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[发明专利]具有横向半导体异质结的半导体器件和方法-CN201880067904.2有效
发明人：李明洋;黄敬凯;李连忠 -专利权人：阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：用于形成具有横向半导体异质结的半导体器件的方法，包括在衬底上与第一金属电极相邻地形成横向半导体异质结的第一金属硫属化物层。第一金属硫属化物层包括与第一金属电极相同的金属，并且第一金属硫属化物层中的至少一些包括来自第一金属电极的金属。与第一金属硫属化物层相邻地形成横向半导体异质结的第二金属硫属化物层。与第二金属硫属化物层相邻地形成第二金属电极。第二金属硫属化物层包括与第二金属电极相同的金属。
具有横向半导体异质结半导体器件方法

[发明专利]用于制造太阳能电池光吸收层的三层核‑壳型纳米颗粒及其制造方法-CN201480034054.8有效
发明人：李豪燮;尹锡喜;尹锡炫;朴银珠 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于形成太阳能电池的光吸收层的三层核‑壳型纳米颗粒及其制造方法，所述三层核‑壳型纳米颗粒由以下组成包含含铜(Cu)硫属化物的核，和(i)包含含锡(Sn)硫属化物的第一壳以及包含含锌(Zn)硫属化物的第二壳，或(ii)包含含锌(Zn)硫属化物的第一壳及包含含锡(Sn)硫属化物的第二壳。
用于制造太阳能电池光吸收三层纳米颗粒及其方法

[发明专利]分层电阻可变存储装置和制造方法-CN200580018247.5无效
发明人： K·A·坎贝尔;J·李;A·麦蒂尔;J·T·穆尔 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：按照本发明，所提供的电阻可变存储元件具有至少一个含金属层(18)以及顶部和底部电极(14，22)，所述含金属层(18)优选地为硒化银层，位于两个硫属化物玻璃层(17，20)之间，所述两个硫属化物玻璃层(在至少第二硫属化物玻璃层(20)的上面设置金属层(50)，其优选地为银层，并且在所述银层上面布置导电粘合层(30)。按照本发明的另一个实施例，所提供的电阻可变存储元件具有第一硫属化物玻璃层(17)，银层(40′)位于所述第一硫属化物玻璃层上面，硒化银层(18)位于所述银层上面，第二硫属化物玻璃层(20)位于所述硒化银层上面，并且可选地使第二银层位于所述第二硫属化物玻璃层上面。
分层电阻可变存储装置制造方法

[发明专利]硫属化物透镜元件和制造方法-CN202080062739.9在审
发明人： J·L·普莱勒 -专利权人：菲力尔系统贸易比利时有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：提供了硫属化物透镜元件和制造这样的透镜元件的方法。在一个示例中，一种方法包括在基板上沉积第一硫属化物层。该方法还包括将第一印模施加到第一硫属化物层。该方法还包括响应于施加第一印模回流第一硫属化物层，以形成第一成形硫属化物层。该方法还可以包括分割基板和第一成形硫属化物层，以获得多个硫属化物透镜元件。
硫属化物透镜元件制造方法

[发明专利]形成二维材料层的方法、场效晶体管及其制造方法-CN201910909281.5有效
发明人：李明洋;李连忠;褚志彪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种形成二维材料层的方法、场效晶体管及其制造方法。在形成二维材料层的方法中，形成成核图案于基板之上，且形成过渡金属二硫属化物层，使得过渡金属二硫属化物层从成核图案横向地生长。在一或多个前述及以下实施例中，过渡金属二硫属化物层为单晶。
形成二维材料方法晶体管及其制造

[发明专利]用于制造太阳能电池的光吸收层的金属硫属化物纳米颗粒及其制备方法-CN201480048450.6有效
发明人：朴银珠;尹锡喜;尹锡炫;李豪燮 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明涉及形成太阳能电池的光学吸收层的金属硫属化物纳米颗粒，并且更具体地涉及包括第一相和第二相的金属硫属化物纳米颗粒及其制备方法，所述第一相包含铜(Cu)‑锡(Sn)硫属化物，所述第二相包含锌(Zn)硫属化物
用于制造太阳能电池光吸收金属硫属化物纳米颗粒及其制备方法

[发明专利]用于清洁和钝化硫属化物层的方法-CN201410616638.8在审
发明人： M·巴菲尔;M·缪里斯;G·布莱墨茨 -专利权人： IMEC公司;鲁汶天主教大学;哈瑟尔特大学
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种用于化学清洁和钝化硫属化物层的方法，其中所述方法包括使硫属化物层和含硫化铵的环境例如硫化铵液体溶液或含硫化铵的蒸汽接触。提供了一种用于制造具有硫属化物吸收剂层的光伏电池的方法，所述方法包括：在基片上提供硫属化物半导体层；使硫属化物半导体层和含硫化铵的环境接触，由此除去杂质和钝化硫属化物半导体层；和随后在硫属化物半导体层上提供缓冲层
用于清洁钝化硫属化物层方法

[发明专利]用于光电器件的来自二维半导体层片的三维组装活性材料-CN201680088198.0在审
发明人： S·康基;J·劳思;L·D·A·西伯利斯 -专利权人：丰田自动车欧洲公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： C01G1/12 文献下载
摘要：本发明涉及硫属化物半导体层片的堆叠体，其可用于光电器件。本发明提供了制备金属硫属化物层片的堆叠体的方法，该方法包括以下步骤：(a)在间隔体存在下，使目标金属硫属化物的金属原子的源与目标金属硫属化物的硫属元素原子的源反应，以产生金属硫属化物的层片；(b)将使用步骤(a)获得的金属硫属化物层片沉积到基底上以形成组装金属硫属化物层片的堆叠体，其中间隔体含有与能够键合到金属硫属化物表面的官能团连接的烷基链，所述烷基链的长度小于18个碳原子，优选6‑14个碳原子。
金属硫属化物层硫属化物堆叠体金属硫属化物个碳原子光电器件目标金属间隔体烷基链层片组装硫属元素原子二维半导体官能团连接半导体层活性材料金属原子基底键合可用沉积优选制备三维

