“二氯硅烷”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8884802个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种高温液态氯硅烷的输送装置-CN200820222837.0有效
发明人：戴自忠;易忠海 -专利权人：四川永祥多晶硅有限公司
申请日： 2008-11-24 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高温液态氯硅烷的输送装置，是对于多晶硅生产中的精馏、回收系统塔釜中的液态氯硅烷进行输送，包括氯硅烷输出塔一、氯硅烷输出塔二，其特征在于：在氯硅烷输出塔一和氯硅烷输出塔二之间依次设置有再沸器和冷凝器，再沸器位于氯硅烷输出塔一的出料口，冷凝器位于再沸器和氯硅烷输出塔二之间，氯硅烷输出塔一、再沸器、冷凝器和氯硅烷输出塔二之间均通过管道连接；本装置采用再沸器和冷凝器的配合代替了屏蔽泵，这样不仅完全解决了汽蚀现象，而且通过氯硅烷的性态变化使得输送也非常方便，同时所传送的流量可以准确控制，流速平稳。
一种高温液态硅烷输送装置

[发明专利]用于改善的多晶硅生长的二氯硅烷补偿控制策略-CN201610701107.8有效
发明人：约翰·维克托·布奇;马克·理查德·斯塔乔维克;查尔斯·艾伦·斯蒂比茨 -专利权人：赫姆洛克半导体运营有限责任公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善反应器中的多晶硅生长的方法，所述方法包括：将包含三氯硅烷和二氯硅烷的氯硅烷进料组合物引入到沉积室中，其中所述沉积室包含基材；将所述氯硅烷进料组合物与氢气共混以形成进料组合物；调整进入到所述沉积室中的氯硅烷和氢气的基线流，以实现预定的总流量和预定的氯硅烷进料组合物设定点；将压力施加到所述沉积室并且将能量施加到所述沉积室中的所述基材以形成多晶硅；测量存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的量并且从存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的目标值确定偏移值；通过与所述二氯硅烷偏移值成反比的量调整所述氯硅烷进料组合物设定点；以及将所述所形成的多晶硅沉积到所述基材上。
用于改善多晶生长硅烷补偿控制策略

[发明专利]一种分离三氯氢硅中一甲基二氯硅烷杂质的方法-CN202210421943.6在审
发明人：牛刚;马锐 -专利权人：新疆大全新能源股份有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明为一种分离三氯氢硅中一甲基二氯硅烷杂质的方法。一种分离三氯氢硅中一甲基二氯硅烷杂质的方法，为：精馏工序中经过高沸分离塔分离后的塔釜液，在歧化树脂的催化作用下进行歧化反应，出口为含有三氯氢硅、二氯二氢硅、四氯化硅、一甲基三氯硅烷的混合液；将所述的混合液进行分馏，将四氯化硅和一甲基三氯硅烷分离出来。本发明所述的一种分离三氯氢硅中一甲基二氯硅烷杂质的方法，利用化学反应将三氯氢硅、一甲基二氯硅烷转化为二氯二氢硅、四氯化硅、一甲基三氯硅烷后，一甲基三氯硅烷更容易分离出来，从而达到去除含碳物质的目的。
一种分离三氯氢硅中一甲基硅烷杂质方法

[发明专利]通过裂解更高级的氯代多硅烷例如八氯三硅烷以制备六氯二硅烷的方法-CN201480023124.X有效
发明人： J.E.朗;H.劳勒德;E.米 -专利权人：赢创德固赛有限公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及使氯代多硅烷反应成六氯二硅烷的方法，其中使至少一种三聚体的氯代多硅烷或与更高分子量的氯代多硅烷混合的三聚体的氯代多硅烷暴露于气体放电中，并形成和分离出六氯二硅烷。
通过裂解高级氯代多硅烷例如八氯三制备六氯二方法

[发明专利]由氯硅烷合成二硅烷工艺-CN202111549688.5在审
发明人：李杰;张彩云;刘巨文 -专利权人：苏州矽索新材料有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明涉及化工合成技术领域，具体公开了由氯硅烷合成二硅烷工艺，具体工艺步骤如下：步骤一、设备调试；步骤二、原材料准备,原材料包括氢化钠、THF溶剂、氯硅烷；步骤三、将适量的氢化钠装入烧瓶内，并打开氮气置换反应烧瓶内空气三次，再滴入3000mlTHF和1000g氯硅烷混合液，并保持25‑30℃；步骤四、将上述滴加反应后的浆料通过计量泵打入螺杆式微型反应器内；步骤五、将反应器出口同薄膜蒸发器相连，通过两级蒸发分别得到溶剂THF和固体产品二硅烷，副产氯化钠和高沸物及原料自带矿物油通过螺杆阀排出。本发明氯硅烷原料易得，价格便宜，降低了二硅烷的生产成本；将传统化学反应设备微型化、连续化，在保证产量的同时提高安全生产及节能减排降低碳排放。
硅烷合成工艺

