9有效
发明人：董建婷;董杰;付智红;刘冰 -专利权人：北京空间机电研究所
申请日： 2009-11-02 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： G03B7/26 文献下载
摘要：遥感CCD相机偏置电源电路，包含线性稳压电路、限流保护电路、电压隔离电路、电压基准电路和电压比较电路。线性稳压电路将输入电源转换为CCD器件工作所需的偏置电源，限流保护电路对偏置电源进-行限流保护，电压隔离电路将偏置电源与下级电路进行隔离，以防止下一级电路对偏置电源的不利影响。电压基准电路通过电压基准源提供稳定的电源电压，经过电阻分压产生电压比较电路的阈值电压，电压比较电路将偏置电源的电压与设定的阈值电压进行比较，并将比较结果输出。通过在传统的电源转换电路中加入限流保护电路和电压比较电路，对产生的偏置电源进行限流保护和电压超限报警，从而实现了对使用偏置电源的CCD器件的有效保护。
遥感 ccd 相机偏置电源电路

[发明专利]用于在半导体器件中提供偏置信号的装置和方法-CN201880085022.9在审
发明人： *木謙治;塚田修一;江戸幸子 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：描述了用于在半导体器件中提供偏置信号的装置和方法。实例装置包含经配置以提供电源电压的电源，并且进一步包含耦合到所述电源以产生偏置电流的偏置电路。所述偏置电路经配置以使所述偏置电流随着所述电源电压从第一值增加到第二值而减小。在第一操作模式中，所述偏置电路使得所述偏置电流随着所述电源电压从所述第二值进一步增加而继续减小。在第二操作模式中，所述偏置电路还防止所述偏置电流随着所述电源电压从所述第二值的进一步增加而减小。
用于半导体器件提供偏置信号装置方法

[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN202110811133.7在审
发明人：舆水地盐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明所公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、高频电源及偏置电源。高频电源向高频电极供给高频电力。偏置电源向偏置电极施加电偏置。搭载于基板支承器上的边缘环接收电偏置的一部分或其他电偏置。高频电力的功率电平在电偏置的各周期内，与电偏置同步变更。
等离子体处理装置方法

[发明专利]一种偏置电流源电路-CN202310301590.0在审
发明人：宋宇;陈立新;熊海峰 -专利权人：上海泰矽微电子有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种偏置电流源电路，包括：启动模块和偏置模块，启动模块的电源正极端、启动模块的第一控制端和偏置模块的电源正极端均电连接第一电压，启动模块的输出端电连接偏置模块的控制端，启动模块的第二控制端电连接偏置模块的输出端，启动模块的电源负极端和偏置模块的电源负极端均电连接第二电压；其中，第一电压大于第二电压；启动模块，用于当偏置模块无输出时，向偏置模块的控制端提供第二电压；偏置模块，用于在第二电压的作用下生成偏置基准电压；该偏置电流源电路在电源初始上电过程中能够自行启动，从而能够避免出现偏置电流源电路无法自行启动的问题。
一种偏置电流电路

[发明专利]一种高电源抑制比的带隙基准源-CN201810915216.9有效
发明人：明鑫;胡黎;冯旭东;潘溯;张春奇;王卓;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G05F1/575 文献下载
摘要：一种高电源抑制比的带隙基准源，属于电子电路技术领域。包括电源自偏置模块、启动模块、带隙基准核心模块和偏置模块，电源自偏置电路将电源电压通过第七NMOS管转换为第一电源轨信号作为偏置模块的电源轨，启动模块和电源自偏置模块一起为偏置模块建立偏置，偏置模块为带隙基准核心模块提供偏置；启动电路的第二开关管和第三开关管在电源建立的时候工作防止整个电路停留在零状态，在电路进入正常工作状态之后退出；启动电路中的电阻网络用于调整带隙基准核心模块的负温度系数电压，调整之后的负温度系数电压与带隙基准核心模块产生的正温度系数电压叠加产生基准电压本发明具有更高的电源抑制能力、结构简单、精度高和稳定性高的特点。
偏置模块核心模块带隙基准负温度系数电压带隙基准源启动电路启动模块电源轨高电源开关管抑制比偏置电路正温度系数电压电子电路技术正常工作状态电源电压电源抑制电阻网络基准电压偏置电路调整带零状态叠加电源停留退出转换

[发明专利]超低电压数字电路的本体偏置-CN201910853131.7在审
发明人： G·莱勒门特;F·阿布泽德 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：本体偏置发生器电路将n本体偏置电压施加到p沟道MOSFET的n本体偏置节点，并且将p本体偏置电压施加到n沟道MOSFET的p本体偏置节点。本体偏置发生器电路操作以：在第一模式下，将地电源电压施加到逻辑门的n本体偏置节点作为n本体偏置电压并且将正电源电压施加到逻辑门的p本体偏置节点作为p本体偏置电压；以及在第二模式下，将正电源电压施加到逻辑门的n本体偏置节点作为n本体偏置电压并且将地电源电压施加到逻辑门的p本体偏置节点作为p本体偏置电压。
电压数字电路本体偏置