[发明专利]形成过渡金属二硫属化物(TMDC)材料层的方法-CN201711166366.6有效
发明人： S·埃尔卡兹;C·梅克林 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请涉及用于形成过渡金属二硫属化物(TMDC)材料层的方法。本发明概念涉及用于在布置在分子束外延生长工具(100)的加工室(102)中的基材(152)上形成过渡金属二硫属化物(TMDC)材料层(150)的方法(200)。方法(200)包括：从固体金属源(110a、110b、110c)蒸发(202)金属；形成(204)包含硫属化物的气体等离子体，以及将蒸发的金属和包含硫属化物的气体等离子体引入(206)加工室(102)，从而在基材(152)上形成TMDC材料层(150)。
形成过渡金属二硫属化物 tmdc 材料方法

[发明专利]光吸收层形成用涂布液及光吸收层形成用涂布液的制造方法-CN201280027751.1无效
发明人：桑原大;三隅浩一;宫本英典 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：一种光吸收层形成用涂布液，其是用于形成铜锌锡硫(CZTS)系太阳能电池的光吸收层的涂布液，其是使(A)肼配位Cu硫属化物络合物成分、(B)肼配位Sn硫属化物络合物成分和(C)肼配位Zn硫属化物络合物成分溶解于二甲基亚砜而成的
光吸收形成用涂布液制造方法

[发明专利]用于制备太阳能电池的光吸收层的前体及其制备方法-CN201580047842.5有效
发明人：尹锡喜;朴银珠;李豪燮;尹锡炫 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了用于制备太阳能电池的光吸收层的前体及其制造方法，所述前体包含：(a)聚集相复合体，其包括包含铜(Cu)‑锡(Sn)双金属的第一相和包含含锌(Zn)硫属化物的第二相，或者包括包含Cu‑Sn双金属的第一相、包含含Zn硫属化物的第二相和包含含Cu硫属化物的第三相；或者(b)核‑壳结构纳米颗粒，其包括包含Cu‑Sn双金属纳米颗粒的核和包含含Zn硫属化物或含Zn硫属化物和含Cu硫属化物的壳；或者(c)其混合物
用于制备太阳能电池光吸收及其方法

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN202011313544.5在审
发明人：苏圣凯;蔡劲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：方法包括：蚀刻介电层以形成介电鳍；在介电鳍上沉积过渡金属二硫属化物层；以及对过渡金属二硫属化物层实施各向异性蚀刻工艺。去除过渡金属二硫属化物层的水平部分，并且保留位于介电鳍的侧壁上的过渡金属二硫属化物层的垂直部分以形成垂直半导体环。该方法还包括：在二维半导体垂直半导体环的第一部分上形成栅极堆叠件；以及形成源极/漏极接触插塞，其中，源极/漏极接触插塞接触垂直半导体环的第二部分的侧壁。
半导体器件形成方法

[发明专利]基于硒化锡的有限可再编程单元-CN200680005605.3有效
发明人：克里斯蒂·A·坎贝尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2006-02-17 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：根据示范性实施例，存储器装置及其形成方法提供第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的含有硫属化物或锗的材料层。所述存储器装置进一步包含位于所述含有硫属化物或锗的材料层与所述第二电极之间的锡硫属化物层。
基于硒化锡有限编程单元

[发明专利]过渡金属硫属化物纳米片层材料及其制备方法、电池负极材料、二次电池及其应用-CN201811552393.1在审
发明人：唐永炳;童小玉;欧学武 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种过渡金属硫属化物纳米片层材料及其制备方法，以及作为电池负极材料、二次电池及其应用，属于过渡金属硫属化物技术领域。本发明提供了一种过渡金属硫属化物纳米片层材料的制备方法，将原料溶于可溶性盐的水溶液中，除去水分得到固体，然后烧结固体，水洗后得到过渡金属硫属化物纳米片层材料；其中，原料包括硫属元素前驱体和过渡金属前驱体该制备方法采用可溶性盐作为模板剂，价格低廉，环境友好，后处理中易除去，且得到的过渡金属硫属化物纳米片层材料片层厚度更薄。该制备方法相较于传统的二氧化硅模板法、水热法，大大缩短了合成周期，具有简单易行、可控、产率高的特点，实验操作简单，适用于规模化的生产。
过渡金属硫属化物纳米片层制备电池负极材料二次电池可溶性盐前驱体二氧化硅模板后处理材料片层合成周期环境友好硫属元素烧结固体实验操作传统的规模化模板剂水热法产率可控应用生产

[发明专利]硫属化合物随机存取内存及其制造方法-CN200410097103.0有效
发明人：薛铭祥;陈士弘 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种硫属化合物随机存取内存的制造方法是先提供已有下电极的基底，再于基底上依序形成硫属化合物层及相对于上述下电极的图案化掩模，再利用图案化掩模，对硫属化合物层进行离子注入制程，使部分硫属化合物层转变成改质区，并确保图案化掩模底下的硫属化合物层没有被掺杂物质注入，而使其成为未改质区，其中改质区的传导率低于未改质区的传导率。然后，去除图案化掩模，再在未改质区上形成上电极。因为利用如离子注入制程的改质处理，故可缩小硫属化合物层与下电极间的接触面积，进而降低硫属化合物随机存取内存的操作电压。
化合物随机存取内存及其制造方法

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