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[发明专利]结构体及其制造方法-CN201880052817.X有效
发明人：佐伯幸作;西胁青儿;鸣海建治 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-10-05 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请的一个方案的结构体具备：第1电介体层；和第2电介体层，其与上述第1电介体层相接触，具有与上述第1电介体层不同的折射率。上述第2电介体层包含氢浓度互不相同的至少两个电介体膜。在上述第1电介体层与上述第2电介体层的界面处具有周期性的第1凹凸。
结构及其制造方法

[发明专利]多层陶瓷电容器-CN200410095182.1无效
发明人：梅田裕二;佐藤阳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-10-22 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种多层陶瓷电容器，其具有内部电极层和介电体层，其特征在于，上述介电体层的厚度在2.0μm以下，通过用上述介电体层的厚度除以构成上述介电体层的介电体粒子的平均粒径来求得的介电体层的每一层的平均粒子数在3
多层陶瓷电容器

[发明专利]液晶零件模块以及介电常数控制方法-CN200580042061.3无效
发明人：入江泰行 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01P3/08 文献下载
摘要：一种液晶零件模块，具备液晶电介体层、隔着所述液晶电介体层被相对配置的第一以及第二导体层、通过对所述液晶电介体层施加直流电压来控制该液晶电介体层的介电常数的电压施加机构、改变所述液晶电介体层温度的温度调节元件、以及由所述温度调节元件改变所述液晶电介体层的温度，使该液晶电介体层在固态和液态之间转变的温度控制机构。
液晶零件模块以及介电常数控制方法

[发明专利]光学头和信息存储装置-CN02829884.5无效
发明人：长谷川信也;田和文博 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-11-13 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： G11B7/135 文献下载
摘要：一种光学头，包括：第1介电体层，具有第1折射率；一对第2介电体层，与第1介电体层的两侧邻接配置，具有比第1折射率大的第2折射率；一对第3介电体层，与各第2介电体层邻接配置；以及一对第4介电体层，与各第3介电体层邻接配置，具有比第1折射率大的第3折射率。使光从与第1至第4介电体层的叠层方向正交的方向入射。第1和第3介电体层具有相互不同的折射率或者具有相互不同的厚度。
光学信息存储装置

[实用新型]一种静电吸盘-CN201420866353.5有效
发明人：陶岳雨;刘林凤;刘琪 -专利权人：上海卡贝尼精密陶瓷有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种静电吸盘，包括电极层和陶瓷电介体，所述电极层设置于两层陶瓷电介体之间，所述两层陶瓷电介体中的第一电介层的下表面边缘有一圈凸起，第二电介层的上表面边缘与所述第一电介层的凸起对应处有一圈凹槽，所述第二电介层的上表面设置电极层，所述电极层通过陶瓷金属化处理的手段形成于第二电介层的上表面，所述第一电介层的凸起与第二电介层的凹槽拼合呈相互耦合状态，并通过固相烧结方式将电极层埋入陶瓷电介体内部。本实用新型采用两层电介体边缘相互耦合以及固相烧结的方式实现电极层与陶瓷电介体的可靠结合；由于电极层中可以不添加无机陶瓷晶体粒子，从而能够提高内部电极的导电性能。
一种静电吸盘

[发明专利]多层陶瓷电容器-CN200510060174.8无效
发明人：室泽贵子;宫内真理;野口和则;佐藤阳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种多层陶瓷电容器1，其具有内部电极层3和厚度小于2μm的电介体层2，其特征在于，上述层间电介体层2含有多个电介体粒子2a而构成，以上述层间电介体层2中的电介体粒子2a全体的粒度分布的标准偏差为σ(无单位)、以上述层间电介体层2中的电介体粒子2a全体的平均粒径为D50(单位：μm)，此时的具有该D50的2.25倍以上的平均粒径的电介体粒子(粗粒)在上述电介体粒子2a全体中存在的比率用p(单位：通过本发明，能够提供即使对层间电介体层2实施薄层化也有望提高各种电特性、特别是既具有充分的介电常数又提高TC偏压特性的多层陶瓷电容器1。
多层陶瓷电容器

