专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种含硅烷废气的回收处理装置-CN201410166914.5有效
  • 张旭 - 新特能源股份有限公司
  • 2014-04-23 - 2018-02-09 - C01B33/107
  • 本发明提供一种含硅烷废气的回收处理装置,包括硅烷回收单元、硅烷淋洗单元和尾气放空单元,所述硅烷回收单元与硅烷淋洗单元相连,用于将含硅烷废气中的部分硅烷气体回收,并将剩余废气输送至硅烷淋洗单元;所述硅烷淋洗单元还与尾气放空单元相连,用于将所述剩余废气中的余下硅烷气体和氯化氢气体淋洗下来,以清除所述剩余废气中的硅烷气体和氯化氢气体,并将清除了硅烷气体和氯化氢气体的剩余废气输送至尾气放空单元;所述尾气放空单元用于将所述清除了硅烷气体和氯化氢气体的剩余废气放空。本发明所述回收处理装置既能充分回收废气中的硅烷资源,又能对废气中无法回收的硅烷进行无污染处理。
  • 一种硅烷废气回收处理装置
  • [发明专利]一种多晶硅生产中的尾气中的硅烷的回收方法和装置-CN201410401453.5有效
  • 周迎春;郭蔡明;刘兴平;刘建海 - 新特能源股份有限公司
  • 2014-08-13 - 2018-12-25 - C01B33/107
  • 本发明公开了一种多晶硅生产中的尾气中的硅烷的回收方法和装置,该方法包括以下步骤:使用淋洗液四氯化硅对多晶硅生产中的尾气中的硅烷进行淋洗,其中,多晶硅生产中的尾气中的硅烷包括:氢硅、三氢硅、四氯化硅,将多晶硅生产中的尾气中的硅烷回收后,得到淋洗液四氯化硅和多晶硅生产中的尾气中的硅烷的液体混合物,淋洗液四氯化硅的淋洗量相对于多晶硅生产中的尾气中的硅烷的流量以处理过的尾气中不含有硅烷为标准进行设定该方法通过淋洗液四氯化硅回收多晶硅生产中的尾气中的硅烷,再重新回收利用,同时淋洗液四氯化硅还可以吸收尾气中的硅粉颗粒,从而减轻了下游工序处理负担,降低尾气处理成本,减少空气污染。
  • 一种多晶生产中的尾气硅烷回收方法装置
  • [发明专利]3-丙基三硅烷的制备方法-CN94118297.5无效
  • 胡春野 - 中国科学院化学研究所
  • 1994-11-21 - 1998-11-04 - C07F7/14
  • 一种3-丙基三硅烷的制备方法,以三硅烷丙烯为原料,摩尔比为1.0∶1.1~1.0∶1.5,采用铂酸和正三丁基胺、正三丙基胺或N,N-甲基苄基胺,摩尔比为1.0∶0.5~1.0∶1.0,在环已酮、异丙醇、四氢呋喃或乙醇甲醚中的溶液为催化剂,在室温下迅速发生硅氢加成反应,得到产率为70~76%的3-丙基三硅烷
  • 丙基硅烷制备方法
  • [发明专利]一种使用内部热耦合精馏塔分离甲基硅烷的装置及方法-CN201811254287.5有效
  • 孙津生;奚志骏;崔承天;刘思瑶 - 天津大学
  • 2018-10-26 - 2021-05-28 - C07F7/12
  • 本发明公开了一种使用内部热耦合精馏塔分离甲基硅烷的装置及方法,将一甲基三硅烷甲基硅烷的混合原料送到无再沸器的高压塔中,塔顶采出一甲基三硅烷产品;塔侧开设3‑10条侧线,采出蒸气送至不同换热器中冷凝后送回;塔底采出混合液体;将高压塔塔底得到的混合液体送到无冷凝器的低压塔塔顶,塔顶采出混合蒸气,加压后送至高压塔塔底;塔侧开设相同数目的侧线,采出液体送至对应换热器中蒸发后送回;塔底采出甲基硅烷产品。通过离散式内部热耦合精馏技术,实现了对传统甲基硅烷分离工艺的高度热集成化节能,大幅减少了冷却水与蒸气消耗,具备显著经济效益。
  • 一种使用内部耦合精馏塔分离甲基硅烷装置方法
  • [发明专利]一种叔丁基甲基硅烷的制备方法-CN202210850734.3在审
  • 楚玮明;王春荣;程焕达;申小科;蒋宝银 - 江苏八巨药业有限公司
  • 2022-07-20 - 2022-09-06 - C07F7/12
  • 针对现有叔丁基甲基硅烷混合溶剂精馏成本,本发明提供一种叔丁基甲基硅烷的制备方法,所述方法包括以下步骤:S1:将镁粉、2‑甲基四氢呋喃混合,升温至60‑70℃,并在该温度下滴加氯代叔丁烷,加完后保温至得到氯化镁代叔丁烷溶液;S2:S1所得的氯化镁代叔丁烷溶液在60‑70℃滴加甲基硅烷,加完后保温至得到叔丁基甲基硅烷粗品溶液;S3:S2所得叔丁基甲基硅烷粗品溶液分层,离心,取上层溶液蒸馏,得到2‑甲基四氢呋喃;转入精馏,于123‑125℃收集馏分,得叔丁基甲基硅烷产品。
  • 一种丁基甲基硅烷制备方法
  • [发明专利]苯基硅烷含量增加的格氏法-CN200480040034.8无效
  • B·T·纽因 - 陶氏康宁公司
  • 2004-12-17 - 2007-01-24 - C07F7/12
  • 用于制备含苯基的硅烷产品的改进的格氏法,其中最大化作为产物的苯基硅烷的产率,同时最小化作为产物的苯基硅烷的产率。在一个实施方案中,方法包括使苯基格氏试剂、醚溶剂、芳族卤代偶合溶剂和三硅烷接触。在另一实施方案中,方法包括使苯基格氏试剂、醚溶剂、芳族卤代偶合溶剂、三硅烷和苯基硅烷接触。在再一实施方案中,方法包括使苯基格氏试剂、醚溶剂、芳族卤代偶合溶剂和苯基硅烷接触。在每一实施方案中,反应物以各组分特定的摩尔比率存在。
  • 苯基硅烷含量增加格氏法

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