[实用新型]一种二甲基二氯硅烷的提纯系统-CN201620410388.7有效
发明人：曹华俊;方红承;谭军;彭金鑫;聂长虹;贾勇;赵晓辉;欧阳玉霞 -专利权人：合盛硅业股份有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二甲基二氯硅烷的提纯系统，包括：脱低塔，底端出料口连通脱高下塔的进料口，用于除去二甲基二氯硅烷粗品中的低沸物；脱高下塔，顶端出料口连通固定床反应器的进料口，用于除去二甲基二氯硅烷粗品中的高沸物；固定床反应器，出料口连接脱高上塔的进料口，用于与氯化氢反应，将二甲基二氯硅烷粗品中残余的含氢硅烷转化成相应的氯硅烷；脱高上塔，用于除去所述的氯硅烷。直接法生产获得的二甲基二氯硅烷粗品经脱低塔和脱高下塔先除去低沸物和高沸物，再在固定床反应器中将粗品中的含氢硅烷与氯化氢反应转变成相应的氯硅烷，然后在脱高上塔中除去氯硅烷，从而获得高纯度的二甲基二氯硅烷。
一种甲基硅烷提纯系统

[发明专利]一种采用联合法制取二氯二氢硅的方法-CN201210589213.3无效
发明人：原东风 -专利权人：天津市泰源工业气体有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了采用联合法制取二氯二氢硅的方法。该法是在歧化法基础上增加四氯化硅氢化作用工序，使副产物充分利用，在氯氢化作用反应器中，在氢气和四氯硅烷的存在下，氢气和四氯硅烷的摩尔比为1：1-4冶金级硅发生氯氢化反应。反应后的气流中含有二氯二氢硅、三氯硅烷、四氯硅烷、氢气及未反应的硅颗粒，经冷凝和精馏进行分离。分离后的四氯硅烷和氢气再循环使用。通过催化剂固定床得到三氯硅烷被歧化成二氯二氢硅和四氯硅烷，歧化后的气流送到相应的精馏单元进行分离和纯化。
一种采用联合法制取二氯二氢硅方法

[发明专利]一种甲基乙烯基二氯硅烷的合成工艺-CN202211474192.0在审
发明人：毕绍新;姜永虎;罗志坚;辛贞;梁小丹;闫海亭 -专利权人：唐山偶联硅业有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C07F7/14 文献下载
摘要：本申请涉及有机合成的技术领域，具体公开了一种甲基乙烯基二氯硅烷的合成工艺。一种甲基乙烯基二氯硅烷的合成工艺，包括如下步骤：将乙炔和一甲基二氯硅烷加入甲基乙烯基二氯硅烷中，在六水合氯铂酸催化剂的作用下，升温，加压，反应一段时间，精馏分离，得到甲基乙烯基二氯硅烷。本申请的甲基乙烯基二氯硅烷的合成工艺，通过各步骤之间的协同作用，具有提高甲基乙烯基二氯硅烷的收率、安全环保且实现无苯化的优点。
一种甲基乙烯基硅烷合成工艺

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910921640.9在审
发明人：林资敬;林建智;朱峯庆;吴卓斌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一实施例中，方法包括：形成第一栅极堆叠与第二栅极堆叠于鳍状物上；蚀刻鳍状物以形成凹陷于第一栅极堆叠与第二栅极堆叠之间的鳍状物中；以及形成外延的源极/漏极区于凹陷中，包括：配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第一层衬垫凹陷的侧部与底部，以及在成长第一层之后，配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第二层于第一层上，其中成长第一层时以第一流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者，而成长第二层时以第二流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者。
半导体装置形成方法

[发明专利]一种制备二甲基二氯硅烷的方法-CN201510266330.X有效
发明人：谭军;方红承;欧阳玉霞;彭金鑫;聂长虹;母清林 -专利权人：嘉兴学院;合盛硅业股份有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备二甲基二氯硅烷的方法，将甲基三氯硅烷、三甲基氯硅烷、共沸物和四甲基硅烷在三氯化铝催化下进行歧化反应，歧化反应结束后经精馏处理得到二甲基二氯硅烷，所述的甲基三氯硅烷、三甲基氯硅烷、共沸物和四甲基硅烷的质量比为本发明公开的制备二甲基二氯硅烷的方法条件温和，操作简单，产品纯度高，合成工艺安全、稳定，耗能低，易于实现工业化。
一种制备甲基硅烷方法