[发明专利]场效应晶体管和方法-CN201480052849.1有效
发明人：楚荣明;玛丽·Y·陈;李子健“雷伊”;卡里姆·S·布特罗;陈旭;大卫·F·布朗;亚当·J·威廉姆斯 -专利权人： HRL实验室有限责任公司
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种场效应晶体管(FET)包括多个半导体层，接触半导体层中的一层的源极和漏极，在源极和漏极之间的顶部半导体表面的一部分上的第一介电体层，延伸通过第一介电体层并且具有位于半导体层中的一层的顶面上或半导体层中的一层内的底部的第一沟槽，内衬第一沟槽并且覆盖第一介电体层的一部分的第二介电体层，在半导体层、第一介电体层和第二介电体层上方的第三介电体层，延伸通过第三介电体层并且具有位于第二介电体层上的第一沟槽中的底部并且在第二介电体的一部分上方延伸的第二沟槽以及填充第二沟槽的栅极
场效应晶体管方法

[发明专利]介电弹性体换能器以及介电弹性体驱动装置-CN201880041005.5有效
发明人：千叶正毅;和气美纪夫 -专利权人：株式会社爱信;千叶正毅;和气美纪夫
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：介电弹性体换能器具有介电弹性体功能构件，所述介电弹性体功能构件具有介电弹性体层和将该介电弹性体层夹在中间的一对电极层，所述介电弹性体换能器还具有支撑所述介电弹性体功能构件的支撑体。所述各电极层具有1个以上的施加区域。所述介电弹性体功能构件具有一对所述电极层的所述施加区域重叠的1个以上的功能部。所述功能部与所述支撑体分离。通过这样的结构，能够避免电极层的损伤，并且能够得到充分的伸长量。
弹性体换能器以及驱动装置

[发明专利]多层陶瓷电容器-CN200510060175.2无效
发明人：室泽贵子;宫内真理;野口和则;佐藤阳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：多层陶瓷电容器1，其具有内部电极层3、厚度不足2μm的层间电介体层2、和外侧电介体层20，其特征在于，前述层间电介体层2及外侧电介体层20含有多个电介体粒子2a、20a而构成，以前述层间电介体层2中的全部电介体粒子2a的平均粒径为D50a(单位：μm)，以前述外侧电介体层20中的、在厚度方向上距离配置于最外面的内部电极层3a 5μm以上的位置上存在的全部电介体粒子20a的平均粒径为D50b(单位：μm)，以此时的前述D50a和前述D50b之比(D50a/D50b)为y(无单位)，以前述层间电介体层2的厚度为x(单位：μm)，以前述层间电介体层2中的全部电介体粒子2a的粒度分布的标准偏差为σ(无单位)，以具有前述D50a的2.25倍以上的平均粒径的电介体粒子(粗粒)存在于全部前述电介体粒子2a中的比率为p(单位：％)，此时，前述y和x满足y＜－0.75x+2.015、且y＞－0.75x+1.740的关系，前述σ满足σ＜根据本发明，即使将层间电介体层2薄层化时，也可以提供有望改善各种电特性、特别是具有足够的介电常数的同时改善TC偏压特性的多层陶瓷电容器1。
多层陶瓷电容器

[发明专利]介电弹性体金属化材料及制备方法-CN202111641734.4有效
发明人：冯雪;王志建;陈颖 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：介电弹性体金属化材料及制备方法，该方法包括如下步骤：在无机非金属颗粒外包覆多巴胺活性层；配置形成介电弹性体薄膜的介电弹性体材料溶液，将包覆有所述多巴胺活性层的无机非金属颗粒分散于所述介电弹性体材料溶液内，并对所述介电弹性体材料溶液进行固化，形成介电弹性体薄膜；对所述介电弹性体薄膜的表面进行亲水化处理；采用磁控溅射的方式，在经过亲水化处理的所述介电弹性体薄膜的表面形成第一金属层；采用电镀工艺在所述第一金属层的表面形成第二金属层由该该介电弹性体金属化材料的制备方法制作而成的介电弹性体金属化材料，其介电常数较高，介电损耗较小，金属层与介电弹性材料之间的结合力较大。
弹性体金属化材料制备方法

