[实用新型]一种低电场光电子成像仪有效
| 申请号： | 201620794118.0 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN205863133U | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01J49/06 | 分类号： | H01J49/06;H01J49/40 |
| 代理公司： | 南京钟山专利代理有限公司32252 | 代理人： | 戴朝荣 |
| 地址： | 210044 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种低电场光电子成像仪。所述低电场光电子成像仪包括沿带电粒子运动方向依次设置的激光作用区、自由飞行管和探测器，所述激光作用区包括沿带电粒子运动方向依次相对平行间隔设置的至少四个极板，相邻两个所述极板之间形成有电势差，且在所述激光作用区内，所述电势差的方向相同。本实用新型的有益效果在于：所述低电场光电子成像仪在极板总电势差相同配置下实现了仪器测量过程保持低电场，使得在研究光与物质作用的测量过程中，极大降低测量仪器本身所带电场造成待测物质性质的改变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 光电子 成像 | ||
【主权项】：
一种低电场光电子成像仪，包括沿带电粒子运动方向依次设置的激光作用区、自由飞行管和探测器，其特征在于，所述激光作用区包括沿带电粒子运动方向依次相对平行间隔设置的至少四个极板，相邻两个所述极板之间形成有电势差，且在所述激光作用区内，所述电势差的方向相同。
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- 一种低电场光电子成像仪-201620794118.0
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- 2016-07-26 - 2017-01-04 - H01J49/06
- 本实用新型提供了一种低电场光电子成像仪。所述低电场光电子成像仪包括沿带电粒子运动方向依次设置的激光作用区、自由飞行管和探测器，所述激光作用区包括沿带电粒子运动方向依次相对平行间隔设置的至少四个极板，相邻两个所述极板之间形成有电势差，且在所述激光作用区内，所述电势差的方向相同。本实用新型的有益效果在于：所述低电场光电子成像仪在极板总电势差相同配置下实现了仪器测量过程保持低电场，使得在研究光与物质作用的测量过程中，极大降低测量仪器本身所带电场造成待测物质性质的改变。
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