[发明专利]一种苯基氯硅烷的制备方法-CN201410103908.5有效
发明人：高俊杰;胡庆超;徐晓光;宋超 -专利权人：山东东岳有机硅材料有限公司;中国科学院过程工程研究所
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种苯基氯硅烷的制备方法，包括将苯基二硅烷与催化剂加入反应器中，混合均匀，然后向反应器中通入惰性气体排出空气，搅拌加热，常压条件下，持续通入裂解气进行反应，停止反应，对反应液进行精馏分离，制得不同种类的苯基氯硅烷单体；本发明所得目标产品苯基氯硅烷单体的种类多，可以同时制备甲基苯基二氯硅烷、二甲基苯基氯硅烷、甲基二苯基氯硅烷等多种高附加值苯基氯硅烷，而且产率高，副产物甲基氯硅烷的产率低，实现了硅资源的高值化利用。
一种苯基硅烷制备方法

[发明专利]一种由二氯氢硅歧化反应制备甲硅烷和三氯氢硅的系统及方法-CN202211641257.6在审
发明人：李学刚;肖文德;阎建民;罗漫 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种由二氯氢硅歧化反应制备甲硅烷和三氯氢硅的系统，该系统以二氯氢硅为原料，通过二氯氢硅歧化反应装置(200)，制备甲硅烷并联产三氯氢硅。该方法包括以下步骤：二氯氢硅歧化反应：将二氯氢硅送入二氯氢硅歧化反应装置(200)；粗甲硅烷精制：来自二氯氢硅歧化反应装置(200)的气态粗甲硅烷经冷却后送入粗甲硅烷精制装置(400)。与现有技术相比，本发明以二氯氢硅为原料，经过歧化反应制备甲硅烷和副产物三氯氢硅，其中副产物三氯氢硅在提纯后可直接用于改良西门子法沉积多晶硅，实现甲硅烷生产与多晶硅生产工艺结合程度高、综合能耗和物耗低。
一种二氯氢硅歧化反应制备硅烷三氯氢硅系统方法

[实用新型]一种在线气相色谱分离检测装置-CN202020191189.8有效
发明人：童孟;戴博森;李悦;兰洁;兰琳 -专利权人：陕西煤田地质化验测试有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：提供一种在线气相色谱分离检测装置，用于氯硅烷组分及其杂质甲基二氯硅烷在线气相色谱分离检测。设置的大气平衡装置，可保证良好的进样重复性；设置的氯硅烷组分、甲基二氯硅烷的进样管路采用并行设计，实现了氯硅烷组分、甲基二氯硅烷相对独立的在线分离检测，可单独运行，不互相影响；设置的三个十通阀、两根填充柱、两根金属毛细管柱、三个热导检测器、一个氢火焰离子化检测器，可对氯硅烷组分及其杂质甲基二氯硅烷同时进行分离测定，甲基二氯硅烷的分离测定通过两根金属毛细管色谱柱的分离并结合热导检测器测定及十通阀的切割，有效保证干扰甲基二氯硅烷检测的氯硅烷主要组分三氯氢硅、四氯化硅不进入氢火焰离子化检测器，仅目标物甲基二氯硅烷进入氢火焰离子化检测器，避免三氯氢硅、四氯化硅进入氢火焰离子化检测器后造成管路堵塞和检测器损坏。
一种在线色谱分离检测装置

[发明专利]含硅材料的磁力分离-CN03801839.X有效
发明人： J·E·赫尔曼;J·A·布林桑;D·W·斯诺德格拉斯;细川秀彦 -专利权人：陶氏康宁公司;陶氏康宁东丽硅氧烷株式会社
申请日： 2003-01-13 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： C07F7/16 文献下载
摘要：使用磁选器装置处理来自氯代硅烷反应器的含硅材料，以除去含硅磁力内的受磁力影响的组分。在其中含硅材料是供生产硅基化合物用原料的方法中，除去这种组分提供含硅材料的提高反应性，所述含硅材料例如基本烷基卤代硅烷如二甲基二氯硅烷、甲基氢化二氯硅烷和其它氯代硅烷如三氯硅烷，所述氯代硅烷可用于制备有价值的含硅产品
材料磁力分离

[发明专利]分离氯代硅烷-CN200680046120.9有效
发明人： D·C·米勒;J·D·瓦恩兰;O·L·弗兰宁甘姆 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： C07F7/20 文献下载
摘要：使粗氯代硅烷物流与蒸馏助剂接触，分离含较低沸点的氯代硅烷和较高沸点的氯代硅烷的粗氯代硅烷物流。较低沸点的氯代硅烷从粗氯代硅烷物流中分离，然后使蒸馏助剂与较高沸点的氯代硅烷彼此分离。这些蒸馏助剂增加粗氯代硅烷物流例如甲基三氯硅烷和二甲基二氯硅烷的相对挥发度，从而导致在较低的增加和/或固定成本下改进的分离。
分离硅烷