专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]信息处理系统-CN201310603463.2无效
  • 永嵨宏行;中井弘人 - 株式会社东芝
  • 2008-10-17 - 2014-02-19 - G11C13/00
  • 一种信息处理系统包括:主存储,操作为存储数据;以及控制电路,操作为存取所述主存储的数据。所述主存储包括易失性半导体存储设备和DRAM,所述易失性半导体存储设备包含均使用可变电阻的电可擦除可编程非易失性存储基元,所述DRAM被设置为在所述控制电路所述易失性半导体存储设备之间的高速缓存存储所述易失性半导体存储设备具有重写存储的数据的刷新模式。所述控制电路基于对所述易失性半导体存储设备的存取数目以所述刷新模式激活所述易失性半导体存储设备。
  • 信息处理系统
  • [发明专利]信息处理系统-CN200880111698.7有效
  • 永嵨宏行;中井弘人 - 株式会社东芝
  • 2008-10-17 - 2010-09-08 - G11C13/00
  • 一种信息处理系统包括:主存储,操作为存储数据;以及控制电路,操作为存取所述主存储的数据。所述主存储包括易失性半导体存储设备和DRAM,所述易失性半导体存储设备包含均使用可变电阻的电可擦除可编程非易失性存储基元,所述DRAM被设置为在所述控制电路所述易失性半导体存储设备之间的高速缓存存储所述易失性半导体存储设备具有重写存储的数据的刷新模式。所述控制电路基于对所述易失性半导体存储设备的存取数目以所述刷新模式激活所述易失性半导体存储设备。
  • 信息处理系统
  • [发明专利]用于异构存储系统的信令-CN202080090910.7有效
  • 詹姆斯·R·马格罗;凯达尔纳特·巴拉里斯南 - 超威半导体公司
  • 2020-12-10 - 2023-10-27 - G06F13/16
  • 一种存储控制通过异构存储通道易失性存储存储(SCM)模块对接,并且包括用于接收存储访问命令的命令队列。存储接口队列耦合到命令队列以保存导出命令。易失性命令队列耦合到命令队列以用于存储置于存储接口队列中的易失性读取命令。仲裁从命令队列中选择条目,并将它们置于存储接口队列中以在异构存储通道上传输。控制电路耦合到异构存储通道以用于从易失性SCM模块接收就绪响应,所述就绪响应指示响应数据可用于易失性读取命令,并且响应于接收到就绪响应,导致发送命令被置于存储接口队列中以用于命令易失性SCM模块发送响应数据
  • 用于存储器系统
  • [发明专利]数据储存装置数据储存方法-CN201810007265.2有效
  • 曾依玲 - 慧荣科技股份有限公司
  • 2018-01-04 - 2021-12-24 - G06F3/06
  • 本发明涉及一种数据储存装置数据储存方法,包括至少一挥发式存储以及具有两阶层架构的控制。两阶层架构包括耦接主机的前端以及耦接挥发式存储的后端。控制包括指令处理以及至少一挥发式存储控制。指令处理配置于前端,并且主机进行沟通,以及依据来自主机的外部指令对数据储存装置的运作进行排程。挥发式存储控制,配置于后端,依据指令处理的排程而控制挥发式存储。当挥发式存储的数量增加时,挥发式存储控制的数量亦对应地增加,指令处理的数量维持不变。
  • 数据储存装置方法

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