[发明专利]光学头和信息存储装置-CN200610126496.2无效
发明人：长谷川信也;田和文博 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-11-13 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： G11B7/12 文献下载
摘要：一种光学头，包括：第1介电体层，具有第1折射率；一对第2介电体层，与第1介电体层的两侧邻接配置，具有比第1折射率大的第2折射率；一对第3介电体层，与各第2介电体层邻接配置；以及一对第4介电体层，与各第3介电体层邻接配置，具有比第1折射率大的第3折射率。使光从与第1至第4介电体层的叠层方向正交的方向入射。第1和第3介电体层具有相互不同的折射率或者具有相互不同的厚度。
光学信息存储装置

[发明专利]静电吸盘-CN201310378847.9在审
发明人：穴田和辉;和田琢真 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电吸盘，其能够提高内部电极层与陶瓷电介体基板的贴紧性，能够提高内部电极层的导通性。具体而言，其特征为，具备：陶瓷电介体基板，其为多结晶陶瓷烧结体，具有放置处理对象物的第1主面和第1主面相反侧的第2主面；及电极层，内设于陶瓷电介体基板的第1主面与第2主面之间，一体烧结于陶瓷电介体基板，陶瓷电介体基板具有：第1电介层，位于电极层与第1主面之间；及第2电介层，位于电极层与第2主面之间，电极层具有：第1部分，具有导电性；及第2部分，将第1电介层与第2电介层结合起来，第2部分所含有的结晶的平均粒径小于陶瓷电介体基板所含有的结晶的平均粒径
静电吸盘

[发明专利]半导体装置-CN201711063342.8在审
发明人：杨仁盛;朱文定;张至扬;杨晋杰;涂国基;石昇弘;廖钰文;陈侠威;陈奕静 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含金属间介电层、记忆单元、储存单元、晶体管和介电层。记忆单元包含位于金属间介电层顶表面的金属‑绝缘体‑金属(metal‑insulator‑metal，MIM)结构。晶体管位于金属间介电层的下方。介电层在晶体管上延伸并沿着金属介电层的顶表面延伸。介电层自金属‑绝缘体‑金属结构分离。
金属间介电层介电层晶体管绝缘体半导体装置记忆单元顶表面金属金属介电层储存单元金属结构延伸

[发明专利]介电体谐振装置、介电体滤波器和介电体双工器-CN02141537.4无效
发明人：须磨利隆;田口博幸;中口昌久 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋电子部品株式会社
申请日： 2002-08-10 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： H01P7/00 文献下载
摘要：构成本发明的介电体谐振装置的同轴介电体谐振器(2)具有开设贯通孔(22)的介电体块(21)；在介电体块(21)的外周面上形成的外导体层(24)；在介电体块(21)的上述贯通孔(22)的内周面上形成的内导体层(23)；在介电体块(21)的贯通孔(22)的开口一方端面上形成的使外导体层(24)和内导体层(23)彼此短路的短路导体层(25)；在介电体块(21)的外周面上和上述外导体层(24)电气分离后形成的分离导体层分离导体层(3)通过开关接地，通过开关切换改变同轴介电体谐振器(2)的电容，改变谐振频率。
介电体谐振装置滤波器双工器

[发明专利]电容器-CN201910332704.1有效
发明人：卢俊安;姜颖容;蔡苑铃 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明公开一种电容器，其包含：一第一电极层及一第二电极层；以及一第一介电层及一第二介电层，设置于该第一电极层及该第二电极层之间。该第一介电层包含一第一介电粉体及一第一有机树脂，而该第二介电层由一第二介电粉体及一第二有机树脂所组成。其中，该第一介电粉体与该第一有机树脂的重量比值大于该第二介电粉体与该第二有机树脂的重量比值。
电容器

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