专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]定量液体供给装置-CN202110270235.2在审
  • 立石圭一郎 - 欧姆龙株式会社
  • 2021-03-12 - 2021-10-12 - G05D9/02
  • 本发明提供一种定量液体供给装置,其无流量变动,该定量液体供给装置(电解液供给装置20)具有供给(22)和排出(23),该供给(22)经由液体流入口(211)流入从外部流入的液体(电解液),且在底部具有液体供给口(221),该排出(23)以俯视与供给(22)邻接的方式配置,在底部具有液体排出口(231)。在供给(22)和排出(23)之间设置有第二隔壁(25),并且,供给(22)及排出(23)的上部通过空间连通。如果流入到供给(22)的液体的流量为规定流量以上,则供给(22)的液面到达第二隔壁(25)的高度,过剩的液体越过第二隔壁(25)向排出(23)侧溢出。
  • 定量液体供给装置
  • [实用新型]雾化喷嘴及雾化装置-CN202320080714.2有效
  • 朱伟海;成飞;康卫东 - 深圳市三源医药包装用品有限公司
  • 2023-01-13 - 2023-06-09 - B05B1/34
  • 本实用新型公开了一种雾化喷嘴及雾化装置,雾化喷嘴包括:喷嘴本体,喷嘴本体内设有涡流供给,沿着出流方向供给和涡流依次连接相通,涡流的端部设有喷孔,涡流沿着出流方向逐渐变窄,喷嘴本体的内壁上设有多个供给槽,供给槽沿着出流方向延伸至相切地进入供给供给槽的槽宽沿着出流方向逐渐减小。本实用新型提出的雾化喷嘴中的供给槽的宽度沿着出流方向逐渐减小,使液体在供给槽中的流动速度逐渐增大。同时,增设了供给供给槽相切地进入供给,因而从供给槽中高速流出的液体能沿着供给的内表面贴合旋转,然后均匀地往涡流推进,使涡流中的液体分布均匀、提高雾化效果。
  • 雾化喷嘴装置
  • [发明专利]流体喷出装置及流体喷出装置组-CN200910171242.6有效
  • 横山诚一;关和友 - 株式会社御牧工程
  • 2006-11-08 - 2010-03-03 - B41J2/01
  • 本发明提供一种流体喷出装置及流体喷出装置组,该流体喷出装置能简单地使连通流体供给与压力的、供给流路内的流体阻力变化。在流体喷出装置中,设有喷出流体的喷嘴孔(1)、由与喷嘴孔(1)连通的空间构成的压力(2)、被从流体供给供给流体的流体供给(4)、将流体供给(4)与压力(2)连通的供给流路(3)。在流体供给(4)的内部设有使供给流路(3)内的流体阻力变化的阻力可变机构(10)、(20)、(30)、(40)。
  • 流体喷出装置
  • [发明专利]流体喷出装置及流体喷出装置组-CN200910171243.0有效
  • 横山诚一;关和友 - 株式会社御牧工程
  • 2006-11-08 - 2010-03-03 - B41J2/14
  • 本发明提供一种流体喷出装置及流体喷出装置组,该流体喷出装置能简单地使连通流体供给与压力的、供给流路内的流体阻力变化。在流体喷出装置中,设有喷出流体的喷嘴孔(1)、由与喷嘴孔(1)连通的空间构成的压力(2)、被从流体供给供给流体的流体供给(4)、将流体供给(4)与压力(2)连通的供给流路(3)。在流体供给(4)的内部设有使供给流路(3)内的流体阻力变化的阻力可变机构(10)、(20)、(30)、(40)。
  • 流体喷出装置
  • [发明专利]流体喷出装置及流体喷出装置组-CN200610138247.5有效
  • 横山诚一;关和友 - 株式会社御牧工程
  • 2006-11-08 - 2007-12-05 - B41J2/14
  • 本发明提供一种流体喷出装置及流体喷出装置组,该流体喷出装置能简单地使连通流体供给与压力的、供给流路内的流体阻力变化。在流体喷出装置(U)中,设有喷出流体的喷嘴孔(1)、由与喷嘴孔(1)连通的空间构成的压力(2)、被从流体供给供给流体的流体供给(4)、将流体供给(4)与压力(2)连通的供给流路(3)。在流体供给(4)的内部设有使供给流路(3)内的流体阻力变化的阻力可变机构(10)、(20)、(30)、(40)。
  • 流体喷出装置
  • [发明专利]制造显示装置的设备-CN201610011946.7有效
  • 车裕敏;尹相皓;朱星中 - 三星显示有限公司
  • 2016-01-08 - 2021-03-09 - H01L21/677
  • 公开了一种用于制造显示装置的设备,所述设备包括:装载,构造成从外部接收基板;传送,连接到装载并且包括构造成输送基板的机械手臂;沉积,连接到传送并且构造成在基板从传送输送到沉积之后将沉积材料沉积到基板上;掩模供给,连接到沉积并构造成向沉积供给堆叠在掩模供给中的多个掩模中的一个;以及站,连接到掩模供给并且构造成向掩模供给逐个地供给所述多个掩模。
  • 制造显示装置设备
  • [发明专利]用于进行高度模拟的试验台-CN201010145138.2有效
  • 彼得·施托梅尔;扬·威德肖夫恩 - 德国FEV发动机技术有限公司
