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- [发明专利]半导体光刻用共聚物、抗蚀剂组合物以及基板的制造方法-CN201480048455.9有效
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安田敦;中条美帆
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三菱化学株式会社
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2014-09-03
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2019-08-30
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C08F220/28
- 一种光刻用共聚物,其特征在于,其浊度Th(80)为1.0以上、4.6NTU以下,并且浊度Tm(80)为1.0以上、3.8NTU以下,该浊度Th(80)是这样的浊度,将在丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中添加正庚烷时使浊度成为10NTU的正庚烷添加量设为(X)h,该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中,光刻用共聚物的含量相对于丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的总质量为20wt%,该浊度Th(80)是将该(X)h的80%的量的正庚烷添加到该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中时的、该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的浊度;该浊度Tm是这样的浊度,将在丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中添加甲醇时使浊度成为5.0NTU的甲醇添加量设为(X)m,该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中,该光刻用共聚物的含量相对于丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的总质量为20wt%,该浊度Tm是将该(X)m的80%的量的甲醇添加到该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中时的、该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的浊度。
- 半导体光刻共聚物抗蚀剂组合以及制造方法
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