[发明专利]栅极驱动电路以及使用该栅极驱动电路的电力变换装置-CN201480060655.6有效
发明人：森本笃史 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H03K17/04 文献下载
摘要：设置有：用于正向偏置的正电源；用于反向偏置的负电源；根据栅极驱动信号S来输出正电源的电压或负电源的电压的第1偏置电路；在第1偏置电路输出负电源的电压时通过负电源的电压来充电的电容器；和根据栅极驱动信号S将正电源的电压或负电源的电压提供给半导体器件的栅极的第2偏置电路。第2偏置电路仅在半导体器件接通的过渡期间的初始阶段，取代正电源的电压，将通过在从第1偏置电路输出的正电源的电压上叠加电容器的充电电压而被升压后的电压提供给半导体器件的栅极。
栅极驱动电路以及使用电力变换装置

[发明专利]自动频率调谐源和偏置射频电源的电感耦合等离子处理室-CN201210175897.2有效
发明人：罗伟义;许颂临;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开一种自动频率调谐源和偏置射频电源的电感耦合等离子处理室，其包含：处理室，其内腔底部设有阴极，其顶部上设有若干源线圈；源射频电源，其电路连接源线圈；偏置射频电源，其电路连接阴极；源射频电源和偏置射频电源可自动频率调谐，响应并匹配负载阻抗的变化；源射频电源与源线圈之间电路连接有匹配电路；偏置射频电源与阴极之间电路连接有匹配电路；匹配电路固定；处理室包含：检测负载阻抗的检测电路和电路连接检测电路的控制电路；源射频电源和偏置射频电源分别对应电路连接有控制电路本发明中源射频电源和偏置射频电源具有自动频率调谐功能，通过扫频电调输入处理室的源射频电源和偏置射频电源，调谐速度快，调谐范围大。
自动频率调谐偏置射频电源电感耦合等离子处理

[发明专利]一种射频放大器-CN201810790550.6有效
发明人：万亮;臧振刚;王宇翔;石尚杰 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：该射频放大器通过在输入偏置网络和偏置电源之间设置电压转换网络，将偏置电源输出的电压转换成输入偏置电压，实现单个电源同时为射频放大器提供输入偏置电压和输出偏置电压。并且通过电压转换网络控制信号输出端输出控制信号控制控制开关电路导通，使偏置电源输出的电压通过控制开关电路传输至输出偏置网络的输入端，为耗尽型放大器器件提供输出偏置网络。从而实现只有输入偏置网络的输入偏置电压加载到耗尽型放大器器件的输入端后，输出偏置网络才会为耗尽型放大器器件提供输出偏置网络，从而避免了因输入偏置电压过高而产生过大的输出偏置电流，进而烧毁器件的现象。
一种射频放大器

[实用新型]电路-CN201921499922.6有效
发明人： G·莱勒门特;F·阿布泽德 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及超低电压数字电路的本体偏置。数字电路包括由逻辑门形成的逻辑电路。每个逻辑门包括p沟道MOSFET和n沟道MOSFET。本体偏置发生器电路将n本体偏置电压施加到p沟道MOSFET的n本体偏置节点，并且将p本体偏置电压施加到n沟道MOSFET的p本体偏置节点。本体偏置发生器电路操作以：在第一模式下，将地电源电压施加到逻辑门的n本体偏置节点作为n本体偏置电压并且将正电源电压施加到逻辑门的p本体偏置节点作为p本体偏置电压；以及在第二模式下，将正电源电压施加到逻辑门的n本体偏置节点作为n本体偏置电压并且将地电源电压施加到逻辑门的p本体偏置节点作为p本体偏置电压。
电路

[发明专利]电感耦合等离子体处理系统及处理方法-CN201510253317.0有效
发明人：罗伟义;刘骁兵;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种电感耦合等离子体的处理系统，其包括射频电源系统，所述射频电源系统包括源射频电源系统和偏置射频电源系统，所述源射频电源系统包括源射频电源和源匹配网络，所述偏置射频电源系统包括偏置射频电源和偏置匹配网络，其中，所述源射频电源为固定频率的电源，所述偏置射频电源为调频电源，所述源匹配网络为自动匹配网络，所述偏置匹配网络为具有宽频带工作的固定匹配网络。本发明提供的电感耦合等离子体处理系统能够实现射频电源和等离子体之间的阻抗快速准确地匹配。此外，本发明还提供了一种电感耦合等离子体的处理方法。
电感耦合等离子体处理系统方法

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