  • 2010-03-31 - 2010-10-13 - G01M15/04
  • 本发明涉及一种用于对待测件(11)、尤其是对内燃机(11)进行高度模拟的试验台(1),其具有:供给(20),在其中设置有供给设备(21);与供给(20)在结构上分开的测试(10),用于容纳待测件(11),其中测试(10)与供给(20)以流体连接并可实现对用于待测试的待测件(11)的条件的条件处理。根据本发明提出,供给设备(21)具有第一供给单元(22)和第二供给单元(23),设置至少用于对温度条件进行条件处理的第一供给单元(22)处于供给(20)中,设置用于对压力条件进行条件处理的第二供给单元(23)与第一供给单元(22)分开并具有鼓风件(24),其这样提供一个期望的压力,即在供给和测试中的压力基本一样大。
  • 用于进行高度模拟试验台
  • [发明专利]在制芯机中的芯沙填充设备和芯沙填充方法-CN201280019761.0无效
  • 加藤繁佳 - 新东工业株式会社
  • 2012-04-04 - 2014-01-01 - B22C15/08
  • 一种在下部吹送式制芯机中的芯沙填充设备,该设备包括:芯盒;吹送头,吹送头设置在芯盒下方从而能够相对于芯盒升高和降低,并且吹送头分隔成彼此连通的吹沙和储沙;压缩空气供给部,压缩空气供给部与吹沙连通,并且用于将压缩空气供给到吹沙;松料空气供给部,松料空气供给部与吹沙连通,并且用于将松料空气供给到吹沙;排出部,排出部与吹沙连通,并且用于将残留在吹沙室内的压缩空气排出;以及给沙空气供给部,给沙空气供给部与储沙连通,并且用于将压缩空气供给到储沙中。
  • 制芯机中的填充设备方法
  • [发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质-CN201911108953.9有效
  • 中田高行;谷山智志;白子贤治 - 株式会社国际电气
  • 2017-01-24 - 2022-12-20 - C23C16/54
  • 本发明提供一种使基板处理装置小型化的基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质,该基板处理装置具备:移载,其将基板移载到基板保持件上;上部气体供给机构,其从第1气体供给口向移载的上部区域供给气体;和下部气体供给机构,其设置在上部气体供给机构的下方,并从第2气体供给口向移载的下部区域供给气体,上部气体供给机构具有:第1缓冲,其形成在第1气体供给口的背面;上部管道,其与第1缓冲相邻地形成;和第1供给部,其设置在上部管道的下端,下部气体供给机构具有:第2缓冲,其形成在第2气体供给口的背面;下部管道,其与第2缓冲相邻地形成;和第2供给部,其设置在下部管道的下端。
  • 处理装置半导体器件制造方法以及记录介质
  • [发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201510618477.0有效
  • 广地志有 - 株式会社国际电气
  • 2015-09-24 - 2019-12-31 - H01L21/67
  • 提高具有多个处理的处理装置的生产率的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。包括:能够处理衬底的多个处理;能够向多个处理分别供给处理气体的处理气体供给部;能够向多个处理分别供给吹扫气体的吹扫气体供给部;能够对多个处理的任一方或全部进行排气的排气部;和控制部,以如下方式控制处理气体供给部、吹扫气体供给部和排气部,即,在向多个处理中的一个处理输送衬底、不向该一个处理以外的至少一个其他处理输送衬底时,与向一个处理供给所述处理气体并行地,向其他处理供给吹扫气体,并对一个处理和其他处理进行排气
  • 衬底处理装置半导体器件制造方法
  • [发明专利]衬底处理装置以及半导体装置的制造方法-CN201410092298.3有效
  • 野内英博;芦原洋司;佐野敦;高崎唯史 - 株式会社日立国际电气
  • 2014-03-13 - 2018-03-09 - H01L21/67
  • 一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法,该衬底处理装置具有对衬底进行处理的处理;设在处理的上方,具有对处理均匀地供给气体的分散板的缓冲;设在缓冲的作为顶棚部构造而构成的顶板上,对于气体供给方向在上游侧连接有处理气体供给部的处理气体供给孔;设在顶板上,对于气体供给方向在上游侧连接有惰性气体供给部的惰性气体供给孔;周状的基端部,以处理气体供给孔位于内周侧而惰性气体供给孔位于外周侧的方式与顶板的下游侧的面连接;气体引导件,具有基端部,并配置于分散板的上方;处理排气部,将处理的环境气体排气,并设在处理的下方;至少对处理气体供给部、惰性气体供给部、处理排气部进行控制的控制部。
  • 衬底处理装置以及半导体制造方法

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